具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构及制备方法与流程

本发明属于微电子技术领域，涉及半导体器件，特别是一种用于碳化硅功率器件的具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构及其制备方法。

背景技术：

近年来，随着微电子技术的不断，Si基电力电子器件在一些如高温、高压、高湿度等极端环境中的应用越来越受到限制。而碳化硅(SiC)材料做为第三代半导体材料的代表，其禁带宽度约是硅材料的3倍，击穿电场是硅材料的8倍，热导率是硅的3倍，极大地提高了SiC器件的耐压容量和电流密度。由于二者材料的特性不同导致SiC材料的击穿电场为Si材料的大约10倍，导致其在相同的击穿电压下，导通电阻只有Si器件的1/100～1/200，极大地降低了SiC器件的导通损耗和开关损耗，在提高系统效率的同时也使器件在高温、高功率、高湿度等恶劣环境中工作更为可靠。因此，SiC器件可以使电力电子系统的功率、温度、频率和抗辐射能力倍增。同时由于碳化硅较高的热导率，可以大大减少系统中散热系统的体积及重量，是系统获得更高的效率。所以，SiC器件不仅在直流、交流输电，不间断电源，开关电源，工业控制等传统工业领域具有广泛应用，而且在太阳能、风能等新能源中也将具有广阔的应用前景。

近年来由于SiC单晶生长以及工艺的成熟，SiC功率器件已经得到了广泛的研究。但是，器件在承受反向高压时在拐角处会不可避免的出现电场集中现象，所以终端结构得到了广泛的应用。其中场限环终端以其工艺简单，可以与主结一起形成等优势被广泛采用。但是，由于SiC材料的关系，场限环结构只能又由子注入工艺形成，且不能像硅材料一样依靠推结工艺达到很高的结深。所以，过小的结深会影响到结的曲率，且其形貌主要由注入设备条件及掩膜决定，而不能自由控制。这样会使场限环拐角处的电场峰值升高，降低器件的可靠性。

技术实现要素：

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种用于碳化硅功率器件的具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构及其制造方法，以主要解决碳化硅传统平面场限环终端结边缘电场过高而影响器件可靠性的问题。

一种具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构，包括：碳化硅衬底层；形成于所述碳化硅衬底层上第一半导体层，所述第一半导体层具有第一导电类型；设置于所述第一半导体层表面的多个沟槽结构，多个沟槽结构间隔设置，每个所述沟槽结构的沟槽侧壁与沟槽底部之间的夹角为90°～145°；覆盖于所述沟槽结构上方的钝化层；多个场限环结构，所述场限环结构具有第二导电类型，每个所述沟槽结构的沟槽侧壁下方与沟槽底部下方均设有一个场限环结构，所述场限环结构设于所述第一半导体层内，且每个沟槽结构下方的所述场限环结构邻靠沟槽侧壁和沟槽底部设置，并包围上方对应的沟槽结构；有源区，所述有源区具有第二导电类型，所述有源区设置于所述第一半导体层内，且与所述钝化层部分接触。

优选地，所述第一半导体层的材料为碳化硅轻掺杂N型半导体材料。

优选地，所述沟槽结构的深度大于0μm小于等于2μm，宽度为1μm～10μm，且多个沟槽结构之间间距为1μm～10μm。

更优选地，所述沟槽结构的深度大于等于0.5μm、小于等于1μm，宽度为100μm～200μm。

优选地，所述场限环结构的深度大于0μm小于等于1μm。

优选地，所述有源区的深度为大于0μm，小于等于1μm。

优选地，所述碳化硅衬底层的厚度为400μm。

本发明还提供了该具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构的制备方法，包括如下步骤：

S1：在碳化硅衬底层上通过外延生长形成具有第一导电类型的第一半导体层；

S2：在第一半导体层表面形成掩模层并光刻开孔，通过等离子体刻蚀控制沟槽侧壁与底部角度，形成多个沟槽结构；

S3：清洗掩模层，在第一半导体层表面形成新的掩模层，通过在沟槽处进行离子注入形成具有第二导电类型的场限环结构，在沟槽一侧进行离子注入形成有源区；

S4：在沟槽表面进行碳膜保护，通过高温退火对注入离子进行激活；

S5：去除碳膜，在沟槽上方形成绝缘钝化层。

本发明针对碳化硅传统平面场限环在承受反向高压情况下其底部拐角电场过高的情况，提供一种新型结构，在传统平面场限环结构的基础上加入可变角度侧壁的沟槽结构，改变了场限环的P-N结结深及形貌，增大了结边缘曲率，缓解了结边缘的电场集中效应，从而提高场限环终端结构在反向耐压时的可靠性。

附图说明

图1为本发明实施例1提供的具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构剖面示意图；

图2为本发明实施例2提供的具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构剖面示意图；

图3为本发明实施例3提供的具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构剖面示意图。

具体实施方式

为了使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案能予以实施，下面结合具体实施例对本发明作进一步说明，但所举实施例不作为对本发明的限定。

一种具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构，碳化硅衬底层101；形成于碳化硅衬底层101上第一半导体层102，第一半导体层102具有第一导电类型；设置于第一半导体层102表面的多个沟槽结构，多个沟槽结构间隔设置，每个沟槽结构的沟槽侧壁104与沟槽底部105之间的夹角为90°～145°；覆盖于多个沟槽结构上方的钝化层106；多个场限环结构103，场限环结构103具有第二导电类型，每个沟槽结构的下方均设有一个场限环结构103，具体的，该场限环结构103位于对应沟槽的沟槽侧壁104下方与沟槽底部105下方，场限环结构103设于第一半导体层102内，且每个沟槽结构下方的场限环结构103邻靠对应沟槽结构的沟槽侧壁104和沟槽底部105设置，并包围上方对应的沟槽结构；有源区107，有源区107具有第二导电类型，有源区107设置于第一半导体层102内，且与钝化层106部分接触。

