发光装置的制作方法

文档序号:11592954阅读:154来源:国知局

本发明涉及发光装置。



背景技术:

对于近年来的发光二极管,随着其品质的提高,以各种方式用于普通照明领域、车载照明领域等。发光装置所要求的性能日益提高,谋求进一步的高输出化、高可靠性。

例如,如专利文献1所示,提出有如下的发光装置,该发光装置具备:形成有凹部的壳体、配置于该凹部的底面的金属引线、配置于该金属引线配线上的led芯片、以及以使该led芯片露出的方式设于壳体的凹部内的第一密封层。该发光装置通过在壳体的凹部内设置光反射性树脂,从而提高从发光元件释放出的光的反射率,即便在金属引线发生了变色的情况下,也能够防止光取出效率的降低。

在先技术文献

专利文献1:日本特开2010-232203号公报

然而,在专利文献1中提出的发光装置的发光元件的侧面被光反射性树脂覆盖。因此,关于发光装置的光取出效率,还存在进一步的改善的余地。



技术实现要素:

本发明所涉及的实施方式的目的在于,提供一种提高了光取出效率的发光装置。

本发明的实施方式所涉及的发光装置具备:发光元件,其在同一面侧具有第一电极和第二电极;基体,其具备第一导电构件和第二导电构件;第一接合构件,其以金属材料作为主要成分,且将所述第一电极与所述第一导电构件电连接;第二接合构件,其以金属材料作为主要成分,且将所述第二电极与所述第二导电构件电连接;以及光反射构件,其覆盖所述第一导电构件和第二导电构件中的至少一部分,所述第一导电构件具备:第一宽幅部,其与所述第一电极相面对;以及第一窄幅部,其宽度比所述第一宽幅部窄,且从所述第一宽幅部向远离所述第二电极的方向延伸,所述第二导电构件具备:第二宽幅部,其与所述第二电极相面对;以及第二窄幅部,其宽度比所述第二宽幅部窄,且从所述第二宽幅部向远离所述第一电极的方向延伸,所述第一接合构件连续地覆盖所述第一宽幅部和所述第一窄幅部,所述第二接合构件连续地覆盖所述第二宽幅部和所述第二窄幅部,所述光反射构件配置为与所述第一接合构件以及所述第二接合构件接触且与所述发光元件分离。

发明效果

根据本发明的一实施方式,能够提供提高了输出的发光装置。

附图说明

图1的(a)是实施方式1所涉及的发光装置的俯视图,图1的(b)是图1的(a)的a-a线处的剖视图。

图2的(a)是实施方式1所涉及的发光装置的基体的俯视图,图2的(b)是从实施方式1所涉及的发光装置中省略了发光元件以及光反射构件的俯视图。

图3的(a)是实施方式2所涉及的发光装置的俯视图,图3的(b)是图3的(a)的b-b线处的剖视图。

图4的(a)是实施方式2所涉及的发光装置的基体的俯视图,图4的(b)是从实施方式2所涉及的发光装置省略了光反射构件的俯视图。

图5的(a)是实施方式3所涉及的发光装置的俯视图,图5的(b)是图5的(a)的c-c线处的剖视图。

图6的(a)是实施方式3所涉及的发光装置的基体以及覆盖构件的俯视图,图6的(b)是图6的(a)的d-d线处的剖视图。

附图标记说明:

10基体;

11第一导电构件;

14第一宽幅部;

15第一窄幅部;

12第二导电构件;

17第二宽幅部;

18第二窄幅部;

19基材;

20发光元件;

21第一电极;

22第二电极;

23支承基板;

24半导体层;

25电极形成面;

26支承基板面;

28光反射膜;

31第一接合构件;

32第二接合构件;

40光反射构件;

50密封构件;

60覆盖构件。

具体实施方式

以下,参照附图,对用于实施本发明的方式进行说明。其中,以下所示的方式例示出用于使本发明的技术思想具体化的发光装置,本发明并不将发光装置限定为以下结构。

另外,本说明书中,并非将技术方案所示的构件确定为实施方式的构件。尤其是实施方式中记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对的配置等在没有特定记载的情况下,并非意在将本发明的范围仅限定于此。需要说明的是,各附图所示的构件的大小、位置关系等有时为了使说明变得明确而夸大示出。此外,在以下的说明中,针对相同的名称、符号而示出相同或同质的构件,并适当省略详细说明。

