技术总结
本实用新型公开一种可增加晶粒数量及合格率的晶圆结构，包括一N型半导体层和一P型半导体层，P型半导体层贴附于该N型半导体层的一面上，于该N型半导体层的另一面上堆栈一N+型半导体层，其特征在于：所述晶圆结构于该N+型半导体层的表面形成有多个沟槽，该多个沟槽贯穿N+型半导体层和N型半导体层，且该多个沟槽的底部处于P型半导体层中，得以产生较小的沟宽，以缩小晶粒小有效面积，借此在同样面积的晶圆得以增加所生产出晶粒数量，并得以改善蚀刻均匀性及开设沟槽深度控制问题，以有效提升晶粒合格率。
技术研发人员：彭工及;萧上智;张靖奇
受保护的技术使用者：亚昕科技股份有限公司
文档号码：201621126801
技术研发日：2016.10.17
技术公布日：2017.06.20