布线结构及其形成方法和形成掩模布局的方法与流程

文档序号:12680028阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种形成掩模布局的方法,该方法包括:

形成包括下布线结构图案和伪下布线结构图案的第一掩模的布局;

形成包括上布线结构图案和伪上布线结构图案的第二掩模的布局,第二掩模与第一掩模重叠;

形成包括第一过孔结构图案和第一伪过孔结构图案的第三掩模的布局,第一过孔结构图案与下布线结构图案和上布线结构图案共同地重叠,并且第一伪过孔结构图案与伪下布线结构图案和伪上布线结构图案共同地重叠;以及

形成与第三掩模重叠并且包括第二过孔结构图案和第二伪过孔结构图案的第四掩模的布局,第二过孔结构图案与下布线结构图案和上布线结构图案共同地重叠,并且第二伪过孔结构图案与伪下布线结构图案和伪上布线结构图案共同地重叠。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:

在第三掩模上执行第一光学邻近校正;以及

在第四掩模上执行第二光学邻近校正。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,第一伪过孔结构图案包括多个第一伪过孔图案和多个第二伪过孔图案,第一伪过孔图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第二伪过孔图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

并且其中,在第三掩模上执行第一光学邻近校正的步骤包括:在第一过孔结构图案和第一伪过孔图案上执行第一光学邻近校正。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,伪下布线结构图案包括多个第一伪下布线图案和多个第二伪下布线图案,第一伪下布线图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第二伪下布线图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

其中,伪上布线结构图案包括多个第一伪上布线图案和多个第二伪上布线图案,第一伪上布线图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第二伪上布线图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

并且其中,第一伪过孔图案中的每一个与第一伪下布线图案和第一伪上布线图案中的至少一个重叠。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,第一伪过孔图案中的每一个与第一伪下布线图案之一和第二伪上布线图案之一共同地重叠,或者与第二伪下布线图案之一和第一伪上布线图案之一共同地重叠。

6.根据权利要求4所述的方法,其中,第一伪过孔结构图案、伪下布线结构图案和伪上布线结构图案中的每一个在平面图中具有矩形形状或方形形状,并且将第一伪过孔结构图案、伪下布线结构图案和伪上布线结构图案中的每一个的尺寸限定为矩形的相对较短的边的长度或者方形的边的长度。

7.根据权利要求4所述的方法,其中,第一伪过孔图案比第二伪过孔图案相对更靠近第一过孔结构图案,第一伪下布线图案比第二伪下布线图案相对更靠近第一过孔结构图案,并且第一伪上布线图案比第二伪上布线图案相对更靠近第一过孔结构图案。

8.根据权利要求所述的方法4,还包括:

在下布线结构图案和第一伪下布线图案上执行第三光学邻近校正,以及

在上布线结构图案和第一伪上布线图案上执行第四光学邻近校正。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,第一光学邻近校正、第三光学邻近校正和第四光学邻近校正包括扩大第一过孔结构图案、下布线结构图案和上布线结构图案的尺寸并处理第一过孔结构图案、下布线结构图案和上布线结构图案的拐角,

并且其中,第一光学邻近校正包括扩大第一伪过孔图案的尺寸。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,第三光学邻近校正和第四光学邻近校正包括扩大第一伪下布线图案和第一伪上布线图案的尺寸。

11.根据权利要求2所述的方法,其中,第二伪过孔结构图案包括多个第三伪过孔图案和多个第四伪过孔图案,第三伪过孔图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第四伪过孔图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

并且其中,执行第二光学邻近校正的步骤包括在第二过孔结构图案和第三伪过孔图案上执行第二光学邻近校正。

12.根据权利要求11所述的方法,其中,伪下布线结构图案包括多个第一伪下布线图案和多个第二伪下布线图案,第一伪下布线图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第二伪下布线图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

其中,伪上布线结构图案包括多个第一伪上布线图案和多个第二伪上布线图案,第一伪上布线图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第二伪上布线图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

