1.一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，至少包括：一衬底，及依次位于所述衬底上的N型层、复合式多量子阱层和P型层，所述复合式多量子阱层包括交替层叠的势垒层和势阱层，其特征在于：所述势阱层包括带隙能级依次增大且周期性层叠的第一氮化物层、第二氮化物层和第三氮化物层。
2.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，其特征在于：所述第一氮化物层为氮化铟层。
3.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，其特征在于：所述第二氮化物层为铟镓氮层。
4.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，其特征在于：所述第三氮化物层为氮化铝层。
5.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，其特征在于：所述多量子阱层还包括一位于所述势阱层上的保护层。
6.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，其特征在于：所述势阱层的周期数为1~20。
7.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，其特征在于：所述复合式多量子阱层的周期数为1~30。
8.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，其特征在于：所述第一氮化物层的厚度为3~50Å。
9.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，其特征在于：所述第二氮化物层的厚度为3~50Å。
10.根据权利要求1所述的一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，其特征在于：所述第三氮化物层的厚度为3~50Å。