OLED显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法与流程

本申请涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种OLED显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法。

背景技术：

随着显示技术的不断发展，显示面板的应用越来越广泛，有机电致发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板以其响应速度快、色彩绚丽、轻薄方便等优点成为显示面板行业的后起之秀。为了提高OLED显示面板的出光效率，通常需要在阵列基板上设置一层反射金属层，使OLED显示面板的显示子像素发出的光朝一面发出。但是所述反射金属层同时也会反射环境光，导致出现眩光的问题，影响OLED显示面板的显示效果。

现有技术中解决OLED显示面板出现眩光问题的方案通常是在OLED显示面板的盖板表面依次设置一层1/4λ波片和一层线性偏振片，以使环境光经过所述线性偏振片和1/4λ波片后成为线偏振光，成为线偏振光的环境光在经过所述反射金属层反射以及1/4λ波片后，成为偏振角度与所述线性偏振片垂直的线偏振光，与所述线性偏振片垂直的线偏振光在经过所述线性偏振片时被吸收，从而有效地减少了所述反射金属层反射的环境光的出射量，继而解决了所述OLED显示面板出现眩光的问题。

但是所述线性偏振片还会吸收所述OLED显示面板中显示子像素50％的出射光，降低了所述OLED显示面板的出光效率，并且所述线性偏振片是多层膜结构，其抗挠曲性很差，很难应用在柔性显示装置中。

技术实现要素：

为解决上述技术问题，本发明提供了一种OLED显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法，以实现不需要设置线性偏振片即可解决OLED显示面板的眩光问题，从而提高所述OLED显示面板的出光效率，并提高应用所述阵列基板的OLED显示面板的抗挠曲性的目的。

为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种阵列基板，应用于有机电致发光二极管OLED显示面板，所述阵列基板包括：

第一基板；

像素驱动膜层，位于所述第一基板表面；

平坦层，位于所述像素驱动膜层背离所述第一基板一侧；

第一像素定义层，位于所述平坦层背离所述第一基板一侧，所述第一像素定义层具有多个像素凹槽；

反射层，位于所述第一像素定义层背离所述第一基板一侧，所述反射层背离所述第一基板一侧具有粗糙表面；

阳极层，位于所述反射层背离所述第一基板一侧，所述反射层及所述阳极层完全覆盖所述像素凹槽；

第二像素定义层，位于所述阳极层背离所述第一基板一侧，且所述第二像素定义层至少覆盖所述阳极层在所述像素凹槽侧壁部分的表面。

可选的，所述反射层的粗糙表面的粗糙度Rz大于或等于1nm。

可选的，所述第一像素定义层与所述平坦层的材质相同。

可选的，所述反射层为具有粗糙表面的金属层。

可选的，所述像素凹槽背离所述第一基板一侧表面具有粗糙表面。

可选的，所述像素驱动膜层包括：位于所述第一基板表面沿第一方向排列的多条栅极线、沿第二方向排列的多条数据线以及位于所述栅极线与所述数据线限定区域中的薄膜晶体管，所述第一方向与所述第二方向交叉，其中，每个所述薄膜晶体管的漏极与其对应的显示子像素的阳极电连接。