并且其中,第三伪过孔图案中的每一个与第一伪下布线图案和第一伪上布线图案中的至少一个重叠。

13.根据权利要求1所述的方法,其中,第一伪过孔结构图案包括多个第一伪过孔图案和多个第二伪过孔图案,第一伪过孔图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第二伪过孔图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

其中,第二伪过孔结构图案包括多个第三伪过孔图案和多个第四伪过孔图案,第三伪过孔图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第四伪过孔图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

并且其中,第三掩模中的第一伪过孔图案的数量等于第四掩模中的第三伪过孔图案的数量。

14.一种形成掩模布局的方法,所述方法包括:

形成包括下布线结构图案和伪下布线结构图案的第一掩模;

形成与第一掩模重叠并且包括上布线结构图案和伪上布线结构图案的第二掩模;

形成包括第一过孔结构图案和第一伪过孔结构图案的第三掩模,第一过孔结构图案与下布线结构图案和上布线结构图案共同地重叠,第一伪过孔结构图案与伪下布线结构图案和伪上布线结构图案共同地重叠,第一伪过孔结构图案包括多个第一伪过孔图案和多个第二伪过孔图案,第一伪过孔图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第二伪过孔图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸;

在第一过孔结构图案和第一伪过孔图案上执行第一光学邻近校正;

形成与第三掩模重叠并且包括第二过孔结构图案和第二伪过孔结构图案的第四掩模,第二过孔结构图案与下布线结构图案和上布线结构图案共同地重叠,第二伪过孔结构图案与伪下布线结构图案和伪上布线结构图案共同地重叠,第二伪过孔结构图案包括多个第三伪过孔图案和多个第四伪过孔图案,第三伪过孔图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第四伪过孔图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸;以及

在第二过孔结构图案和第三伪过孔图案上执行第二光学邻近校正。

15.根据权利要求14所述的方法,其中,伪下布线结构图案包括多个第一伪下布线图案和多个第二伪下布线图案,第一伪下布线图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第二伪下布线图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

其中,伪上布线结构图案包括多个第一伪上布线图案和多个第二伪上布线图案,第一伪上布线图案中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第二伪上布线图案中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

并且其中,第一伪过孔图案中的每一个与第一伪下布线图案和第一伪上布线图案中的至少一个重叠。

16.一种形成布线结构的方法,所述方法包括:

在衬底上形成穿过第一绝缘夹层的下布线结构和伪下布线结构;

在第一绝缘夹层、下布线结构和伪下布线结构上形成第二绝缘夹层和第一蚀刻掩模层;

将第一蚀刻掩模层图案化以形成暴露出第二绝缘夹层的上表面的第一蚀刻掩模;

在第一蚀刻掩模和第二绝缘夹层的暴露的上表面上形成第二蚀刻掩模层;

将第二蚀刻掩模层图案化以形成初步第二蚀刻掩模,所述初步第二蚀刻掩模包括暴露出第二绝缘夹层的第一开口和第二开口;

将初步第二蚀刻掩模图案化以形成第二蚀刻掩模,所述第二蚀刻掩模包括暴露出第二绝缘夹层的第三开口和第四开口;

利用第一蚀刻掩模和第二蚀刻掩模蚀刻第二绝缘夹层的上部,以形成对应于第一开口至第四开口的第一凹槽至第四凹槽;

在去除第二蚀刻掩模之后,利用第一蚀刻掩模蚀刻第二绝缘夹层,以在第二绝缘夹层的上部形成第一沟槽和第二沟槽并且在第二绝缘夹层的下部形成第一过孔孔洞至第四过孔孔洞;以及

分别在第一沟槽和第二沟槽中形成上布线结构和伪上布线结构,分别在第一过孔孔洞和第三过孔孔洞中形成第一过孔和第二过孔,分别在第二过孔孔洞和第四过孔孔洞中形成第一伪过孔结构和第二伪过孔结构,第一过孔和第二过孔连接至上布线结构,第一伪过孔结构和第二伪过孔结构连接至伪上布线结构。

