有源层、包括其的薄膜晶体管阵列基板以及显示装置的制作方法

本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种有源层、包括该有源层的薄膜晶体管阵列基板以及包括该薄膜晶体管阵列基板的显示装置。尽管本公开适用于宽范围的应用，但是其特别适合于通过实现包括碳同素异形体的有源层来改进显示设备的装置特性。
背景技术：
：随着多媒体的发展，平板显示器(fdp)如今变得越来越重要。与此相伴，各种平板显示器(例如，液晶显示器(lcd)、等离子体显示面板(pdp)、场致发射显示器(fed)、有机发光显示器(oled)等)正在投入实际使用。利用无源矩阵寻址方案或使用薄膜晶体管的有源矩阵寻址方案来寻址显示装置。在无源矩阵寻址方案中，阳极和阴极彼此相交，并且选定的线被寻址。相比之下，在有源矩阵寻址方案中，每个像素电极附接到薄膜晶体管并且接通或关断。对于薄膜晶体管，基本特性(例如，电子迁移率和漏电流等)以及确保长寿命所需的耐久性和电可靠性是非常重要的。薄膜晶体管的有源层是非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的一种。非晶硅的主要优点是简化的沉积工艺和低的制造成本，但是其具有0.5cm2/vs的低电子迁移率。氧化物半导体具有约108的导通/关断比和低的漏电流，但是具有比多晶硅低的10cm2/vs的电子迁移率。多晶硅具有约100cm2/vs的高电子迁移率，但是与氧化物半导体相比具有较低的导通/关断比，并且在大面积电子器件中应用多晶硅成本高。在这方面，正在进行研究以改进薄膜晶体管的特性，包括电子迁移率、漏电流和导通/关断比等。技术实现要素：本公开的一方面提供一种可以通过包括碳同素异形体来改进装置特性的有源层、包括该有源层的薄膜晶体管阵列基板、以及包括该薄膜晶体管阵列基板的显示装置。在一个方面，提供了包括半导体材料和多个碳同素异形体的有源层。碳同素异形体分散在半导体材料内并且形成多个畴。每个畴通过碳同素异形体中的碳原子之间的化学键合形成。碳同素异形体具有一维或二维结构。碳同素异形体是还原的氧化石墨烯(rgo)、未氧化的石墨烯、石墨烯纳米带及其混合物中之一。半导体材料是陶瓷半导体或有机半导体。基于100wt％的半导体材料含量，碳同素异形体含量为0.05wt％至0.1wt％。在一个方面，提供了一种薄膜晶体管阵列基板，其包括：基板；在基板上的栅电极；在栅电极上的栅极绝缘膜；有源层，其位于栅极绝缘膜上并且包括半导体材料和多个碳同素异形体；以及与有源层接触的源电极和漏电极。碳同素异形体分散在半导体材料内并且形成多个畴。畴位于有源层中的沟道处。每个畴通过碳同素异形体中的碳原子之间的化学键合形成。碳同素异形体具有一维或二维结构。碳同素异形体是还原的氧化石墨烯(rgo)、未氧化的石墨烯、石墨烯纳米带或其混合物。半导体材料是陶瓷半导体材料或有机半导体材料。基于100wt％的半导体材料含量，碳同素异形体含量为0.05wt％至0.1wt％。在一个方面，提供了一种显示装置，其包括：薄膜晶体管阵列基板、薄膜晶体管阵列基板上的有机绝缘膜、以及有机绝缘膜上的像素电极。显示装置还包括电连接到像素电极的有机发光二极管、有机发光二极管上的封装层、以及封装层上的盖窗。显示装置还包括位于与像素电极相同平面中的或位于像素电极下方的与像素电极间隔开的公共电极、以及位于公共电极上的液晶层。应当理解，前面的一般描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。附图说明附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入且构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的各方面，并且与说明书一起用于说明本公开的原理。