1.一种容纳增大芯片的二极管，其特征在于：包括封装体(1)和二极管本体(2)，所述二极管本体(2)置于封装体(1)内部，所述二极管本体(2)包括芯片(3)、导电层(4)、绝缘层(5)、引脚(6)、引线(7)和金属触点(8)，所述导电层(4)固定在绝缘层(5)的上表面，所述引脚(6)矩形阵列在绝缘层(5)的下表面，所述引脚(6)的下表面贯穿封装体(1)的下表面外露在空气中，所述芯片(3)固定在导电层(4)的上表面，所述金属触点(8)矩形阵列在芯片(3)的上表面，所述引脚(6)和金属触点(8)的数量相匹配，所述导电层(4)和绝缘层(5)对应设有若干通孔(9)，所述通孔(9)依次贯穿导电层(4)和绝缘层(5)到达对应引脚(6)的上表面，所述通孔(9)的下端和对应引脚(6)电性连接，所述金属触点(8)通过引线(7)和对应通孔(9)的上端电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种容纳增大芯片的二极管，其特征在于：所述通孔(9)的材质设为金属铜。
3.根据权利要求1所述的一种容纳增大芯片的二极管，其特征在于：所述通孔(9)设为垂直贯穿。
4.根据权利要求1所述的一种容纳增大芯片的二极管，其特征在于：所述通孔(9)的孔径设置为0.1mm-0.2mm。
5.根据权利要求1所述的一种容纳增大芯片的二极管，其特征在于：所述绝缘层(5)的材料设为环氧树脂。
6.根据权利要求1所述的一种容纳增大芯片的二极管，其特征在于：所述封装体(1)内部填充环氧树脂。