本实用新型涉及一种印刷陶瓷二极管倒装芯片封装结构，属于二极管封装技术领域。
背景技术：
目前市场上SOT-236封装技术以铜支架当作载体，以固晶、焊线及模压的技术进行封装，在经过电镀及冲压过程完成二极管封装。
业界传统制程，需先将每颗晶粒用导电胶固定，并烘烤固化导电胶，焊线也只能每条线一一焊上，整体制程效率不高。焊线工艺虽然成熟，但对于金线使用量大的封装产品，往往成本会提高。
金线的距离及间距会影响阻值及电容等质量，而线径及距离会影响芯片热量的传递，对于高频率数据之芯片会严重影响讯号质量。
目前市面上使用的环氧树脂包覆整个芯片及铜支架，环氧树脂导热效果差，整体导热只能靠铜支架导出，若热量未能有效导出，导致整体产品温度持续上升，将严重影响质量。
SOT-236封装技术上，PIN脚的焊接面积小，若平整度不佳，SMT打件时易造成焊接空焊、虚焊或假焊等问题，影响SMT设备效率。
传统焊线封装有高度限制的问题，导致成品厚度无法降低，在客户端组装设计空间占用较多，不适合小型化产品之需求。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种印刷陶瓷二极管倒装芯片封装结构，通过倒装芯片技术及陶瓷基板印刷技术的结合，除了有利于提高产品的电性及导热质量，更能有效提升效率及降低成本。
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种印刷陶瓷二极管倒装芯片封装结构，其特征是，包括芯片，所述芯片上设有银凸点；还包括陶瓷基板，所述陶瓷基板背面及正面设有银导体层作为背面电极及正面电极，所述银凸点与所述陶瓷基板正面的银导体层对应设置并且所述银凸点固定在所述银导体层上；所述陶瓷基板上方设有包覆所述银导体层、银凸点与芯片的环氧树脂，所述陶瓷基板边缘两侧分别设置有将正、背面电极相连接的银导体层作为侧面电极。
进一步地，所述正面电极、背面电极及侧面电极上分别设有镍层及锡层。
进一步地，所述镍层的厚度为5~15μm；所述锡层的厚度为6~15μm。
进一步地，所述环氧树脂的厚度为800μm。
进一步地，所述陶瓷基板的材质为氧化铝。
进一步地，所述银凸点与所述银导体层分别设有六个。
本实用新型所达到的有益效果：
1.使用倒装工艺，可在整片晶圆上电镀银凸点，单一晶圆上电镀成本几乎相近，只要凸点数量够多成本就比金线还低，此外芯片倒装时可省略焊线之工序，等于固晶及焊线两种工序结合，能有效提升效率。芯片上的凸点可减短电流传递之距离，降低了电感、电阻及电容等影响，并缩短了芯片导热路径，提高封装产品的电性及散热可靠性。
2.使用印刷技术，陶瓷基板下方及侧面PIN脚端电极采用银导电层涂布，宽度可达0.5mm，增加焊接面积，且PIN脚平整，可有效降低SMT打件时易造成焊接空焊、虚焊或假焊的问题。
3.本制程技术采用印刷银导电层，导热性比铜更佳，加上底材为陶瓷基板，比传统制程环氧树脂包覆的传热性更加良好，因此在产品整体散热性能上，会优于传统环氧树脂包覆铜支架的制程。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
如图1所示，一种印刷陶瓷二极管倒装芯片封装结构，包括芯片2，所述芯片2上设有六个银凸点1。还包括氧化铝陶瓷基板3，所述氧化铝陶瓷基板3背面及正面分别设有六个银导体层4作为背面电极及正面电极，所述银凸点1与所述陶瓷基板3正面的银导体层4对应设置并且所述银凸点1固定在所述银导体层4上。所述氧化铝陶瓷基板3上方设有包覆所述银导体层4、银凸点1与芯片2的环氧树脂5，所述环氧树脂5的厚度为800μm。所述氧化铝陶瓷基板3边缘两侧分别设置有将正、背面相连接的银导体层4作为侧面电极。所述正面电极、背面电极及侧面电极上分别设有镍层及锡层6，所述镍层的厚度为5~15μm；所述锡层的厚度为6~15μm。
制备工艺：
1.首先在整片晶圆上电镀上银凸点1，之后将晶圆切割成单颗芯片2，每颗芯片2上共有六个银凸点1。
2.氧化铝陶瓷基板3上使用缺角来区分；在氧化铝陶瓷基板3的背面印刷六块银导体层4作为背面电极；然后在氧化铝陶瓷基板3的正面印刷六块银导电线路作为正面电极。
3.利用倒装设备将芯片2翻转，每个芯片2上的六个银凸点1对应在氧化铝陶瓷基板3正面的六块银导电电极，经过超声震动将银凸点1固定在银导体上。
4.然后将固定好的芯片2及氧化铝陶瓷基板3用环氧树脂5进行模压封装，环氧树脂5厚度约800μm。随后将氧化铝陶瓷基板3折条，并在氧化铝陶瓷基板3两侧边缘处各印刷上三块银导体层4作为侧面电极，接上电极导通线路。
5.最后在产品的正面电极、侧面电极与背面电极上电镀镍层及锡层6，镍层厚度为5~15μm，锡层厚度为6~15μm。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本实用新型的保护范围。