技术总结
一种紫外发光二极管器件的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长含In或含Ga的AlN低温成核层；在低温成核层上生长AlN高温缓冲层；在AlN高温缓冲层上依次生长N型AlxGa1‑xN电极接触层、AlxGa1‑xN量子阱层、AlxGal‑xN电子阻挡层、P型AlxGal‑xN层和P型InxGal‑xN电极接触层；在P型InxGal‑xN电极接触层的上面向下依次刻蚀，暴露出N型AlxGa1‑xN电极接触层，在N型AlxGa1‑xN电极接触层上的一侧形成LED芯片PN结的台面；在台面上制备n型接触电极；在P型InxGa1‑xN电极接触层上制备p型接触电极。本发明可以提高UV‑LED发光效率，消除了光刻和刻蚀工艺可能会对设备造成的污染，并降低器件的加工成本。
技术研发人员：闫建昌;孙莉莉;张韵;王军喜;李晋闽
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
文档号码：201611114395
技术研发日：2016.12.06
技术公布日：2017.05.31