<实施方式1>

基于图1的(a)、图1的(b)、图2的(a)、以及图2的(b)对本发明的实施方式1所涉及的发光装置1000进行说明。发光装置1000具有发光元件20、基体10以及光反射构件40。

如图1的(b)所示,发光元件20在同一面侧具备第一电极21以及第二电极22。基体10具备第一导电构件11以及第二导电构件12。如图1的(a)所示,第一电极21与第一导电构件11通过以金属材料为主要成分的第一接合构件31而电连接。第二电极22与第二导电构件12通过以金属材料为主要成分的第二接合构件32而电连接。

如图2的(a)所示,第一导电构件11具备第一宽幅部14和第一窄幅部15。第二导电构件12具备第二宽幅部17和第二窄幅部18。如图1的(b)所示,第一宽幅部14与第一电极21相面对。第二宽幅部17与第二电极22相面对。第一窄幅部15的宽度比第一宽幅部14窄,并且从第一宽幅部14向远离第二电极22的方向延伸。第二窄幅部18的宽度比第二宽幅部17窄,并且从第二宽幅部17向远离第一电极21的方向延伸。

如图2的(b)所示,第一接合构件31连续地覆盖第一宽幅部14和第一窄幅部15。第二接合构件32连续地覆盖第二宽幅部17和第二窄幅部18。如图1的(a)所示,光反射构件40覆盖第一导电构件11以及第二导电构件12中的至少一部分。另外,光反射构件40配置为与第一接合构件31以及第二接合构件32接触且与发光元件20分离。

作为第一接合构件31以及第二接合构件32,能够使用以金属材料为主要成分的熔融性的接合构件。第一导电构件11相对于熔融后的第一接合构件31的润湿性比基材19高。因此,熔融后的第一接合构件31在基材19上几乎不会扩展润湿,而在第一导电构件11上扩展润湿。换句话说,熔融后的第一接合构件31扩展润湿的范围与第一导电构件11的形状大体相同。

熔融后的第一接合构件31连续地覆盖作为第一导电构件11的一部分的第一宽幅部14和第一窄幅部15。第一窄幅部15的宽度比第一宽幅部14的宽度窄,因此,熔融后的第一接合构件31在处于xy平面的第一导电构件11上扩展的面积减小。熔融后的第一接合构件31在作为z方向的厚度方向上容易扩展有未在第一导电构件11上扩展润湿的量。因此,与不具备第一窄幅部15的情况相比,能够增加第一接合构件31的厚度。

第二导电构件12相对于熔融后的第二接合构件32的润湿性比基材19高。因此,熔融后的第二接合构件32在基材19上几乎不会扩展润湿,而在第二导电构件12上扩展润湿。换句话说,熔融后的第二接合构件32扩展润湿的范围与第二导电构件12的形状大体相同。

熔融后的第二接合构件32连续地覆盖作为第二导电构件12的一部分的第二宽幅部17和第二窄幅部18。第二窄幅部18的宽度比第二宽幅部17的宽度窄,因此,熔融后的第二接合构件32在处于xy平面的第二导电构件12上扩展的面积变小。熔融后的第二接合构件32在作为z方向的厚度方向上容易扩展有未在第二导电构件12上扩展润湿的量。因此,与不具备第二窄幅部18的情况相比,能够增加第二接合构件32的厚度。

作为光反射构件40的材料,能够使用含有光反射性物质的树脂构件。在基体10上安装发光元件20之后,将固化前的光反射构件40形成为覆盖第一导电构件11以及第二导电构件12中的至少一部分。固化前的光反射构件40在第一导电构件11以及第二导电构件12上扩展润湿。第一导电构件11以及第二导电构件12相对于固化前的光反射构件40的润湿性比第一接合构件31以及第二接合构件32高。因此,熔融后且固化前的光反射构件40在第一接合构件31以及第二接合构件32上几乎不会扩展润湿。由于第一接合构件31以及第二接合构件32形成得较厚,因此,固化前的光反射构件40被第一接合构件31以及第二接合构件32遮挡而能够抑制与发光元件20接触。由此,虽然光反射构件40与第一接合构件31以及第二接合构件32接触,但与发光元件20分离而形成。

