1.一种可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构，包括一N型半导体层和一P型半导体层，P型半导体层贴附于该N型半导体层的一面上，于该N型半导体层的另一面上堆栈一N+型半导体层，其特征在于：所述晶圆结构于该N+型半导体层的表面形成有多个沟槽，该多个沟槽贯穿N+型半导体层和N型半导体层，且该多个沟槽的底部处于P型半导体层中，以形成多个晶粒。