一种铜桥框架及一种半导体器件的制作方法

本实用新型涉及半导体器件的技术领域，尤其涉及一种铜桥框架及一种半导体器件。

背景技术：

半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。其包括晶体二极管、双极型晶体管和场效应晶体管等。半导体器件一般在芯片的一侧设置引线框架，另一侧设置铜桥框架。引线框架对芯片进行固定，并和芯片实现电信号连接。在生产过程中，引线框架在经过半蚀刻后，本身的强度会降低，芯片与引线框架之间回流焊后，由于锡膏的收缩，会导致引线框架变形且向芯片的一侧凸出，变形后的产品在注塑时，由于引线框架与下模的平面之间产生间隙，会导致产品溢胶报废。

技术实现要素：

本实用新型的第一目的在于提出一种铜桥框架，通过设置弹片，可以将芯片压向引线框架，避免引线框架变形，防止产品溢胶报废。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种铜桥框架，包括与芯片对应的承载区，所述承载区开设有通孔，所述承载区向所述通孔内延伸有弹片，所述弹片向所述承载区设置芯片的一侧凸出。

其中，所述弹片通过冲压和/或弯折形成。

其中，所述弹片远离与承载区连接的一端为末端，所述末端与所述承载区平行。

其中，所述弹片凸出于所述承载区的高度为0.025mm-0.1mm。

其中，所述弹片凸出于所述承载区的高度为0.05mm。

其中，所述通孔的数量为两个，每个所述通孔中设置有一个所述弹片，所述弹片的延伸方向与两个所述通孔的连接方向垂直。

其中，所述弹片上与所述承载区的连接处进行半蚀刻处理，形成凹陷结构。

其中，所述凹陷结构处的铜桥框架的厚度为0.05mm-0.1mm。

其中，所述凹陷结构与所述弹片的凸出方向同侧。

本实用新型的第二目的在于提出一种半导体器件，通过在铜桥框架上设置弹片，可以将芯片压向引线框架，避免引线框架变形，防止产品溢胶报废。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种半导体器件，包括引线框架、芯片和上述的铜桥框架，所述芯片位于所述铜桥框架的承载区和所述引线框架之间，所述弹片抵接所述芯片。

有益效果：本实用新型提供了一种铜桥框架及一种半导体器件。铜桥框架包括与芯片对应的承载区，所述承载区开设有通孔，所述承载区向所述通孔内延伸有弹片，所述弹片向所述承载区设置芯片的一侧凸出。通过设置弹片，可以将芯片压向引线框架，避免引线框架变形，防止产品溢胶报废。

附图说明

图1是本实用新型提供的铜桥框架的正视图。

图2是图1的A-A向视剖视图。

图3是图1的B-B向视剖视图。

图4是本实用新型提供的铜桥框架、芯片和引线框架组装后的正视图。

图5是图4的C-C向剖视图。

图6是图4的D-D向剖视图。

图7是图6的E处的局部放大图。

图8的本实用新型提供的铜桥框架、芯片和引线框架组装后在模具中的剖视。

其中：

1-铜桥框架，11-承载区，111-通孔，112-弹片，1121-末端，1122-凹陷结构，2-引线框架，3-芯片，4-焊锡。5-上模，6-下模。

具体实施方式

为使本实用新型解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。

实施例1

参考图1-图8，本实施例提供了一种铜桥框架，包括与芯片对应的承载区11，承载区11开设有通孔111，承载区11向通孔111内延伸有弹片112，弹片112向承载区11设置芯片3的一侧凸出。铜桥框架1的承载区11向外依次设置芯片3和引线框架2，如图4-图7所示，向芯片3一侧凸出的弹片112会对芯片3产生推力，将芯片3压向引线框架2，避免引线框架2变形，如图8所示，引线框架2不会与下模6之间产生间隙，避免注塑时溢胶，导致产品报废。

本实施例的弹片112通过冲压和/或弯折形成，弹片112可与铜桥框架1一次冲压成型，一次成型方便，结构稳定；也可以是形成铜桥框架1后，再通过弯折等方式形成，只需要具有弹片112即可。为了便于弹片112对芯片3施加压力，弹片112远离与承载区11连接的一端为末端1121，末端1121与承载区11平行，末端1121有较长的一段可以与芯片3接触，对芯片3的压强比较小。

弹片112凸出于承载区11的高度在0.025mm-0.1mm之间比较合适，既能对芯片3产生一定的推力，又可以避免凸出过多导致推力过大，导致引线框架2反向变形，导致质量问题。弹片112凸出于承载区11的高度为0.05mm为更佳的值，此时兼顾了推力和引线框架2的反向变形，且在具有一定的误差时，也能保持在0.025mm-0.1mm范围内。

本实施例中，通孔111的数量为两个，每个通孔111中设置有一个弹片112，弹片112的延伸方向与两个通孔111的连接方向垂直。即在与弹片112的延伸方向垂直的方向设置两个弹片112，可以从两个区域对芯片3施加压力，使得芯片3受力均匀。为了避免芯片3倾斜，使得芯片3能受力均匀，通孔111和弹片112最好对称分布在承载区11，从而抵消不对称性带来的受力不均匀的问题。

本实施例中，弹片112上与承载区11的连接处可以进行半蚀刻处理，形成凹陷结构1122，凹陷结构1122与弹片112的凸出方向同侧。形成有凹陷结构1122的弹片112更容易变形，弹力比较小，不会对芯片3产生太大推力导致引线框架2反向变形，且在装配过程中，如果芯片3受到的压力较大时，凹陷结构1122会变形吸收压力，减少对芯片3的推力。凹陷结构1122与弹片112的凸出方向同侧，利于弹片112产生弹力，不会使得弹力减少太多而失去作用。凹陷结构1122处的铜桥框架1的厚度在0.05mm-0.1mm比较合适，既能避免铜桥太薄导致强度不够，容易断裂，又能避免太厚无法调节弹片112的推力。

实施例2

本实施例提供了一种半导体器件，包括引线框架2、芯片3和实施例1中的铜桥框架1，芯片3位于铜桥框架1的承载区11和引线框架2之间，弹片112抵接芯片3。如图5-图7所示，向芯片3一侧凸出的弹片112会对芯片3产生推力，将芯片3压向引线框架2，避免引线框架2变形，如图8所示，引线框架2不会与下模6之间产生间隙，避免注塑时溢胶，导致产品报废。

以上内容仅为本实用新型的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。