由于发光元件20的侧面未与光反射构件40接触,因此能够提高发光装置的光取出效率。另外,由于发光元件20的侧面未与光反射构件40接触,因此,来自发光元件20的侧面的光难以被光反射构件40遮挡,能够改善发光装置的配光特性。需要说明的是,由于发光元件20载置于第一接合构件31以及第二接合构件32上,因此,即便第一接合构件31以及第二接合构件32的厚度变厚,来自发光元件20的侧面的光也难以被第一接合构件31以及第二接合构件32遮挡。

第一窄幅部15的宽度w12是指,在俯视观察下,第一窄幅部15在与第一窄幅部15从第一宽幅部14延伸的方向垂直的方向上的宽度。第一宽幅部14的宽度w11是指,在俯视观察下,第一宽幅部14在与第一窄幅部15从第一宽幅部14延伸的方向垂直的方向上的宽度。第二窄幅部18的宽度w22是指,在俯视观察下,第二窄幅部18在与第二窄幅部18从第二宽幅部17延伸的方向垂直的方向上的宽度。第二宽幅部17的宽度w21是指,在俯视观察下,第二宽幅部17在与第二窄幅部18从第二宽幅部17延伸的方向垂直的方向上的宽度。

<基体10>

基体10用于配置发光元件、保护元件等电子部件,基体10具备绝缘性的基材19、以及导电性的第一导电构件11和第二导电构件12。需要说明的是,有时将第一导电构件11以及第二导电构件12一并记载为导电构件。

作为基材19,举出树脂、陶瓷等。作为基材19的树脂材料,举出环氧树脂、硅树脂、bt树脂、聚酰业胺树脂、不饱和聚酯树脂等热固化性树脂、聚邻苯二甲酰胺树脂、尼龙树脂等热可塑性树脂、以及它们的改性树脂或者包含1种以上这些树脂的混合树脂等。作为基材19的陶瓷材料,举出氧化铝、氮化铝等。另外,基材19可以是单层构造,也可以是层叠构造。另外,这些基材19也可以含有该领域中公知的着色剂、填充剂、强化纤维等。

基材19也可以使用具有挠性的构件。作为具有挠性的构件,例如优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、环氧玻璃等材料。由于基材19具有挠性,因此能够利用卷筒等以卷绕成辊状的状态进行保管,并且能够沿着曲面进行安装。

位于发光元件20的下侧的基材19相对于发光元件的峰值波长的反射率优选高于第一导电构件11以及第二导电构件12的反射率。由此,从发光元件20射出的光容易被基材19反射,因此,能够提高发光装置的光取出效率。

第一导电构件11以及第二导电构件12用于向发光元件20等电子部件施加来自外部电源的电压。第一导电构件11以及第二导电构件12设于至少与发光元件20相面对的基材19的一个面。另外,第一导电构件11以及第二导电构件12也可以设于基材19的内部、或者设于基材19的与面对发光元件20的面相反的一侧的面。

第一导电构件11具有:与发光元件20的第一电极21相面对的第一宽幅部14、以及宽度比第一宽幅部14窄且从第一宽幅部14向远离发光元件20的第二电极22的方向延伸的第一窄幅部15。第二导电构件12具有:与发光元件20的第二电极22相面对的第二宽幅部17、以及宽度比第二宽幅部17窄且从第二宽幅部17向远离发光元件20的第一电极21的方向延伸的第二窄幅部18。

第一宽幅部14的宽度优选为第一电极21的宽度的0.9倍至2.0倍。在第一宽幅部14的宽度小于第一电极21的宽度的0.9倍的情况下,第一接合构件31与第一宽幅部14的接触面积变小,由此接合强度有可能降低。在第一宽幅部14的宽度大于第一电极21的宽度的2.0倍的情况下,熔融后的第一接合构件31在第一宽幅部14上容易扩展润湿,第一接合构件31的厚度有可能变薄。需要说明的是,第一电极21的宽度是指,在俯视观察下,第一电极21在与第一窄幅部15从第一宽幅部14延伸的方向垂直的方向上的宽度。

