1.一种薄型化保护元件，在一绝缘基板上设有至少两个供与外部电路电气连接的电极，另有一可供于预先设定温度下熔断的熔断结构电气连接于该至少两个电极之间，以及设有一至少将该熔断结构遮蔽的屏蔽结构；其特征在于：
该屏蔽结构由绝缘热塑性材料透过成膜加工技术直接覆设于该熔断结构表面。
2.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构以合金型态呈现。
3.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由至少两种不同熔点的金属层所叠置构成。
4.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层及一低熔点金属层。
5.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层及一高熔点金属层。
6.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。
7.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。
8.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。
9.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。
10.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。
11.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。
12.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。
13.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为30：1~120：1；该铜金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于3~240um。
14.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为60：1；该铜金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um。
15.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为50：1~160：1；该镍金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于5~320um。
16.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为90：1；该镍金属层的厚度为1um；该锡金属层的厚度为90um。
17.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为25：1~110：1；该银金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于2.5~220um。
18.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为50：1；该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为75um。
19.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为60：1：1~240：1：1；该铜金属层加上该银金属层的厚度介于0.2~4um；该锡金属层的厚度介于6~480um。
20.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为120：1：1；该铜金属层加上该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um。
21.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层、该镍金属层及该铜金属层的体积比为100：0.5：1~320：0.5：1；该镍金属层加上该铜金属层的厚度介于0.15~3um；该锡金属层的厚度介于10~640um。
22.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层、该镍金属层及该铜金属层的体积比为200：0.5：1；该镍金属层加上该铜金属层的厚度为0.6um；该锡金属层的厚度为80um。
23.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由银构成的银金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层、该银金属层及该镍金属层的体积比为50：1：0.5~220：1：0.5；该银金属层加上该镍金属层的厚度介于0.15~3um；该锡金属层的厚度介于5~440um。
24.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由银构成的银金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层、该银金属层及该镍金属层的体积比为150：1：0.5；该银金属层加上该镍金属层的厚度为0.6um；该锡金属层的厚度为80um。
25.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铬构成的铬金属层；该锡金属层、该铜金属层、该镍金属层及该铬金属层的体积比为80：1：0.5：0.125~300：1：0.5：0.125；该铜金属层加上该镍金属层加上该铬金属层的厚度介于0.1625~3.25um；该锡金属层的厚度介于8~600um。
26.如权利要求1所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层、一由镍构成的镍金属层及一由铬构成的铬金属层；该锡金属层、该铜金属层、该镍金属层及该铬金属层的体积比为120：1：0.5：0.125；该铜金属层加上该镍金属层加上该铬金属层的厚度为06um；该锡金属层的厚度为92um。
27.如权利要求4至12其中任一所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构当中的各该低熔点金属层的熔点介于摄氏60~350度，各该高熔点金属层的熔点介于摄氏600~1900度。
28.如权利要求4至12其中任一所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构当中的各该低熔点金属层的金属为锡、铟或铋其中之一；各该高熔点金属层的金属为铝、银、铜、镍、铬、铁、金、铂、钯或钛其中之一。
29.如权利要求3至26其中任一所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构当中的各该金属层以溅镀、蒸镀、化学镀、离子镀、电镀或气相沉积其中一种方式建置成型。
30.如权利要求3至26其中任一所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构当中的各该金属层建置呈矩形轮廓。
31.如权利要求3至26其中任一所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构当中的各该金属层建置呈工字形轮廓。
32.如权利要求3至26其中任一所述的薄型化保护元件，其特征在于，该熔断结构当中的各该金属层建置呈工字形轮廓。
33.如权利要求1至26其中任一所述的薄型化保护元件，其特征在于，该屏蔽结构由环氧树脂油墨、聚苯乙烯(PS)、聚酰胺(PA)、聚碳酸脂、聚苯醚或橡胶其中一种材料加工成型。
34.如权利要求1至26其中任一所述的薄型化保护元件，其特征在于，该屏蔽结构由涂覆、网版印刷、喷涂、气相沉积或蒸镀其中一种方式加工成型。
35.如权利要求1至26其中任一所述的薄型化保护元件，其特征在于，该薄型化保护元件，于该熔断结构与各该电极之间分别连接一高熔点导电材料。
36.如权利要求1至26其中任一所述的薄型化保护元件，其特征在于，该薄型化保护元件，于该熔断结构与各该电极之间分别连接一高熔点导电材料，各该高熔点导电材料的总体积概等于该熔断结构的体积。