17.根据权利要求16所述的方法,其中,第一过孔和第二过孔接触下布线结构,第一伪过孔结构和第二伪过孔结构接触伪下布线结构。

18.根据权利要求17所述的方法,其中,第一伪过孔结构包括多个第一伪过孔和多个第二伪过孔,第一伪过孔中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第二伪过孔中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

并且其中,第二伪过孔结构包括多个第三伪过孔和多个第四伪过孔,第三伪过孔中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第四伪过孔中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸。

19.根据权利要求18所述的方法,其中,伪下布线结构包括多个第一伪下布线和多个第二伪下布线,第一伪下布线中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第二伪下布线中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

其中,伪上布线结构包括多个第一伪上布线和多个第二伪上布线,第一伪上布线中的每一个具有小于预定尺寸的尺寸,并且第二伪上布线中的每一个具有等于或大于预定尺寸的尺寸,

并且其中,第一伪过孔和第三伪过孔中的每一个接触第一伪下布线和第一伪上布线中的至少一个。

20.根据权利要求19所述的方法,其中,第一伪过孔和第三伪过孔中的每一个共同地接触第一伪下布线之一和第二伪上布线之一,或者共同地接触第二伪下布线之一和第一伪上布线之一。

21.一种布线结构,包括:

衬底上的下布线结构;

伪下布线结构,其与下布线结构的水平处于实质上相同的水平,伪下布线结构包括第一伪下布线和第二伪下布线,第一伪下布线比第二伪下布线更靠近下布线结构,并且第二伪下布线中的每一个的尺寸比第一伪下布线中的每一个的尺寸更大;

下布线结构上方的上布线结构,该上布线结构与下布线结构至少部分地重叠;

伪上布线结构,其与上布线结构的水平处于实质上相同的水平,并且与伪下布线结构至少部分地重叠,伪上布线结构包括第一伪上布线和第二伪上布线,第一伪上布线比第二伪上布线更靠近上布线结构,并且第二伪上布线中的每一个的尺寸比第一伪上布线中的每一个的尺寸更大;

下布线结构与上布线结构之间的过孔结构,该过孔结构接触下布线结构和上布线结构;以及

伪下布线结构与伪上布线结构之间的伪过孔结构,该伪过孔结构接触伪下布线结构和伪上布线结构,伪过孔结构包括多个第一伪过孔和多个第二伪过孔,第一伪过孔比第二伪过孔更靠近过孔结构,并且第二伪过孔中的每一个的尺寸比第一伪过孔中的每一个的尺寸更大,

其中,第一伪过孔中的每一个接触第一伪下布线和第一伪上布线中的至少一个。

22.根据权利要求21所述的布线结构,其中,第一伪过孔中的每一个共同地接触第一伪下布线之一和第二伪上布线之一,或者共同地接触第二伪下布线之一和第一伪上布线之一。

23.根据权利要求21所述的布线结构,其中,第一伪下布线和第二伪下布线、第一伪上布线和第二伪上布线以及第一伪过孔和第二伪过孔中的每一个在平面图中具有矩形形状或方形形状,并且将第一伪下布线和第二伪下布线、第一伪上布线和第二伪上布线以及第一伪过孔和第二伪过孔中的每一个的尺寸限定为矩形的相对较短的边的长度或者方形的边的长度。

24.根据权利要求21所述的布线结构,其中,第一伪下布线和第一伪上布线中的每一个在平面图中具有矩形形状,并且第二伪下布线、第二伪上布线以及第一伪过孔和第二伪过孔中的每一个在平面图中具有方形形状。

25.一种布线结构,包括:

布置在衬底上的第一绝缘夹层;

布置在第一绝缘夹层上的第二绝缘夹层;

布置在第二绝缘夹层中的上布线;

布置在第一绝缘夹层中的下布线,其中,在剖视图中,下布线比上布线更宽,并且其中,上布线通过过孔连接至下布线;

布置在第二绝缘夹层中的多个伪上布线;以及

布置在第一绝缘夹层中的多个伪下布线,其中,伪上布线中的至少一个通过第一伪过孔连接至伪下布线中的至少一个,并且其中,第一伪过孔布置在第二绝缘夹层中。

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