第二宽幅部17的宽度优选为第二电极22的宽度的0.9倍至2.0倍。在第二宽幅部17的宽度小于第二电极22的宽度的0.9倍的情况下,第二接合构件32与第二宽幅部17的接触面积变小,因此接合强度有可能降低。在第二宽幅部17的宽度大于第二电极22的宽度的2.0倍的情况下,熔融后的第二接合构件32在第二宽幅部17上容易扩展润湿,第二接合构件32的厚度有可能变薄。需要说明的是,第二电极22的宽度是指,在俯视观察下,第二电极22在与第二窄幅部18从第二宽幅部17延伸的方向成为垂直的方向上的宽度。

作为第一导电构件11以及第二导电构件12,能够通过铜、铝、金、银、钨、铁、镍等金属或者铁-镍合金、磷青铜等合金等而形成。第一导电构件11以及第二导电构件12各自的厚度例如优选为5μm~80μm左右的厚度。

<发光元件20>

发光元件20以倒装芯片的方式安装于在基材19上形成的第一导电构件11以及第二导电构件12上。作为发光元件20的发光颜色,根据用途而能够选择任意波长的发光颜色。例如,作为蓝色(波长430~490nm的光)的发光元件,能够使用氮化物半导体。作为该氮化物半导体,能够使用inxalyga1-x-yn(0≤x≤1,0≤y≤1,x+y≤1)等。需要说明的是,也可以在未安装发光元件20的第一导电构件11以及第二导电构件12上安装保护元件。

发光元件20具备支承基板23、半导体层24、以及配备于半导体层24的同一面侧的第一电极21和第二电极22。将发光元件20的具有第一电极21以及第二电极22的面设为电极形成面25,将电极形成面25的相反侧的面设为支承基板面26。支承基板23能够使用透光性的材料,因此,作为支承基板23的一个面的支承基板面26和支承基板23的侧面能够取出来自半导体层24的光。需要说明的是,有时将第一电极21以及第二电极22一并记载为电极。

发光元件20在导电构件上依次配置电极、半导体层24、支承基板23。第一电极21以及第二电极22的形状能够形成为大致矩形、圆形等各种形状。第一电极21以及第二电极22的材料具有导电性即可,能够使用公知的材料。

优选发光元件20的侧面位于第一窄幅部15以及第二窄幅部18的上方。换言之,在俯视观察下,优选发光元件20的侧面与第一窄幅部15以及第二窄幅部18重叠。这样一来,熔融后的第一接合构件以及第二接合构件容易形成在第一窄幅部15以及第二窄幅部18上。由此,第一接合构件以及第二接合构件的厚度容易变厚。需要说明的是,发光元件20的侧面是指位于电极形成面25与支承基板面26之间的面。

在俯视观察下,优选第一宽幅部14以及第二宽幅部17位于发光元件的侧面的内侧。换言之,在俯视观察下,优选发光元件20的侧面不与第一宽幅部14以及第二宽幅部17重叠。

<第一接合构件31以及第二接合构件32>

第一接合构件31以及第二接合构件32是用于使基体10的导电构件与发光元件20电连接且将发光元件20固定于导电构件上的构件。需要说明的是,有时将第一接合构件31以及第二接合构件32一并记载为接合构件。

作为第一接合构件31以及第二接合构件32的材料,能够使用以金属材料为主要成分的熔融性的接合构件。作为第一接合构件31以及第二接合构件32的材料,能够使用公知的材料,例如具有sn-cu、sn-ag-cu、au-sn等钎料等。

第一接合构件31配置为,至少夹设于第一电极21与第一宽幅部14之间,并且连续地覆盖第一宽幅部14和第一窄幅部15。第二接合构件32配置为,至少夹设于第二电极22与第二宽幅部17之间,并且连续地覆盖第二宽幅部17和第二窄幅部18。

第一窄幅部15的宽度优选为第一宽幅部14的宽度的0.3~0.8倍,进一步优选为0.4~0.6倍。通过将第一窄幅部15的宽度设在该范围内,散热性高,且容易增加第一接合构件31的厚度。第二窄幅部18的宽度优选为第二宽幅部17的宽度的0.3~0.8倍,进一步优选为0.4~0.6倍。通过将第二窄幅部18的宽度设在该范围内,散热性高,且容易增加第二接合构件32的厚度。

