技术总结
本实用新型涉及一种氮化镓半导体器件，所述氮化镓半导体器件包括依次层叠的基板、缓冲层、高阻抗层、非有意掺杂氮化镓层、通道层以及电极；所述高阻抗层包括多层交替生长的非掺杂氮化镓层和碳掺杂氮化镓层。该氮化镓半导体器件为了改善击穿电压及漏电(leakage)的特性，将多层的非掺杂氮化镓层(Un‑doped GaN)和碳掺杂氮化镓层(C‑doped GaN)交叉生长，能改善高阻抗层的品质使其能生长得更厚，可以使底部上升的位错弯曲。
技术研发人员：李东键;金荣善;骆薇薇;孙在亨
受保护的技术使用者：英诺赛科（珠海）科技有限公司
文档号码：201621398209
技术研发日：2016.12.19
技术公布日：2017.09.29