在附图中：图1和图2是示出根据本公开的制造碳同素异形半导体组合物的过程的视图；图3是根据本公开的一个方面的薄膜晶体管阵列基板的截面图；图4是根据本公开的一个方面的有源层的顶视图；图5是示出根据本公开的一个方面的薄膜晶体管中的电子和空穴的移动的示意图；图6和图7是根据本公开的一个方面的显示装置的截面图；图8是根据本公开的有源层的原子力显微镜(afm)图像；图9是用于测量图8的区域a的x射线光电子能谱(xps)光谱；图10是用于图8的区域b的测量的xps光谱；以及图11是示出具有比较例和本公开的薄膜晶体管的电流-电压曲线的曲线图。具体实施方式在下文中，将参考附图详细描述本公开的示例性方面。在整个说明书中，相同的附图标记表示基本相同的元件。在下面的描述中，如果认为与本公开相关的公知功能或配置的详细描述被认为不必要地模糊本公开的主题，则省略与本公开相关联的公知功能或配置的详细描述。在以下描述中使用的元件的名称可以被选择以便于描述说明书，并且可以不同于实际产品中的部件的名称。以下公开的根据本公开的显示装置可以是有机发光显示器、液晶显示器、电泳显示器等。将针对液晶显示器描述本公开。液晶显示器由具有形成在薄膜晶体管上的像素电极和公共电极的薄膜晶体管阵列基板，滤色器基板以及插入在这两个基板之间的液晶层构成。对于这样的液晶显示器，通过垂直或水平施加到公共电极和像素电极的电场来驱动液晶。根据本公开的显示装置还可应用于有机发光显示器。例如，有机发光显示器包括连接到薄膜晶体管的第一电极和第二电极、以及位于这两个电极之间的有机材料的发光层。因此，来自第一电极的空穴和来自第二电极的电子在发光层内复合，形成激子(即空穴-电子对)。然后，当激子恢复基态时产生能量，从而使有机发光显示器发光。将在后面描述的包括根据本公开的碳同素异形体的有源层可以用于上述显示装置的薄膜晶体管。在下文中，将参考附图描述本公开的各方面。本公开公开了包括碳同素异形体和半导体材料的薄膜晶体管，更具体地，公开了具有包括碳同素异形体和半导体材料的有源层的薄膜晶体管。薄膜晶体管用作显示装置的开关元件或驱动元件。碳同素异形体在本公开中公开的碳同素异形体是指共价键合的碳原子的多环芳香族分子。共价键合的碳原子在可以形成6个原子的环的重复单元中。此外，共价键合的碳原子可以包含5个c原子的环或6个c原子的环或它们两者。碳同素异形体可以是单层，或者可以包括彼此堆叠的多层碳同素异形体。碳同素异形体具有一维或二维结构。碳同素异形体具有约100nm的最大厚度，具体地，约10nm至90nm，或约20nm至80nm。碳同素异形体可以通过以下四种方法制造：物理剥离、化学气相沉积，化学剥离和外延生长。物理剥离是通过将胶带(scotchtape)施加到石墨样品上然后将其剥离而产生碳同素异形体片的方法。在化学气相沉积中，具有高动能的气态或气态碳前体吸附在要生长碳同素异形体的基底的表面上，然后分解成碳原子。这些碳原子被封装在一起，从而生长碳的结晶同素异形体。化学剥离使用石墨的氧化还原性，其中石墨用硫酸和硝酸的酸性混合物处理以产生在其边缘具有羧基的碳同素异形体板。通过用亚硫酰氯处理将它们转化为酰氯(acidchlorides)；接着，通过用十八烷胺处理将其转化成相应的碳同素异形酰胺。在溶剂(例如四氢呋喃)中回流所得材料导致碳同素异形片的单片的尺寸减小和折叠。在外延生长中，碳化硅(sic)被加热到1500℃的高温以去除硅(si)，剩余的碳原子c形成碳同素异形体。本公开的碳同素异形体可以包括还原的氧化石墨烯(rgo)、未氧化的石墨烯和石墨烯纳米带中的一种。还原的石墨烯氧化物是通过用强酸氧化石墨，对其化学处理以产生石墨烯氧化物的微小颗粒，然后还原这些石墨烯氧化物颗粒而获得的石墨烯氧化物(go)的还原形式。未氧化的石墨烯是指通过上述碳同素异形体制造方法中的任何一种制造的碳同素异形体，但没有氧化还原过程。石墨烯纳米带是以纳米为单位测量的石墨烯条带，根据其宽度呈现不同的能带隙。石墨烯纳米带可以通过从包含碳同素异形体的单体合成或通过切割碳纳米管并将其平坦地打开来制备。除了上述类型的碳同素异形体之外，本公开的碳同素异形体可以具有公知的碳同素异形结构，例如石墨烯纳米网。本公开的碳同素异形体具有片的形状。碳同素异形片可以通过用具有分散在溶剂中的碳同素异形体的分散液涂覆基材，干燥溶剂，然后对涂层施加物理力而制备。