第一接合构件31以及第二接合构件32各自的厚度优选为10~200μm。在第一接合构件31以及第二接合构件32各自的厚度比10μm厚的情况下,容易抑制固化前的光反射构件40与发光元件20接触。在第一接合构件31以及第二接合构件32各自的厚度比200μm薄的情况下,难以通过驱动时施加的力等在第一接合构件31以及第二接合构件32上产生裂缝。

<光反射构件40>

光反射构件40用于反射从发光元件20射出的光,且覆盖第一导电构件11以及第二导电构件12中的至少一部分。通过使光反射构件40相对于发光元件20的峰值波长的反射率高于第一导电构件11以及第二导电构件12相对于发光元件20的峰值波长的反射率,能够提高发光装置的光取出效率。

通过光反射构件40覆盖第一导电构件11以及第二导电构件12,能够抑制因第一导电构件11以及第二导电构件12的变色而引起的发光装置的光取出效率的降低。

作为光反射构件40的材料,能够使用含有光反射性物质的树脂构件。作为光反射构件40的树脂构件,例如举出环氧树脂、硅树脂、改性硅、聚氨酯树脂、氧杂环丁烷树脂、氟树脂、丙烯酸、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚邻苯二甲酰胺等。作为光反射性物质,例如举出氧化钛、氧化锆、氧化铝、氧化硅等。

在使发光元件20借助第一接合构件31以及第二接合构件32而载置于基体10上之后,将固化前的光反射构件40形成于发光元件20的附近、且第一导电构件以及第二导电构件上。然后,通过固化而形成光反射构件40。固化前的光反射构件40由于在第一导电构件11以及第二导电构件12上扩展润湿,因此有可能与发光元件20接触。光反射构件40用于反射发光元件20的光,但当与发光元件20接触时,从发光元件20射出的光被光反射构件40遮挡,因此有可能降低发光装置的光取出效率。

第一导电构件11具备第一宽幅部14和第一窄幅部15,第二导电构件12具备第二宽幅部17和第二窄幅部18,因此,如上述那样,第一接合构件31以及第二接合构件32的厚度容易变厚。因此,即便固化前的光反射构件40在第一导电构件11以及第二导电构件12上扩展润湿,也被厚度较厚的第一接合构件31以及第二接合构件32遮挡,能够抑制光反射构件40与发光元件20接触。第一接合构件31以及第二接合构件32相对于固化前的光反射构件40的润湿性比第一导电构件11以及第二导电构件12低。固化前的光反射构件40难以在第一接合构件31以及第二接合构件32上扩展润湿,因此,配置于第一接合构件31以及第二接合构件32上的发光元件20难以与固化前的光反射构件40接触。由此,虽然光反射构件40与第一接合构件31以及第二接合构件32接触,但与发光元件20分离而形成。

光反射构件40优选覆盖在与发光元件20相面对的基材19的一个面上设置的第一导电构件11以及第二导电构件12的整个面。这样,能够进一步抑制因第一导电构件11以及第二导电构件12的变色而引起的发光装置的光取出效率的降低。

光反射构件40可以为一个,也可以为多个。如图1的(a)所示,也可以具有分别覆盖第一导电构件11以及第二导电构件12的两个光反射构件40。另外,如后述的图3的(a)所示,也可以具有覆盖第一导电构件11、第二导电构件12以及基材19的一个光反射构件40。

<实施方式2>

图3的(a)以及图3的(b)所示的本实施方式所涉及的发光装置2000与实施方式1所涉及的发光装置1000相比,在第一导电构件11和第二导电构件12的形状、以及光反射构件40包围发光元件20这一点不同。关于其他点,与实施方式1相同。

如图3的(a)所示,光反射构件40以包围发光元件20的方式形成。这样一来,光反射构件40容易覆盖在俯视观察下位于发光元件20的附近的第一导电构件11、第二导电构件12以及基材19。由此,能够进一步抑制从发光元件20射出的光被第一导电构件11、第二导电构件12以及基材19吸收,因此能够提高发光装置的光取出效率。

第一导电构件11以及第二导电构件12的面积较大时容易提高散热性,故是优选的。通过以包围发光元件20的周围的方式配置第一导电构件11和/或第二导电构件12,第一导电构件11以及第二导电构件12的面积容易变大。

