技术总结
本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种具有复合式多量子阱层的发光二极管，其至少包括：一衬底，及依次位于所述衬底上的N型层、复合式多量子阱层和P型层，所述复合式多量子阱层包括周期性层叠的势垒层和势阱层，其特征在于：所述势阱层包括带隙能级依次增大且周期性层叠的第一氮化物层、第二氮化物层和第三氮化物层。
技术研发人员：黄理承;谢翔麟;林兓兓;蔡吉明;张家宏
受保护的技术使用者：安徽三安光电有限公司
文档号码：201620700373
技术研发日：2016.07.06
技术公布日：2017.01.04