物理力可以通过使用球磨机、珠磨机和超声均化器等施加。半导体材料在本公开中使用的半导体材料可以是可以使用溶液涂覆的陶瓷半导体或有机半导体材料。陶瓷半导体是利用陶瓷的电特性的材料。在陶瓷的情况下，电子被保持在离子或原子中，因此它们不能自由移动，导致几乎没有电的传导。然而，当从外部施加电场时，保持的电子通过与电场反应而重新排列，使得电子改变状态并移动。陶瓷半导体包括通过将金属元素例如硅(si)、锗(ge)、硒(se)、铝(al)、钛(ti)、锆(zr)结合至氧(o)、碳(c)、氮(n)等而形成的氧化物、碳化物和氮化物。最常见的陶瓷半导体之一是钛酸钡(batio3)。有机半导体是具有半导体特性的有机化合物，其包括聚合物有机半导体和低分子有机半导体。聚合物有机半导体可以包括f8t2(聚[(9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-共-联噻吩])、pbdtbotpdo(聚[(5，6-二氢-5-辛基-4，6-二氧代-4h-噻吩并[3，4-c]吡咯-1，3-二基){4，8-双[(2-丁基辛基)氧基]苯并[1，2-b：4，5-b′]二噻吩-2，6-二基}])、pbdt-tpd(聚[[5-(2-乙基己基)-5，6-二氢-4，6-二氧代-4h-噻吩并[3，4-c]吡咯-1，3-二基][4，8-双[(2-乙基己基)氧基]苯并[1，2-b：4，5-b′]噻吩-2，6-二基]])、pbdttt-cf(聚[1-(6-{4，8-双[(2-乙基己基)氧基]-6-甲基苯并[1，2-b：4，5-b′]二噻吩-2-基}-3-氟-4-甲基噻吩并[3，4-b]噻吩-2-基)-1-辛酮])、pcdtbt(聚[n-9′-十七烷基-2，7-咔唑-交替-5，5-(4′，7′-二-2-噻吩基-2′，1′，3′-苯并噻二唑)]、聚[[9-(1-辛基壬基)-9h-咔唑-2，7-二基]-2，5-噻吩二基-2，1，3-苯并噻二唑-4，7-二基-2，5-噻吩二基])、pcpdtbt(聚[2，6-(4，4-双-(2-乙基己基)-4h-环戊二烯并[2，1-b；3，4-b′]二噻吩)-交替-4，7(2，1，3-苯并噻二唑)])、pfo-dbt(聚[2，7-(9，9-二辛基芴)-交替-4，7-双(噻吩-2-基)苯并-2，1，3-噻二唑])、ptaa(聚[双(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺])、聚[(5，6-二氢-5-辛基-4，6-二氧代-4h-噻吩并[3，4-c]吡咯-1，3-二基)[4，8-双[(2-乙基己基)氧基]苯并[1，2-b：4，5-b′]二噻吩-2，6-二基]]、f8bt(聚[(9，9-二正辛基芴基-2，7-二基)-交替-(苯并[2，1，3]噻二唑-4，8-二基)])、p3ddt(聚(3-十二烷基噻吩-2，5-二基))、p3ht(聚(3-己基噻吩-2，5-二基))、mdmoppv(聚[2-甲氧基-5-(3′，7′-二甲基辛氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯基])、meh-ppv(聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4-亚苯基亚乙烯基])、p3ot(聚(3-辛基噻吩-2，5-二基))以及ptb7(聚({4，8-双[(2-乙基己基)氧基]苯并[1，2-b：4，5-b′]二噻吩-2，6-二基}{3-氟-2-[(2-乙基己基)羰基]噻吩并[3，4-b]噻吩二基}))。