紫外发光二极管器件的制备方法与流程

技术特征：

1.一种紫外发光二极管器件的制备方法，包括如下步骤：

步骤1：在衬底上生长含In或含Ga的AlN低温成核层；

步骤2：在低温成核层上生长AlN高温缓冲层，高温过程中In和Ga析出、蒸发，使低温成核层自组装形成空气隙；

步骤3：在AlN高温缓冲层上依次生长N型Al_xGa_1-xN电极接触层、Al_xGa_1-xN量子阱层、Al_xGa_1-xN电子阻挡层、P型Al_xGa_1-xN层和P型In_xGa_1-xN电极接触层；

步骤4：在P型In_xGa_1-xN电极接触层的上面向下依次刻蚀P型In_xGa_1-xN电极接触层、P型Al_xGa_1-xN层、Al_xGa_1-xN电子阻挡层和Al_xGa_1-xN量子阱层，暴露出N型Al_xGa_1-xN电极接触层，在N型Al_xGa_1-xN电极接触层上的一侧形成LED芯片PN结的台面；

步骤5：在N型Al_xGa_1-xN电极接触层一侧的台面上制备n型接触电极；

步骤6：在P型In_xGa_1-xN电极接触层上制备p型接触电极，完成制备。

2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管器件的制备方法，其中所述衬底的材料为蓝宝石、SiC、AlN或Si。

3.根据权利要求1所述的紫外发光二极管器件的制备方法，其中所述含In或含Ga的AlN低温成核层的材料为AlInN、AlGaN或AlInGaN。

4.根据权利要求3所述的紫外发光二极管器件的制备方法，其中所述的含In或含Ga的AlN低温成核层的生长温度范围为500-850℃。

5.根据权利要求1所述的紫外发光二极管器件的制备方法，其中所述的在含In或含Ga的AlN低温成核层上生长AlN高温缓冲层的温度范围为1100-1600℃。

6.根据权利要求1所述的紫外发光二极管器件的制备方法，其中所述的含In或含Ga的AlN低温成核层、AlN高温缓冲层、N型Al_xGa_1-xN电极接触层、Al_xGa_1-xN量子阱层、Al_xGa_1-xN电子阻挡层、P型Al_xGa_1-xN层和P型In_xGa_1-xN电极接触层是采用以下生长技术中的一种，或者几种的综合，包括：MOCVD技术、MBE技术或者磁控溅射技术。

7.根据权利要求1所述的紫外发光二极管器件的制备方法，其中所述的N型Al_xGa_1-xN电极接触层、Al_xGa_1-xN量子阱层、Al_xGa_1-xN电子阻挡层、P型Al_xGa_1-xN层和P型In_xGa_1-xN电极接触层中x的范围为0≤x≤1，使得所述的紫外发光二极管器件的发光波长为210nm-400nm。