技术总结
一个或多个实施例涉及半导体结构，包括：上表面；第一接触焊盘，所述第一接触焊盘位于所述上表面上；重分布层，所述重分布层包括迹线和重分布的接触焊盘，所述重分布的接触焊盘与所述第一接触焊盘电连通；导电柱，所述导电柱位于所述第一接触焊盘上或所述重分布的接触焊盘上；包封层，所述包封层位于所述上表面之上并且围绕着所述导电柱；以及在所述导电柱上的导电凸块，所述导电凸块位于所述包封层上方。
技术研发人员：J·泰伊塞伊瑞;靳永钢;刘云
受保护的技术使用者：意法半导体有限公司
文档号码：201620245315
技术研发日：2016.03.28
技术公布日：2016.12.14