以下就本发明的技术方案进行具体的举例说明。

实施例1

一种具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构，具体如图1所示，包括碳化硅衬底层101，该衬底层由掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3的N型SiC材料构成，厚度为400μm；形成于碳化硅衬底层101上第一半导体层102，第一半导体层102具有第一导电类型，掺杂浓度5×10¹⁵cm^-3，厚度15μm；第一半导体层102表面设有多个沟槽结构，每个沟槽结构的沟槽侧壁104与沟槽底部105之间的夹角为100°，每个沟槽结构的上部宽度为3μm，深度为1μm，相邻两个沟槽之间的间距为2μm；每个沟槽结构的下方均设有一个场限环结构103，该场限环结构103具有第二导电类型，其宽度为3.5μm，深度为0.7μm，该场限环结构103位于对应沟槽的沟槽侧壁104下方与沟槽底部105下方，场限环结构103设于第一半导体层102内，且每个沟槽结构下方的场限环结构103邻靠对应沟槽结构的沟槽侧壁104和沟槽底部105设置，并包围上方对应的沟槽结构；

该沟槽场限环终端结构还包括有源区107，有源区107具有第二导电类型，有源区107设置于第一半导体层102内，钝化层106覆盖于沟槽结构上方，厚度1.5μm，且有源区107与钝化层106部分接触。

该具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构的制作步骤具体如下：

S1：选择厚度为400μm的碳化硅衬底层101，该碳化硅衬底层101由N掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3的N型SiC材料构成，在碳化硅衬底层101上通过外延生长形成具有第一导电类型的第一半导体层102，该第一半导体层102为碳化硅轻掺杂半导体外延层；

S2：在第一半导体层102表面淀积SiO₂形成掩模层，开孔形成刻蚀掩模层，通过等离子体刻蚀控制沟槽侧壁与底部角度，形成多个包括沟槽底部105和沟槽侧壁104的沟槽结构，多个沟槽结构间隔设置，且形状相同；

S3：清洗掉刻蚀掩模，在第一半导体层102表面重新形成新的掩模层，开孔形成离子注入掩模层，通过在每个沟槽结构的沟槽处进行离子注入形成具有第二导电类型的场限环结构103，在多个沟槽结构的一侧进行离子注入形成有源区107；

S4：清洗掉注入掩模，在沟槽表面进行碳膜保护，通过高温退火对注入离子进行激活；

S5：去除碳膜，在沟槽上方形成绝缘钝化层106，即完成具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构的制作。

实施例2

一种具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构，具体如图2所示，包括碳化硅衬底层101，该衬底层由掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3的N型SiC材料构成，厚度为400μm；形成于碳化硅衬底层101上第一半导体层102，第一半导体层102具有第一导电类型，掺杂浓度7×10¹⁵cm^-3，厚度10μm；第一半导体层102表面设有多个沟槽结构，每个沟槽结构的沟槽侧壁104与沟槽底部105之间的夹角为145°，每个沟槽结构的上部宽度为3.5μm，深度为0.8μm，相邻两个沟槽之间的间距为3μm；每个沟槽结构的下方均设有一个场限环结构103，该场限环结构103具有第二导电类型，其宽度为4μm，深度为0.8μm，该场限环结构103位于对应沟槽的沟槽侧壁104下方与沟槽底部105下方，场限环结构103设于第一半导体层102内，且每个沟槽结构下方的场限环结构103邻靠对应沟槽结构的沟槽侧壁104和沟槽底部105设置，并包围上方对应的沟槽结构；

该沟槽场限环终端结构还包括有源区107，有源区107具有第二导电类型，有源区107设置于第一半导体层102内，钝化层106覆盖于沟槽结构上方，厚度2μm，且有源区107与钝化层106部分接触。

该具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构的制作过程与实施例1相同，在这里不做进一步阐述。

实施例3

一种具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构，具体如图3所示，包括碳化硅衬底层101，该衬底层由掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3的N型SiC材料构成，厚度为400μm；形成于碳化硅衬底层101上第一半导体层102，第一半导体层102具有第一导电类型，掺杂浓度1×10¹⁶cm^-3，厚度5μm；第一半导体层102表面设有多个沟槽结构，每个沟槽结构的沟槽侧壁104与沟槽底部105之间的夹角为105°，每个沟槽结构的上部宽度为1.5μm，深度为0.9μm，相邻两个沟槽之间的间距为2.5μm；每个沟槽结构的下方均设有一个场限环结构103，该场限环结构103具有第二导电类型，其宽度为3μm，深度为0.9μm，该场限环结构103位于对应沟槽的沟槽侧壁104下方与沟槽底部105下方，场限环结构103设于第一半导体层102内，且每个沟槽结构下方的场限环结构103邻靠对应沟槽结构的沟槽侧壁104和沟槽底部105设置，并包围上方对应的沟槽结构；

该沟槽场限环终端结构还包括有源区107，有源区107具有第二导电类型，有源区107设置于第一半导体层102内，钝化层106覆盖于沟槽结构上方，厚度1μm，且有源区107与钝化层106部分接触。

该具有侧壁可变角度的沟槽场限环终端结构的制作过程与实施例1相同，在这里不做进一步阐述。

以上所述实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，其保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所作的等同替代或变换，均在本发明的保护范围之内，本发明的保护范围以权利要求书为准。