例如,如图4的(b)所示,优选第一导电构件11具有以包围发光元件20的周围的方式配置的第一凸部111。第一凸部111是在向与第二导电构件12之间的距离变短的方向配置的、第一导电构件11的一部分。另外,优选第二导电构件12具有以包围发光元件20的周围的方式配置的第二凸部121。第二凸部121是在向与第一导电构件11之间的距离变短的方向配置的、第二导电构件12的一部分。图3的(a)是在图4的(b)上形成了光反射构件40的附图。第一凸部111以及第二凸部121位于光反射构件40的下表面。因此,在俯视观察下未图示出第一凸部111以及第二凸部121。通过具有第一凸部111以及第二凸部121,第一导电构件11以及第二导电构件12的面积变大。容易提高发光装置的散热性。另外,通过使第一凸部111以及第二凸部121位于光反射构件40的下表面,能够抑制因第一导电构件11以及第二导电构件12的变色而引起的发光装置的光取出效率的降低。

第一凸部111可以为一个,也可以为多个。如图4的(a)所示,在第一凸部111具有两个的情况下,优选以第一凸部111夹持第一宽幅部14以及第一窄幅部15的方式形成。这样,容易利用光反射构件40来覆盖第一凸部111。

第二凸部121可以为一个,也可以为多个。如图4的(a)所示,在第二凸部121具有两个的情况下,优选以第二凸部121夹持第二宽幅部17以及第二窄幅部18的方式形成。这样,容易利用光反射构件40来覆盖第二凸部121。

优选将位于光反射构件40的下表面的第一导电构件11与第二导电构件12之间的最短距离d12设为0.2mm~0.6mm。若位于光反射构件40的下表面的第一导电构件11与第二导电构件12之间的最短距离d12为0.2mm以上,则第一导电构件11难以与第二导电构件12发生短路。若位于光反射构件40的下表面的第一导电构件11与第二导电构件12之间的最短距离为0.6mm以下,则能够增大第一导电构件11与第二导电构件12的面积,因此容易提高散热性。

<实施方式3>

图5的(a)以及图5的(b)所示的本实施方式所涉及的发光装置3000与实施方式2所涉及的发光装置2000相比,在具有覆盖构件60、光反射膜28以及密封构件50这一点不同。关于其他点,与实施方式2相同。

<覆盖构件60>

覆盖构件60具备光反射特性,且覆盖位于光反射构件40的外侧的第一导电构件11以及第二导电构件12中的至少一部分。另外,覆盖构件60与发光元件20分离而形成。图6的(a)以及图6的(b)是在图4的(a)所示的基体10上形成有覆盖构件60的附图。由于覆盖构件60与发光元件20分离而形成,因此,优选在将发光元件20载置于基体10之前形成覆盖构件60。这样一来,能够在制造发光装置时减小向发光元件20施加的力。

覆盖构件60能够使用含有对从发光元件20射出的光进行反射的光反射性物质的树脂构件。作为这样的材料,可以优选使用使硅系树脂含有氧化钛的被称为白抗蚀剂的绝缘性的白色墨,但不局限于此。

通过具有覆盖构件60,能够抑制从发光元件20射出的光被第一导电构件11、第二导电构件12以及基材19吸收,因此能够提高发光装置的光取出效率。另外,由于第一导电构件11与第二导电构件12的一部分被覆盖构件60覆盖,因此能够减小形成光反射构件40的面积。

在具备覆盖构件60的情况下,如图5的(a)以及图5的(b)所示,优选利用光反射构件40、覆盖构件60、第一接合构件31以及第二接合构件32覆盖在与发光元件20相面对的基材19的一个面上设置的第一导电构件11以及第二导电构件12的整个面。这样,能够进一步抑制因第一导电构件11以及第二导电构件12的变色而引起的发光装置的光取出效率的降低。

如图5的(a)所示,优选覆盖构件60以包围发光元件20的方式形成。这样,覆盖构件60容易覆盖在俯视观察下位于发光元件20的附近的第一导电构件11、第二导电构件12以及基材19。由此,能够抑制从发光元件20射出的光被第一导电构件11、第二导电构件12以及基材19吸收,因此能够进一步提高发光装置的光取出效率。

由于光反射构件40在安装发光元件20之后形成,因此能够形成在比覆盖构件60靠近发光元件的位置。另外,在光反射构件40和覆盖构件60形成于导电构件上的情况下,在导电构件上,依次配置覆盖构件60、光反射构件40。

