技术总结
本实用新型提供了一种紫外线发光二极管及用于制造其的晶片，所述紫外线发光二极管包括：n型AlGaN接触层；p型AlGaN接触层；多量子阱结构的活性层，其介于所述n型AlGaN接触层与p型AlGaN接触层之间，包括阱层；上部超晶格层，其介于所述n型AlGaN接触层与所述活性层之间；及静电放电防止层，其介于所述n型AlGaN接触层与所述上部超晶格层之间。因此，本实用新型的紫外线发光二极管能够改善静电放电特性并且具有可靠性。
技术研发人员：许政勋
受保护的技术使用者：首尔伟傲世有限公司
文档号码：201620491310
技术研发日：2016.05.26
技术公布日：2016.12.07