1.一种使用散热装置的免焊接超薄二极管，其特征在于：包括散热装置(1)、封装体(2)和二极管本体(3)，所述二极管本体(3)设置在封装体(2)内，所述散热装置(1)包括散热横板(11)以及设置在散热横板(11)左右两侧的散热竖板(12)，所述散热横板(11)和两侧的散热竖板(12)构成H状从而形成处于散热横板(11)上方的第一空间(13)以及处于散热横板(11)下方与封装体(2)相适配的第二空间(14)，所述第一空间(13)内设有固定在散热横板(11)上的矩形散热翅片(15)，所述封装体(2)固定在第二空间(14)内，所述两侧散热竖板(12)的外侧面均阵列设置有若干三角形散热翅片(16)。
2.根据权利要求1所述的一种使用散热装置的免焊接超薄二极管，其特征在于：所述封装体(2)包括封装罩(21)和与封装罩(21)适配的底座(22)，所述封装罩(21)罩设在底座(22)的上方，所述底座(22)的左右两侧设置有贯穿底座(22)的通孔(23)，所述通孔(23)内设有金属导电框(24)，所述金属导电框(24)内设有与二极管本体(3)电性连接的金属弹片(25)。
3.根据权利要求1所述的一种使用散热装置的免焊接超薄二极管，其特征在于：所述二极管本体(3)包括芯片(31)、第一引脚(32)、第二引脚(33)、金属触点(34)和引线(35)，所述芯片(31)的左右两侧分别固定有金属触点(34)，所述芯片(31)的左侧金属触点(34)和第一引脚(32)通过引线(35)电性连接，所述芯片(31)的右侧金属触点(34)和第二引脚(33)通过引线(35)电性连接，所述芯片(31)的上下表面分别设置有DAF膜(36)，所述第一引脚(32)和第二引脚(33)分别通过DAF膜(36)固定在芯片(31)的上下表面，所述第一引脚(32)沿芯片(31)的左侧折弯倾斜延伸至第二引脚(33)所在平面。
4.根据权利要求1所述的一种使用散热装置的免焊接超薄二极管，其特征在于：所述封装体(2)设置为环氧树脂黑胶材料的封装体，其导热系数约0.4-0.8。
5.根据权利要求3所述的一种使用散热装置的免焊接超薄二极管，其特征在于：所述DAF膜(36)设为耐高温绝缘膜。
6.根据权利要求3所述的一种使用散热装置的免焊接超薄二极管，其特征在于：所述DAF膜(36)的厚度不大于25μm。
7.根据权利要求1所述的一种使用散热装置的免焊接超薄二极管，其特征在于：所述矩形散热翅片(15)和三角形散热翅片(16)均设有散热孔(17)。