技术总结
本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池，依次包括：背面电极；砷化镓外延片；窗口层；石墨烯层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极的栅线以外的位置；还包括减反层，所述减反层填充于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域，与石墨烯层接触。本发明以石墨烯层作为透明导电层，通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结砷化镓太阳电池的窗口层与重掺杂砷化镓帽子层之间，可以促进光生载流子的横向输运，减少光生载流的复合中心，减小串联电阻并提高填充因子，同时也可以有效地减少正面电极栅线密度和宽度，降低遮光损失，提升短路电流、开路电压。
技术研发人员：贾锐;桂羊羊;孙恒超;陶科;戴小宛;金智;刘新宇
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
文档号码：201611129475
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.02.22