低分子有机半导体可以包括tips-并五苯(6，13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯)、tespentacene(6，13-双((三乙基甲硅烷基)乙炔基)并五苯)、dh-fttf(5，5′-双(7-己基-9h-芴-2-基)-2，2′-二噻吩)、dif-tes-adt(2，8-二氟-5，11-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)蒽二噻吩)、dh2t(5，5′-二己基-2，2′-二噻吩)、dh4t(3，3″′-二己基-2，2′：5′，2″：5″，2″′-四噻吩)、dh6t(5，5″″′-二己基-2，2′：5′，2″：5″，2″′：5″′，2″″：5″″，2″″′-六噻吩)、dts(ptth2)2(4，4′-[4，4-双(2-乙基己基)-4h-噻咯并[3，2-b：4，5-b′]二噻吩-2，6-二基]双[7-(5′-己基-[2，2′-联噻吩]-5-基)-[1，2，5]噻二唑并[3，4-c]吡啶、5，5′-双{[4-(7-己基噻吩-2-基)噻吩-2-基]-[1，2，5]噻二唑并[3，4-c]吡啶}-3，3′-二-2-乙基己基亚甲硅烷基-2，2′-联噻吩)、smdppeh(2，5-二-(2-乙基己基)-3，6-双-(5″-正己基-[2，2′，5′，2″]三联噻吩-5-基)-吡咯并[3，4-c]吡咯-1，4-二酮)和tes-adt(5，11-双(三乙基甲硅烷基乙炔基)蒽二噻吩)。作为本公开的上述有机半导体，可以使用两种或更多种类型的聚合物或低分子有机半导体，或者可以使用不同类型的聚合物有机半导体，或者可以使用不同类型的低分子有机半导体。碳同素异形半导体组合物图1和图2是示出根据本公开的制造碳同素异形体半导体组合物的过程的视图。在本公开中，可以通过混合碳同素异形体和半导体材料来制造碳同素异形半导体组合物。更具体地，参照图1，制备碳同素异形片和半导体材料。碳同素异形片和半导体材料可以制备成粉末。碳同素异形半导体组合物可以通过将碳同素异形片和半导体材料置于溶剂中并将它们混合在一起来制备。与上述不同，参照图2，本公开的碳同素异形半导体组合物可以通过将含有半导体材料和碳同素异形体分散溶液的半导体溶液与分散在溶剂中的碳同素异形体混合来制备。溶剂可以包括以下的一种或更多种：水；选自乙醇、甲醇、异丙醇、丁醇、2-乙基己醇、甲氧基戊醇、丁氧基乙醇、乙氧基乙氧基乙醇、丁氧基乙氧基乙醇、甲氧基丙氧基丙醇、texanol、萜品醇及其任何组合的醇；四氢呋喃(thf)；甘油、乙二醇、三甘醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二己二醇或其烷基醚；以及丙三醇、n-甲基-2-吡咯烷酮(nmp)、2-吡咯烷酮、乙酰丙酮、1，3-二甲基咪唑啉酮、硫二甘醇、二甲基亚砜(dmso)、n，n-二甲基乙酰胺(dmac)、二甲基甲酰胺(dmf)、环丁砜、二乙醇胺、三乙醇胺及其任何组合。为了均匀地分散碳同素异形体，可以将碳同素异形半导体组合物暴露于超声波。超声辐射在几个单独的时间间隔内施加。例如，将碳同素异形体和半导体材料混合在一起，并通过超声分解器用高超声波(约250w)照射30分钟。通过重复该过程，可以制备具有均匀分散的碳同素异形体的碳同素异形半导体组合物。基于100wt％的半导体材料含量，在本公开的碳同素异形半导体组合物中使用的碳同素异形体含量可以为0.05wt％至0.1wt％。如果基于100wt％的半导体材料含量，碳同素异形体含量等于或大于0.05wt％，则可以提高电荷迁移率。如果基于100wt％的半导体材料含量，碳同素异形体含量等于或小于0.1wt％，则可以防止导通/关断比的降低。在下文中，将描述包括使用上述碳同素异形半导体组合物的有源层的薄膜晶体管阵列基板和包括该薄膜晶体管阵列基板的显示装置。图3是根据本公开的一个方面的薄膜晶体管阵列基板的截面图。图4是根据本公开的一个方面的有源层的顶视图。图5是示出根据本公开的一个方面的薄膜晶体管中的电子和空穴的移动的示意图。图6和图7是根据本公开的一个方面的显示装置的截面图。薄膜晶体管阵列基板将针对具有位于有源层下方的栅电极的底部栅极型薄膜晶体管来描述本公开中公开的薄膜晶体管阵列基板。然而，本公开不限于此，而是还可应用于具有位于有源层上方的栅电极的顶部栅极型薄膜晶体管。再次参考图3，栅电极120位于基板110上。基板110由透明或不透明的玻璃、塑料或金属制成。