可选的，还包括：

发光材料层，位于所述阳极层背离所述第一基板一侧表面；

阴极层，位于所述发光材料层背离所述第一基板一侧；

所述阳极层包括多个阵列排布的阳极，所述发光材料层包括与所述多个阳极一一对应的多个发光结构，所述阴极层、所述多个阳极和所述多个发光结构构成多个显示子像素。

一种阵列基板的制备方法，包括：

提供第一基板；

在所述第一基板表面依次形成像素驱动膜层和平坦层；

在所述平坦层背离所述第一基板一侧表面形成具有多个像素凹槽的第一像素定义层；

在所述第一像素定义层背离所述第一基板一侧表面形成具有粗糙表面的反射层；

在所述反射层背离所述第一基板一侧形成阳极层，并对所述反射层和阳极层进行刻蚀，刻蚀后的所述反射层和所述阳极层完全覆盖所述像素凹槽；

在所述阳极层背离所述第一基板一侧表面形成第二像素定义层，所述第二像素定义层至少覆盖所述阳极层在所述像素凹槽侧壁部分的表面。

可选的，所述在所述平坦层背离所述第一基板一侧表面形成具有多个像素凹槽的第一像素定义层包括：

在所述平坦层背离所述第一基板一侧表面形成光敏材料层；

利用掩膜板对所述光敏材料层进行曝光，并对曝光后的光敏材料层进行显影，形成具有多个像素凹槽的第一像素定义层。

可选的，所述在所述平坦层背离所述第一基板一侧表面形成光敏材料层包括：

在所述平坦层背离所述第一基板一侧表面形成与所述平坦层材质相同的光敏材料层。

可选的，所述在所述平坦层背离所述第一基板一侧表面形成具有多个像素凹槽的第一像素定义层包括：

在所述平坦层背离所述第一基板一侧表面设置半色调掩膜板；

利用所述半色调掩膜板对所述平坦层进行曝光，并对曝光后的平坦层进行显影，形成具有多个像素凹槽的第一像素定义层。

可选的，所述在所述第一像素定义层背离所述第一基板一侧表面形成具有粗糙表面的反射层包括：

对所述多个第一像素定义层背离所述第一基板一侧表面进行粗糙化处理；

在经过粗糙化处理的第一像素定义层背离所述第一基板一侧表面形成反射层。

可选的，所述在所述第一像素定义层背离所述第一基板一侧表面形成具有粗糙表面的反射层包括：

在所述第一像素定义层背离所述第一基板一侧表面形成反射层；

对所述反射层背离所述第一基板一侧表面进行粗糙化处理。

可选的，所述阳极层包括多个阵列排布的阳极；

所述在所述阳极层背离所述第一基板一侧表面形成第二像素定义层之后还包括：

在所述阳极层背离所述第一基板一侧表面形成发光材料层，所述发光材料层包括与所述多个阳极一一对应的多个发光结构；

在所述发光材料层背离所述第一基板一侧表面形成阴极层，所述阴极层、所述多个阳极和所述多个发光结构构成多个显示子像素。

一种OLED显示面板，包括：相对设置的对置基板和阵列基板，其中，所述阵列基板为上述任一项所述的阵列基板。

一种显示装置，包括至少一个如上述一项所述的OLED显示面板。

从上述技术方案可以看出，本发明实施例提供了一种OLED显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法，其中，所述阵列基板的第一像素定义层具有多个像素凹槽，所述反射层位于所述第一像素定义层背离所述第一基板一侧且完全覆盖所述像素凹槽，这样所述OLED显示面板的显示子像素的发射光会在所述像素凹槽底面和侧壁的反射层表面进行多次反射，直至从所述像素凹槽中出射，而不会被所述第一像素定义层吸收，从而提升了所述显示子像素的出射光的利用效率；另外，所述反射层背离所述第一基板一侧具有粗糙表面，入射的环境光不会经过所述反射层形成镜面反射，从而不会出现眩光问题，避免了采用线性偏振片来解决眩光问题而出现的线性偏振片吸收所述OLED显示面板的显示子像素出射光的问题，提升了应用所述阵列基板的OLED显示面板的显示子像素的出光效率，并且提升了所述OLED显示面板的抗挠曲性，进而使其可以应用于柔性显示装置中。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请的一个实施例提供的一种阵列基板的截面结构示意图；

图2为本申请的一个实施例提供的一种平坦层、第一像素定义层、第二像素定义层、反射层及阳极层的截面结构示意图；

图3为本申请的一个实施例提供的一种像素驱动膜层的俯视结构示意图；

图4为本申请的一个实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；

图5为本申请的另一个实施例提供的一种平坦层、第一像素定义层、第二像素定义层、反射层及阳极层的截面结构示意图；

图6为本申请的一个实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；

图7为本申请的另一个实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；

图8为本申请的又一个实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；

图9为本申请的再一个实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；

图10为本申请的一个优选实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；

图11为本申请的另一个优选实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本申请实施例提供了一种阵列基板，应用于有机电致发光二极管OLED显示面板，如图1和图2所示，图1为阵列基板的截面结构示意图，图2为平坦层30、第一像素定义层40、阳极层、反射层和第二像素定义层50的截面结构示意图，阵列基板包括：

