一种二极管封装结构的制作方法

文档序号:11619025阅读:325来源:国知局

本实用新型涉及一种二极管封装结构,属于产品封装加工技术领域。



背景技术:

目前市场上采用塑封的二三极管封装技术为以铜支架或PCB当作载体以固晶/焊线(或是固晶焊接的方式)/模压的技术进行封装再经电镀及冲压工艺完成产品加工封装。在此市场所采用的封装技术上的端电极焊接截面积较小易于造成功率耗损且不能承受较高的功率,散热特性不佳,易产生空焊、虚焊、假焊、等质量问题。市场所采用的封装技术存在弯脚时对于芯片产生的应力损坏风险,产品厚度较厚且相对封装成本较高。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种二极管封装结构,降低产品封装成本,避免市场上二极管封装在弯脚时对于芯片产生的应力损坏风险,提高产品在客户应用时的质量及效率;提升产品本身对于热能量的散逸,减少产品造成的功率耗损,减少组件所占用空间更适合客户小型化产品的设计需求及降低客户的组装成本,可以广泛的取代市场上各种2PIN及多PIN式塑封二极管封装技术。

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种二极管封装结构,其特征是,包括陶瓷基板以及设置于陶瓷基板正、背面的导体层,所述陶瓷基板正面一侧的导体层上通过导电胶固定有芯片,所述芯片上通过导电胶固定有跳线,所述芯片通过所述跳线与陶瓷基板正面另一侧的导体层相连接,所述芯片和跳线周围包覆有封盖胶。

进一步地,所述陶瓷基板的边缘两侧设有端电极,所述端电极设有银涂层。

进一步地,所述银涂层外设有电镀层,并且电镀有镍和锡。

进一步地,所述封盖胶上印刷有字码。

进一步地,所述封盖胶为环氧树脂。

进一步地,所述跳线为金属跳线。

本实用新型所达到的有益效果:

1.相比于市场二极管封装技术,本技术的产品为贴片形式(SMD)可利于客户 SMT打件的效率提升,且不易产生抛料掉料问题。

2.相比于市场二极管封装技术,本技术产品的端电极可焊接面积导电散热面积大(本改进二极管技术之产品之端电可焊接面积为2.62mm*0.52mm=1.36mm2,市场塑封二极管封装技术之端电可焊接面积为:1.45*0.85mm=1.23mm2)对于可焊接面积提升10.57%,且无市场二极管封装技术弯脚成型时对于芯片产生的应力损坏风险。

3.相比于市场二极管封装技术,本技术产品厚度薄 (本改进二极管技术的产品厚度为1.15mm;市场塑封二极管封装技术的产品厚度为2.2mm),厚度降低约47.7%,减少组件所占用空间更适合客户小型化产品的设计需求及降低客户的组装成本。

4.相比于市场二极管封装技术,本技术产品除端电极散热外,所选用的陶瓷基板相比于市场二极管封装技术的环氧树脂有更好之热传导性及耐热性(本改进二极管技术的氧化铝陶瓷基板导热系数:20W/mK; 市场塑封二极管封装技术的环氧树脂导热系数:0.5 W/mK),有效提升产品散热能力。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中各主要附图标记的含义为:

1.陶瓷基板,2.导体层,3.导电胶,4.芯片,5.金属跳线,6.封盖胶;7.字码,8.端电极,9.电镀层。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案,而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

如图1所示,一种二极管封装结构,包括陶瓷基板1以及设置于陶瓷基板1正、背面的导体层2,所述陶瓷基板1正面一侧的导体层2上通过导电胶3固定有芯片4,所述芯片4上通过导电胶3固定有金属跳线5,所述芯片4通过所述金属跳线5与陶瓷基板1正面另一侧的导体层2相连接,所述芯片4和金属跳线5周围包覆有封盖胶6,所述封盖胶6为环氧树脂。所述封盖胶6上印刷有字码7。所述陶瓷基板1的边缘两侧设有端电极8,所述端电极8设有银涂层。所述银涂层外设有电镀层9,并且电镀有镍和锡。

制备方法:

1.在陶瓷基板1正、背面分别印刷/贴压或真空溅镀金属导体层2形成导体。

2.在导体正负极端印刷、点上或其他形式添加导电胶3,以设备或制工具将芯片4植于导体上, 以设备或制工具将金属跳线5放于芯片4上,连通芯片4与导体正极端后,进行导电胶3固化。

3.以环氧树脂覆盖住芯片4和金属跳线5并进行固化。

4.在环氧树脂上印刷字码7进行干燥(或激光刻字码或于成品测试包装时激光刻字码)。

5.将片状产品以裂片或切割方式分裂为条状并自动装填于治具内,以自动涂银或真空溅镀设备在两侧端电极8做导体整面涂布。

6.将条状料以折裂或切割方式分成颗粒状。

7.进行端电极8电镀镍及电镀锡或其他导电金属(铜/金…等)。

8.进行成品测试及包装。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本实用新型的保护范围。

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