在俯视观察下,优选覆盖构件60与发光元件20之间的最短距离为0.3mm~1.0mm以内。在覆盖构件60与发光元件20之间的最短距离大于0.3mm的情况下,即便覆盖构件60的形状、发光元件的安装位置产生偏差,也难以在覆盖构件60上安装发光元件。由于覆盖构件60中不流通电,因此当在覆盖构件60上载置发光元件20时,有可能变得不亮。在覆盖构件60与发光元件20之间的最短距离小于1.0mm的情况下,覆盖构件60覆盖第一导电构件11和第二导电构件12的面积增大,因此能够提高发光装置的光取出效率。

<光反射膜28>

发光元件20也可以具有覆盖支承基板面26的光反射膜28。光反射膜28用于反射从发光元件20射出的光。通过具有覆盖支承基板面26的光反射膜28,使从发光元件20射出的光难以从支承基板面26取出,而容易从位于电极形成面25与支承基板面26之间的侧面取出。由此,与不具备光反射膜28的发光元件相比,具备光反射膜28的发光元件的配光特性好。

对于光反射膜28而言,例如举出在由氧化膜等构成的基底层之上层叠多组由低折射率层和高折射率层构成的一组电介质而成的多层构造。这样,能够选择性地反射规定波长的光。具体地说,通过以从发光元件射出的光的1/4波长的厚度交替地层叠折射率不同的膜,能够高效地反射从发光元件射出的光。作为材料,能够包含从由si、ti、zr、nb、ta、al构成的组中选择出的1种以上的氧化物或者氮化物而形成。在利用氧化膜形成光反射膜的情况下,低折射率层能够采用例如sio2,高折射率层能够采用例如nb2o5、tio2、zro2、ta2o5等。具体地说,从基底层侧依次举出(nb2o5/sio2)n,n为2~5。光反射膜的总膜厚优选为0.2~1μm左右。

<密封构件50>

也可以具有覆盖发光元件20的密封构件50。密封构件50用于保护发光元件20免受尘埃、水分、外力等的破坏。密封构件50优选覆盖第一接合构件31、第二接合构件32、以及光反射构件40。另外,在具备覆盖构件60的情况下,优选密封构件50将覆盖构件60的至少一部分覆盖。这是因为,通过密封构件50能够保护覆盖构件60免受尘埃、水分、外力等的破坏。需要说明的是,密封构件50优选覆盖发光元件20、第一接合构件31、第二接合构件32、以及光反射构件40的整个面。

作为密封构件50,为了使来自发光元件20的光向外部射出,能够使用具有透光性的公知的材料。作为密封构件50的材料,举出硅树脂、环氧树脂等。

密封构件50的形状优选为半球状。这样,容易将从发光元件20射出的光取出到外部,从而提高发光装置的光取出效率。

密封构件50也可以含有光散射材料、波长转换构件。通过使密封构件50含有光散射材料,从发光元件20射出的光被光散射材料散射,能够抑制亮度不均匀。需要说明的是,能够利用光散射材料与密封构件50的折射率差而使光散射。作为光散射材料,能够使用公知的材料,例如举出硫酸钡、氧化钛、氧化铝、氧化硅等。通过含有光散射材料,能够抑制密封构件的表面上的亮度不均匀。

波长转换构件是,将发光元件20发出的第一峰值波长的光波长转换为波长与该第一峰值波长不同的第二峰值波长的光的构件。作为波长转换构件,也可以使用荧光体。作为荧光体,能够使用在该领域中公知的构件。例如,由铈活性后的yag系荧光体、由铈活性后的lag系荧光体、由铕活性后的硅酸盐系荧光体、氮化物系的荧光体(casn系、scasn系、α塞隆系、β塞隆系)、卤素系的荧光体(碱土氯硅酸盐系、ksf系)、硫化物系的荧光体等。另外,也可以使用量子点。这些荧光体也可以组合两种以上进行使用。

特别是,用于液晶显示器、电视机的背光灯等显示装置的发光装置优选组合β塞隆系荧光体和scasn荧光体进行使用。另外,作为照明用途,优选组合yag系或lag系荧光体以及scasn或casn荧光体进行使用。