第一基板10；

像素驱动膜层20，位于第一基板10表面；

平坦层30，位于像素驱动膜层20背离第一基板10一侧；

第一像素定义层40，位于平坦层30背离第一基板10一侧，第一像素定义层40具有多个像素凹槽；

反射层，位于第一像素定义层40背离第一基板10一侧，反射层背离第一基板10一侧具有粗糙表面70；

阳极层，位于反射层背离第一基板10一侧，反射层及阳极层完全覆盖像素凹槽；

第二像素定义层50，位于阳极层背离第一基板10一侧，且第二像素定义层50至少覆盖阳极层在像素凹槽侧壁部分的表面。

需要说明的是，在实际的制作过程中，阳极层和反射层通过一次刻蚀工艺形成，因此阳极层和反射层的形状完全一致，在附图2中，以标号60表示阳极层和反射层。

本发明的一个具体实施例提供了一种像素驱动膜层20的具体构成如图3所示，图3为像素驱动膜层20的结构示意图，该像素驱动膜层20包括：

位于第一基板10表面沿第一方向排列的多条栅极线22、沿第二方向排列的多条数据线21，以及位于栅极线22与数据线21限定区域中的显示子像素23(Thin Film Transistor，TFT)，第一方向与第二方向交叉，其中，薄膜晶体管的栅极G与栅极线22连接，源极S与数据线21连接，每个薄膜晶体管的漏极D与其对应的显示子像素23的阳极电连接；在显示过程中，薄膜晶体管在栅极线22的控制下，将数据线21输入的数据显示信号提供给与薄膜晶体管对应的显示子像素23。

在本实施例中，像素定义层的多个像素凹槽用于设置OLED显示面板的显示子像素23，薄膜晶体管的漏极D通过像素凹槽及像素电极与显示子像素23的阳极实现电连接。

需要说明的是，薄膜晶体管可以是顶栅型薄膜晶体管，也可以是底栅型薄膜晶体管，本发明对此并不做限定，具体视实际情况而定。其中，顶栅和底栅是指薄膜晶体管的栅极G相对于有源层(或称为沟道区)的位置而定的，即：相对第一基板10，当栅极G靠近第一基板10，有源层远离第一基板10时，薄膜晶体管为底栅性薄膜晶体管，当栅极G远离第一基板10，有源层靠近第一基板10时，薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。

下面将以底栅型薄膜晶体管为例对薄膜晶体管的结构进行说明，参考图4，图4为本发明的一个实施例提供的一种底栅型薄膜晶体管的结构示意图；在图4中，有源层CR位于薄膜晶体管的栅极G远离第一基板10一侧，且位于薄膜晶体管的源极S和漏极D之间，有源层CR的制作材料为半导体材料，半导体材料为非晶硅、低温多晶硅、金属氧化物或低温多晶氧化物；有源层CR与栅极G之间设置有栅绝缘层GI，且有源层CR设置于栅极G的正上方，即有源层CR在第一基板10上的投影覆盖栅极G在第一基板10上的投影，其中，栅绝缘层GI可以为氮化硅层或氧化硅层，薄膜晶体管的栅极G与第一基板10之间具有缓冲层BF。

此外，图3中示出的阵列基板还包括数据驱动电路24和栅极驱动电路25。数据驱动电路24与数据线21连接，数据驱动电路24用于在显示阶段通过数据线21向显示像素23输入数据显示信号，以控制显示面板进行显示；栅极驱动电路25与栅极线22相连，用于在显示阶段通过栅极线22向薄膜晶体管提供扫描信号，以控制薄膜晶体管的开启或关闭。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，反射层的粗糙表面70的粗糙度Rz大于或等于1nm。

需要说明的是，本实施例对反射层的粗糙表面70的粗糙度进行了限定，一般情况下，当反射层的粗糙表面70的粗糙度Rz在1nm以上时，反射层就不会对环境光进行镜面反射，从而避免出现眩光的现象。本申请实施例以粗糙度Rz对反射层的粗糙表面70进行了定量说明，还可以转换为粗糙度Ra或粗糙度Ry对反射层的粗糙表面70的粗糙度进行限定。在本申请的一个实施例中，反射层的粗糙表面70的粗糙度Rz为5nm，在本申请的另一个实施例中，反射层的粗糙表面70的粗糙度Rz为10nm。本申请对反射层的粗糙表面70的粗糙度的具体取值并不做限定，具体视实际情况而定。

在本实施例中，当反射层的粗糙表面70的粗糙度Rz大于或等于1nm时就只会对环境光形成漫反射，而不会形成镜面反射，从而避免了应用该阵列基板的OLED显示面板的眩光问题的出现。

在上述实施例的基础上，在本申请的另一个实施例中，第一像素定义层40与平坦层30的材质相同。

需要说明的是，采用与平坦层30相同的材质制备第一像素定义层40可以避免其他种类的光敏材料对平坦层30可能造成的影响，另外，当第一像素定义层40与平坦层30采用相同的材质制备时，第一像素定义层40和平坦层30可以同时制备，然后利用半色调掩膜板进行曝光显影即可形成第一像素定义层40。但在本申请的其他实施例中，第一像素定义层40还可以采用其他种类的光敏材料制备，本申请对第一像素定义层40具体采用的材质种类并不做限定，具体视实际情况而定。

