1.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区域和GOA区域，其特征在于，所述制作方法包括：
利用金属氧化物半导体材料制作所述显示区域的第一薄膜晶体管的有源层；
利用非金属氧化物的半导体材料制作所述GOA区域的第二薄膜晶体管的有源层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法具体包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上沉积栅金属层，对所述栅金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极；
形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上沉积非金属氧化物的半导体层，对所述非金属氧化物的半导体层进行构图形成所述第二薄膜晶体管的有源层；
在所述栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的有源层；
在形成有所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的衬底基板上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法具体包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上沉积栅金属层，对所述栅金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极；
形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上沉积金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的有源层；
在所述栅绝缘层上沉积非金属氧化物的半导体层，对所述非金属氧化物的半导体层进行构图形成所述第二薄膜晶体管的有源层；
在形成有所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的衬底基板上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法具体包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上沉积缓冲层；
在所述缓冲层上沉积非金属氧化物的半导体层，对所述非金属氧化物的半导体层进行构图形成所述第二薄膜晶体管的有源层；
在所述缓冲层上沉积金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的有源层；
在形成有所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的衬底基板上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极；
形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上沉积栅金属层，对所述栅金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极。
5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法具体包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上沉积缓冲层；
在所述缓冲层上沉积金属氧化物半导体层，对所述金属氧化物半导体层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的有源层；
在所述缓冲层上沉积非金属氧化物的半导体层，对所述非金属氧化物的半导体层进行构图形成所述第二薄膜晶体管的有源层；
在形成有所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层的衬底基板上沉积源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极；
形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上沉积栅金属层，对所述栅金属层进行构图形成所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述非金属氧化物的半导体材料采用多晶硅或非晶硅；
所述金属氧化物半导体材料采用IGZO、IZO、ZnON、CuO或SnO。
7.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-6中任一项所述的制作方法制作得到，所述阵列基板包括显示区域和GOA区域，所述显示区域的第一薄膜晶体管的有源层采用金属氧化物半导体材料，所述GOA区域的第二薄膜晶体管的有源层采用非金属氧化物的半导体材料。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极；
栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层；
所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的所述第一薄膜晶体管的有源层和所述第二薄膜晶体管的有源层；
所述第一薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述第二薄膜晶体管的源电极、漏电极；
栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的所述第一薄膜晶体管的栅电极和所述第二薄膜晶体管的栅电极。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7-9中任一项所述的阵列基板。