一种谐波抑制高温超导带阻滤波器的制作方法

本实用新型涉及高温超导微波器件制备技术领域，具体涉及一种应用于微波信息接收系统中的谐波抑制高温超导带阻滤波器。

背景技术：

LC滤波器以外的大多数微波滤波器在其主通道的倍频附近会产生谐波通道，在设计时通常要考虑这些谐波可能带来的影响。在宽频接收系统中，如果带阻滤波器的谐波落入接收频率范围内，将造成该处的信号丢失。

目前，现有的采用阶跃阻抗谐振器方法来提高滤波器的多次谐振频率点，已知的最优结果是谐振器的二次谐波出现在约5倍频处。随着宽带接收系统的发展，要求更宽广的工作带宽。为确保信号的完整性，需进一步提高滤波器的二次谐波频点。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种谐波抑制高温超导带阻滤波器，该带阻滤波器的二次谐波出现在8倍频外，提高了滤波器的谐波抑制能力。

为实现上述目的，本实用新型采用了以下技术方案：

一种谐波抑制高温超导带阻滤波器，包括盒体、设置在盒体内的谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片、跨接在盒体与谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片之间的接地线以及分别与谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片的输入、输出端相连的输入、输出接头。

所述谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片包括高温超导带阻滤波器电路、介质基片和金属镀层；所述高温超导带阻滤波器电路包括传输主线和沿传输主线分布的若干谐振器。

进一步的，所述谐振器包括串联连接的等效电容和片式电感。

进一步的，所述谐振器分布在传输主线的一侧或两侧。

进一步的，所述谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片通过0.1mm厚的铟片焊接在盒体底部，且其输入、输出端分别与输入、输出接头焊接相连。

进一步的，所述谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片采用氧化镁或铝酸镧作为介质基片。

进一步的，所述片式电感通过低温导电胶粘接在介质基片上。

进一步的，所述谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片的正面两侧设有接地边。

由以上技术方案可知，本实用新型所采用的谐振器，能够使滤波器的二次谐波出现在8倍频外，提高滤波器的谐波抑制能力，且本实用新型具有体积小、结构简单、通带插损小等特点，适用于微波宽带接收系统。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是高温超导带阻滤波器电路的结构示意图；

图3是本实用新型的传输曲线图。

其中：

1、输入接头，2、盒体，3、谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片，4、接地线，5、传输主线，6、谐振器，7、等效电容，8、片式电感，9、接地边，10、输出接头。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步说明：

如图1-图2所示的一种谐波抑制高温超导带阻滤波器，包括盒体2、设置在盒体2内的谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片3、跨接在盒体2与谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片3之间的接地线4以及分别与谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片3的输入、输出端相连的输入接头1、输出接头10。所述接地线9为金线或铟线。

所述谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片3包括依次设置的高温超导带阻滤波器电路、介质基片和金属镀层。高温超导带阻滤波器电路设置在介质基片正面上，金属镀层镀覆在介质基片的背面。所述高温超导带阻滤波器电路包括传输主线5和沿传输主线5分布的若干谐振器6。

如图2所示，所述谐振器6包括串联连接的等效电容7和片式电感8。所述谐振器6为并联谐振器。本实用新型所采用的由等效电容和片式电感构成的谐振器，能够起到谐波抑制的作用，使本实用新型的二次谐波出现在8倍频以外，且通过增加谐振器的个数，能够提高滤波器的抑制深度。

进一步的，所述片式电感8通过低温导电胶粘接在介质基片上。

进一步的，所述谐振器6分布在传输主线5的一侧或两侧。谐振器之间的传输主线的具体距离通过仿真确定。一般，两个相邻的谐振器之间的传输主线的距离为四分之一波长。

进一步的，所述谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片3通过0.1mm厚的铟片焊接在盒体底部，且其输入、输出端分别与输入接头1、输出接头10焊接相连。

进一步的，所述谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片3采用氧化镁或铝酸镧作为介质基片。

进一步的，所述谐波抑制高温超导带阻滤波器芯片3的正面两侧设有接地边9。通过将接地线连接在该接地边与盒体之间，来实现谐振器接地。

从图3所示的本实用新型的传输曲线图可以看出，本实用新型的二次谐波出现在8倍频外。图3中的虚线S11指本实用新型的反射系数，实线S21指本实用新型的传输系数。

本实用新型的工作原理为：

在本实用新型设计的滤波器中，滤波器的谐振器不采用常规的二分之一或四分之一波长谐振器，而是采用阶跃阻抗谐振器，并用片式电感替代常规阶跃阻抗谐振器的微带形式电感，以达到进一步提高滤波器多次谐振频率点的目的。

以上所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本实用新型权利要求书确定的保护范围内。