在上述实施例的基础上，在本申请的又一个实施例中，反射层为具有粗糙表面的金属层。

需要说明的是，在本实施例中，反射层通过在第一像素定义层40表面先形成一层金属层，然后对金属层进行粗糙化处理，形成反射层的粗糙表面70。但是在本申请的另一个实施例中，如图5所示，图5为平坦层30、第一像素定义层40、第二像素定义层50、反射层及阳极层的截面结构示意图，在本实施例中，像素凹槽背离第一基板10一侧表面具有粗糙表面41，这样直接在像素凹槽表面形成一层金属层之后，金属层即可具有粗糙表面70。这是因为形成的金属层一般较薄，通常在170nm左右，这样覆盖具有粗糙表面41的像素凹槽的金属层就会直接呈现出粗糙表面70。本申请对反射层的粗糙表面70的具体形成方式并不做限定，具体视实际情况而定。

还需要说明的是，像素凹槽的粗糙表面41的粗糙度取值大于或等于反射层的粗糙表面70的粗糙度取值即可；但优选的，像素凹槽的粗糙表面41的粗糙度取值大于反射层的粗糙表面70的粗糙度取值，以确保直接制备在像素凹槽表面的反射层直接呈现的粗糙表面70具有足够的粗糙度，从而避免反射层对光线产生镜面反射，进而避免应用该阵列基板的OLED显示面板的眩光问题的出现。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个具体实施例中，阵列基板还包括：

发光材料层，位于阳极层背离第一基板10一侧表面；

阴极层，位于发光材料层背离第一基板10一侧；

阳极层包括多个阵列排布的阳极，发光材料层包括与多个阳极一一对应的多个发光结构，阴极层、多个阳极和多个发光结构构成多个显示子像素23。

需要说明的是，多个显示子像素23包括多个第一子像素、多个第二子像素和多个第三子像素，其中，第一子像素、第二子像素和第三子像素可以分别对应于红色发光子像素、绿色发光子像素和蓝色发光子像素中的一种，其具体的对应关系在此不做限定。多个显示子像素23构成多个显示像素，其中，每个显示像素都包括一个第一子像素、一个第二子像素和一个第三子像素。

还需要说明的是，覆盖阳极层在像素凹槽侧壁部分表面的第二像素定义层50用于防止出现显示子像素23各层与反射层或阳极层电连接，从而短路的情况出现。

相应的，本申请实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，如图6所示，图6为阵列基板制备方法的流程示意图，包括以下步骤：

提供第一基板10。

在第一基板10表面依次形成像素驱动膜层20和平坦层30。

在平坦层30背离第一基板10一侧表面形成具有多个像素凹槽的第一像素定义层40。

在第一像素定义层40背离第一基板10一侧表面形成具有粗糙表面70的反射层。

在反射层背离第一基板10一侧形成阳极层，并对反射层和阳极层进行刻蚀，刻蚀后的反射层和阳极层完全覆盖像素凹槽。

在阳极层背离第一基板10一侧表面形成第二像素定义层50，第二像素定义层50至少覆盖阳极层在像素凹槽侧壁部分的表面。

需要说明的是，第一基板10可以为柔性塑料基板、玻璃基板或石英基板，本发明对第一基板10的具体种类并不做限定，具体视实际情况而定。

参考图3，图3为像素驱动膜层20的结构示意图，该像素驱动膜层20包括：

位于第一基板1010表面沿第一方向排列的多条栅极线22、沿第二方向排列的多条数据线21，以及位于栅极线22与数据线21限定区域中的显示子像素23(Thin Film Transistor，TFT)，第一方向与第二方向交叉，其中，薄膜晶体管的栅极G与栅极线22连接，源极S与数据线21连接，每个薄膜晶体管的漏极D与其对应的显示子像素23的阳极电连接；在显示过程中，薄膜晶体管在栅极线22的控制下，将数据线21输入的数据显示信号提供给与薄膜晶体管对应的显示子像素23。