栅电极120由铜(cu)、钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)、钽(ta)和钨(w)或其合金之一形成的单层或多层构成。用于使栅电极120绝缘的栅极绝缘膜125位于栅电极120上。栅极绝缘膜125可以由硅氧化物膜(siox)、硅氮化物膜(sinx)及其多层中的一种形成。有源层130位于栅电极120上。有源层130由本公开的碳同素异形半导体组合物制成。更具体地，通过在形成有栅极绝缘膜125的基板110上涂布上述碳同素异形半导体组合物来形成碳同素异形半导体薄膜。碳同素异形半导体组合物可以通过旋涂、狭缝涂布、丝网印刷、喷墨印刷等涂布，并且可以使用任何方法，只要其包括涂布溶液即可。通过将碳同素异形半导体薄膜加热至250℃保持两小时来去除溶剂。然后，通过光刻法对碳同素异形半导体薄膜进行图案化，从而形成本公开的有源层3。与有源层130的一侧接触的源电极135和与有源层130的另一侧接触的漏电极135b位于有源层130上。源电极135a和漏电极135b可以由单层或多层构成。如果源电极135a和漏电极135b由单层构成，则源电极135a和漏电极135b可以由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)、铜(cu)及其合金之一构成。如果源电极135a和漏电极135b由多层构成，则源电极135a和漏电极135b可以由钼/铝-钕、钼/铝或钛/铝的两层、或钼/铝-钕/钼、钼/铝/钼、或钛/铝/钛的三层构成。本公开的有源层130具有在与源电极135a和漏电极135b接触的区域之间的沟道ch。沟道ch是有源层130中的路径，电子和空穴通过该路径在源电极135a和漏电极135b之间移动。参考图4和图5，在有源层130中，碳同素异形体在半导体材料sc内形成多个畴d0。畴d0彼此分离并且分散在半导体材料sc内。每个畴d0通过在碳同素异形体的边缘处的碳原子之间的化学键合形成。每一个畴d0以随机方式化学键合，并且也以随机方式分散。在本公开中，碳同素异形体分散在由半导体材料制成的有源层130内。当电压施加到源电极135a和漏电极135b时，电子和空穴移动到有源层130中的沟道。由于碳同素异形体分散在跨沟道的有源层130中，所以半导体材料内的电子和空穴与半导体材料的电荷迁移率成比例地移动，然后在变得接近导体的碳同素异形体中非常快地移动。随着电子和空穴沿着半导体和碳同素异形体移动，电荷迁移率可以大大改进。值得注意的是，在半导体材料的情况下，当电子移动时发生散射，这导致低的电子迁移率。相比之下，散射很少发生在碳同素异形体内，这消除了电子迁移率降低的风险。此外，本公开的有源层130包含少量的碳同素异形体，因此几乎没有载流子穿过由碳同素异形体之间的接触(或化学键合)而移动的路径。这可以防止由于有源层130的半导体特性的劣化而导致的关断电流的增加。现在，将参照图6和图7描述包括根据本公开的薄膜晶体管阵列基板的显示装置。下面将省略对上述薄膜晶体管阵列基板的冗余说明。显示装置参考图6，有机绝缘膜140位于源电极135a和漏电极135b上。有机绝缘膜140用于使其下面的不规则部平滑，并且可以由有机材料如光丙烯酸类物质、聚酰亚胺、苯并环丁烯树脂、丙烯酸酯树脂等制成。有机绝缘膜140包括使漏电极135b的一部分露出的通孔145。尽管未示出，但是由硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)或其多层制成的钝化膜可以位于源电极135a和漏电极135b上。像素电极150和公共电极155位于有机绝缘膜140上。像素电极150通过有机绝缘膜140中的通孔145连接到漏电极135b。像素电极150由透明和导电的材料如ito(铟锡氧化物)和izo(铟锌氧化物)制成。公共电极155由与像素电极150相同的材料制成。像素电极150和公共电极155交替地布置，并且在像素电极150和公共电极155之间形成水平电场。本公开的该方面已经关于其中像素电极和公共电极在同一平面中的ips(面内切换)液晶显示器进行了描述。