发光装置的制造方法

接下来,对本实施方式3所涉及的发光装置的制造方法进行说明。

工序1.向基体连接发光元件的工序

准备具备第一导电构件11和第二导电构件12的基体10。基体10也可以具有覆盖构件60,该覆盖构件60除载置发光元件20的位置之外而覆盖第一导电构件11、第二导电构件12以及基材19。覆盖构件60的形成方法通过印刷、喷涂等公知的方法而形成。

借助固化前的第一接合构件31,将发光元件20的第一电极21载置于第一导电构件11上,借助固化前的第二接合构件32,将发光元件20的第二电极22载置于第二导电构件12上。

第一导电构件11具有与发光元件20的第一电极21相面对的第一宽幅部14、以及宽度比第一宽幅部14窄且从第一宽幅部14向远离发光元件20的第二电极22的方向延伸的第一窄幅部15。第二导电构件12具有与发光元件的第二电极22相面对的第二宽幅部17、以及宽度比第二宽幅部17窄且从第二宽幅部17向远离发光元件20的第一电极21的方向延伸的第二窄幅部18。

固化前的第一接合构件31至少设于第一宽幅部14上。固化前的第二接合构件32至少设于第二宽幅部上。

利用回流焊等公知的方法对固化前的第一接合构件31以及第二接合构件32进行加热并使其熔融。然后通过冷却,利用第一接合构件31固定第一电极21和第一导电构件11,利用第二接合构件32固定第二电极22和第二导电构件12。

熔融后的第一接合构件31在第一宽幅部14以及第一窄幅部15上扩展润湿。但是,由于第一窄幅部15的宽度比第一宽幅部14的宽度窄,因此,熔融后的第一接合构件31扩展润湿的面积变小。熔融后的第一接合构件31在厚度方向上容易扩展有未在第一导电构件11上扩展润湿的量。因此,通过具有第一窄幅部15,使第一接合构件31的厚度容易变厚。

熔融后的第二接合构件32在第二宽幅部17以及第二窄幅部18上扩展润湿。但是,由于第二窄幅部18的宽度比第二宽幅部17的宽度窄,因此,熔融后的第二接合构件32扩展润湿的面积变小。熔融后的第二接合构件32在厚度方向上容易扩展有未在第二导电构件12上扩展润湿的量。因此,通过具有第二窄幅部18,使第二接合构件32的厚度容易变厚。

工序2.形成光反射构件的工序

使固化前的光反射构件40从喷嘴喷出并涂敷在发光元件20的周围的第一导电构件11以及第二导电构件12上。另外,固化前的光反射构件40与发光元件20分离而配置。

光反射构件40的固化前的树脂构件的粘度优选在1~20p·s的范围内,更优选将粘度设为3~12pa·s的范围内。通过将树脂构件的粘度设为该范围,容易控制固化前的树脂构件的形状,并且固化前的树脂构件容易在第一导电构件以及第二导电构件上扩展润湿。

固化前的光反射构件40在第一导电构件11以及第二导电构件12上扩展润湿,但由于第一接合构件以及第二接合构件的厚度较厚,因此,能够抑制固化前的光反射构件40与发光元件20接触。换句话说,第一接合构件31以及第二接合构件32通过堵住固化前的光反射构件40而能够抑制固化前的光反射构件40与发光元件20接触。

利用烘烤等公知的方法对固化前的光反射构件40进行加热而使光反射构件40固化。光反射构件40可以完全固化,但在具有后述的密封构件形成工序的情况下,也可以采用将固化前的光反射构件40的形状保留的程度的半固化。

工序3.形成密封构件的工序

形成覆盖发光元件20的密封构件50。通过将固化前的密封构件50涂敷在发光元件20上而形成。然后,利用烘烤等公知的方法对固化前的密封构件50进行加热而使密封构件50固化。

在密封构件50使用树脂材料的情况下,优选将固化前的液状的树脂材料的粘度设在10~1000pa·s的范围内,更优选将粘度设在150~600pa·s的范围内。通过采用该范围的粘度,容易将密封构件50的形状调整为半球状等。

工业实用性

本发明的发光装置能够在液晶显示器的背光灯光源、各种照明器具、各种显示装置、显示器、以及传真机、复印机、扫描仪等的图像读取装置、投影仪装置等广范围的用途中使用。

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