在本实施例中，像素定义层的多个像素凹槽用于设置OLED显示面板的显示子像素23，薄膜晶体管的漏极D通过像素凹槽及像素电极与显示子像素23的阳极实现电连接。

需要说明的是，薄膜晶体管可以是顶栅型薄膜晶体管，也可以是底栅型薄膜晶体管，本发明对此并不做限定，具体视实际情况而定。其中，顶栅和底栅是指薄膜晶体管的栅极G相对于有源层(或称为沟道区)的位置而定的，即：相对第一基板10，当栅极G靠近第一基板10，有源层远离第一基板10时，薄膜晶体管为底栅性薄膜晶体管，当栅极G远离第一基板10，有源层靠近第一基板10时，薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。

下面将以底栅型薄膜晶体管为例对薄膜晶体管的结构进行说明，参考图4，图4为本发明的一个实施例提供的一种底栅型薄膜晶体管的结构示意图；在图4中，有源层CR位于薄膜晶体管的栅极G远离第一基板10一侧，且位于薄膜晶体管的源极S和漏极D之间，有源层CR的制作材料为半导体材料，半导体材料为非晶硅、低温多晶硅、金属氧化物或低温多晶氧化物；有源层CR与栅极G之间设置有栅绝缘层GI，且有源层CR设置于栅极G的正上方，即有源层CR在第一基板10上的投影覆盖栅极G在第一基板10上的投影，其中，栅绝缘层GI可以为氮化硅层或氧化硅层，薄膜晶体管的栅极G与第一基板10之间具有缓冲层BF。

此外，图3中示出的阵列基板还包括数据驱动电路24和栅极驱动电路25。数据驱动电路24与数据线21连接，数据驱动电路24用于在显示阶段通过数据线21向显示像素23输入数据显示信号，以控制显示面板进行显示；栅极驱动电路25与栅极线22相连，用于在显示阶段通过栅极线22向薄膜晶体管提供扫描信号，以控制薄膜晶体管的开启或关闭。

还需要说明的是，第一像素定义层40的多个像素凹槽用于设置OLED显示面板的显示子像素，薄膜晶体管的漏极通过像素凹槽及像素电极与显示子像素的阳极实现电连接。

完全覆盖像素凹槽的反射层可以使OLED显示面板的显示子像素的发射光在像素凹槽底面和侧壁的反射层表面进行多次反射，直至从像素凹槽中出射，而不会被第一像素定义层40吸收，从而提升了显示子像素的出射光的利用效率。

覆盖阳极层在像素凹槽侧壁部分表面的第二像素定义层50用于防止出现显示子像素各层与反射层或阳极层电连接，从而短路的情况出现。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，反射层的粗糙表面70的粗糙度Rz大于或等于1nm。

需要说明的是，本实施例对反射层的粗糙表面70的粗糙度进行了限定，一般情况下，当反射层的粗糙表面70的粗糙度Rz在1nm以上时，反射层就不会对环境光进行镜面反射，从而避免出现眩光的现象。本申请实施例以粗糙度Rz对反射层的粗糙表面70进行了定量说明，还可以转换为粗糙度Ra或粗糙度Ry对反射层的粗糙表面70的粗糙度进行限定。在本申请的一个实施例中，反射层的粗糙表面70的粗糙度Rz为5nm，在本申请的另一个实施例中，反射层的粗糙表面70的粗糙度Rz为10nm。本申请对反射层的粗糙表面70的粗糙度的具体取值并不做限定，具体视实际情况而定。

在本实施例中，当反射层的粗糙表面70的粗糙度Rz大于或等于1nm时就会大大降低对环境光形成的漫反射，而减少形成镜面反射，从而有效改善了应用该阵列基板的OLED显示面板的眩光问题的出现。

在上述实施例的基础上，在本申请的一个实施例中，参考图7，图7为阵列基板制备方法的流程示意图，在平坦层30背离第一基板10一侧表面形成具有多个像素凹槽的第一像素定义层40包括：

在平坦层30背离第一基板10一侧表面形成光敏材料层；

利用掩膜板对光敏材料层进行曝光，并对曝光后的光敏材料层进行显影，形成具有多个像素凹槽的第一像素定义层40。

优选的，在平坦层30背离第一基板10一侧表面形成光敏材料层包括：

在平坦层30背离第一基板10一侧表面形成与平坦层30材质相同的光敏材料层。

需要说明的是，采用与平坦层30相同的材质制备第一像素定义层40可以避免其他种类的光敏材料对平坦层30可能造成的影响，另外，当第一像素定义层40与平坦层30采用相同的材质制备时，第一像素定义层40和平坦层30可以同时制备，然后利用半色调掩膜板进行曝光显影即可形成第一像素定义层40。但在本申请的其他实施例中，第一像素定义层40还可以采用其他种类的光敏材料制备，本申请对第一像素定义层40具体采用的材质种类并不做限定，具体视实际情况而定。