然而，本公开不限于此，而是公共电极可以位于像素电极下方，或者公共电极可以位于与薄膜晶体管阵列基板相对的滤色器阵列基板上。参照图7，本公开的显示装置可以是包括有机发光二极管的有机发光显示器。更具体地，有机绝缘膜140位于源电极135a和漏电极135b上。有机绝缘膜140包括使漏电极135b露出的通孔145。像素电极150位于有机绝缘膜140上。像素电极150通过有机绝缘膜140中的通孔145连接到漏电极135b。堤层160位于像素电极150上。堤层160可以是通过部分地露出像素电极150来限定像素的像素限定层。有机层165位于堤层160和露出的像素电极150上。有机层165包括通过电子和空穴的复合发射光的发光层，以及可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层。对电极170位于形成有有机膜165的基板110上。对电极170可以是阴极，并且可以由具有低功函数的镁(mg)、钙(ca)、铝(al)、银(ag)或其合金制成。因此，形成包括像素电极150、有机层165和对置电极170的有机发光二极管oled。封装层180位于形成有机发光二极管oled的基板110上方。封装层180封装包括下面的有机发光二极管oled的基板110，并且可以由无机膜、有机膜或其多层结构构成。盖窗190位于封装层180上并且构成有机发光显示器。现在，将公开由根据本公开的一个方面的碳同素异形半导体组合物制成的有源层的测试实施例。所使用的半导体材料是igzo。试验1：有源层的评估图8是根据本公开的有源层的afm图像。图9是用于图8的区域a的测量的xps光谱。图10是用于图8的区域b的测量的xps光谱。参考图8，从有源层的afm(原子力显微镜)图像，可以观察到碳同素异形体结合在一起并且形成多个畴。值得注意的是，如从相位差可以清楚看出的，具有碳同素异形体的区域和没有碳同素异形体的区域之间存在差异。图9是具有碳同素异形体的畴的区域的xps(x射线光电子能谱)分析的图。图10是没有碳同素异形体的畴的区域的xps分析的图。参考图9，观察到碳同素异形体元素的碳(c)1s峰和氧(o)1s峰。参考图10，观察到没有碳同素异形体的畴的区域具有铟(in)、镓(ga)、锌(zn)和氧(o)的主峰，以及相比具有碳同素异形体的畴中的区域，该区域中的碳(c)1s峰低得多。从这些结果可以得出结论，碳同素异形体在由本公开的碳同素异形半导体组合物制成的有源层中形成畴。测试2：薄膜晶体管的评估<实施例>如上面图2所示，通过在底部栅极型薄膜晶体管中形成包括碳同素异形体和半导体的有源层来制造薄膜晶体管。所使用的半导体材料是igzo。<比较例>以与前述实施例相同的方式制造薄膜晶体管，除了有源层仅由纯igzo制成。测量根据上述实施例和比较例制造的薄膜晶体管的电流-电压曲线，并示于图11中，并且它们的阈值电压和导通电流如下表1所示。[表格1]阈值电压(vth，v)导通电流(a)比较例-254×10-6a本公开-208×10-6a参考表1和图11，具有仅由igzo制成的有源层的比较例显示了-25v的阈值电压和4×10-6a的接通电流。相比较，具有包括igzo半导体和碳同素异形体的有源层的本公开显示阈值电压为-20v，导通电流为8×10-6a。从这些结果可以得出结论，与包括仅由igzo制成的有源层的薄膜晶体管相比，包括igzo半导体和碳同素异形体的薄膜晶体管具有更好的阈值电压和导通电流特性。因此，通过形成碳同素异形体在半导体材料内形成多个畴的有源层，本发明可以改进有源层的电荷迁移率。此外，畴在有源层中的分散可以防止形成碳同素异形体彼此连接的使电荷移动的路径。这可以防止薄膜晶体管的导通/关断比的降低。虽然已经参考其多个说明性方面描述了方面，但是应当理解，本领域技术人员可以设计出落入本公开的原理的精神和范围内的许多其它修改和方面。更具体地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置的组成部分和/或布置中的各种变化和修改是可能的。除了组成部件和/或布置的变化和修改之外，替代使用对于本领域技术人员也是明显的。当前第1页12