技术总结
本发明提供了一种离子注入设备及系统，该离子注入设备包括离子源腔室、加速管、磁分选仪、隔离腔室以及目标离子通道。离子源腔室用于生成离子束。加速管与所述离子源腔室相连接，用于对所述离子束加速。磁分选仪与所述加速管相连接，用于对加速后的所述离子束进行分选。隔离腔室设置在磁分选仪的出口，用于接收经分选后的杂质离子。目标离子通道供所述目标离子通过以注入到半导体器件中。通过设置隔离腔室，可将离子束中的杂质离子吸收，使杂质离子不会轰击到磁分选仪上，避免对磁分选仪产生损害和产生额外的杂质，进而提高离子注入工艺的生产质量。
技术研发人员：严鹏;顾孛;刘明
受保护的技术使用者：苏州能讯高能半导体有限公司
文档号码：201611124178
技术研发日：2016.12.08
技术公布日：2017.03.22