具体地，参考图8，图8为阵列基板的制备方法的流程示意图，在本申请的其他实施例中，在平坦层30背离第一基板10一侧表面形成具有多个像素凹槽的第一像素定义层40通过以下方法实现：

在平坦层30背离第一基板10一侧表面设置半色调掩膜板；

利用半色调掩膜板对平坦层30进行曝光，并对曝光后的平坦层30进行显影，形成具有多个像素凹槽的第一像素定义层40。

本申请对形成第一像素定义层40采用的具体方式并不做限定，具体视实际情况而定。

在上述实施例的基础上，参考图9，图9为阵列基板的制备方法的流程示意图，本申请的一个具体实施例提供了一种在第一像素定义层40背离第一基板10一侧表面形成具有粗糙表面70的反射层的方法，包括：

在第一像素定义层40背离第一基板10一侧表面形成反射层；

对反射层背离第一基板10一侧表面进行粗糙化处理。

但在本申请的其他实施例中，参考图10，图10为阵列基板的制备方法的流程示意图，在第一像素定义层40背离第一基板10一侧表面形成具有粗糙表面70的反射层还可以通过如下方式实现，具体包括：

对多个第一像素定义层40背离第一基板10一侧表面进行粗糙化处理；

在经过粗糙化处理的第一像素定义层40背离第一基板10一侧表面形成反射层。

如图5所示，图5为平坦层30、第一像素定义层40、第二像素定义层50、反射层及阳极层的截面结构示意图，在本实施例中，像素凹槽背离第一基板10一侧表面具有粗糙表面41，这样直接在像素凹槽表面形成一层金属层之后，金属层即可具有粗糙表面70。这是因为形成的金属层一般较薄，通常在170nm左右，这样覆盖具有粗糙表面41的像素凹槽的金属层就会直接呈现出粗糙表面70。本申请对反射层的粗糙表面70的具体形成方式并不做限定，具体视实际情况而定。

还需要说明的是，像素凹槽的粗糙表面41的粗糙度取值大于或等于反射层的粗糙表面70的粗糙度取值即可；但优选的，像素凹槽的粗糙表面41的粗糙度取值大于反射层的粗糙表面70的粗糙度取值，以确保直接制备在像素凹槽表面的反射层直接呈现的粗糙表面70具有足够的粗糙度，从而避免反射层对光线产生镜面反射，进而避免应用该阵列基板的OLED显示面板的眩光问题的出现。

在上述实施例的基础上，在本申请的另一个具体实施例中，阳极层包括多个阵列排布的阳极；参考图11，图11为阵列基板的制备方法的流程示意图，在阳极层背离第一基板10一侧表面形成第二像素定义层50之后还包括：

在阳极层背离第一基板10一侧表面形成发光材料层，发光材料层包括与多个阳极一一对应的多个发光结构；

在发光材料层背离第一基板10一侧表面形成阴极层，阴极层、多个阳极和多个发光结构构成多个显示子像素。

需要说明的是，多个显示子像素包括多个第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中，第一子像素、第二子像素和第三子像素可以分别对应于红色发光子像素、绿色发光子像素和蓝色发光子像素中的一种，其具体的对应关系在此不做限定。多个显示子像素构成多个显示像素，其中，每个显示像素都包括一个第一子像素、一个第二子像素和一个第三子像素。

相应的，本申请实施例还提供了一种OLED显示面板，包括：相对设置的对置基板和阵列基板，其中，阵列基板为上述任一实施例的阵列基板。

相应的，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括至少一个如上述实施例的OLED显示面板。

综上所述，本申请实施例提供了一种OLED显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法，其中，阵列基板的第一像素定义层40具有多个像素凹槽，反射层位于第一像素定义层40背离第一基板10一侧且完全覆盖像素凹槽，这样OLED显示面板的显示子像素的发射光会在像素凹槽底面和侧壁的反射层表面进行多次反射，直至从像素凹槽中出射，而不会被第一像素定义层40吸收，从而提升了显示子像素的出射光的利用效率；另外，反射层背离第一基板10一侧具有粗糙表面70，入射的环境光不会经过反射层形成镜面反射，从而不会出现眩光问题，避免了采用线性偏振片来解决眩光问题而出现的吸收显示子像素出射光的问题，提升了应用阵列基板的OLED显示面板的显示子像素的出光效率，并且提升了OLED显示面板的抗挠曲性，进而使其可以应用于柔性显示装置中。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。