本实用新型涉及一种热传导结构，尤其涉及一种电子封装用热传导结构。
背景技术：
现代集成电路（IC）器件在工作过程中产生大量的热能，这样的热能将对其性能产生不利影响，如果不加以去除，可能通过各种机制造成损害。两种最为常见的热相关损害形式包括因不同热膨胀速率导致的异质材料的分离以及因热膨胀及热收缩过程中的材料应力导致的断裂。因此，人们实现了很多冷却装置从集成电路器件中去除热能。大多数此类装置都至少部分采用了通过IC器件的部分的物理接触进行热传导的工作机制。
IC器件和冷区装置之间的界面处的热传导受到的阻碍可能降低冷却装置的效率和有效性。因此，人们开发出了很多的热界面材料，从而将热量从IC器件更为有效地传导至冷却装置。但是在实际使用中，铟作为界面材料加入到器件之后，器件需要经过多次的高温低温，例如BGA的回流焊，植球过程，BGA贴到主板上，其温度都高达265度，铟的熔点为165度，铟融化后，极易氧化，氧化铟的熔点很高且氧化铟不能和铟互溶，因此导致铟内部出现空洞，降低铟作为导热材料的导热性能。
技术实现要素：
本实用新型提供了一种电子封装用热传导结构。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：
电子封装用热传导结构，包括片状的铟合金本体，所述铟合金本体上包覆有抗氧化层。
优选地，所述铟合金本体的上、下表面涂覆有硅油抗氧化层。
优选地，所述铟合金本体的厚度为230um。
优选地，所述铟合金本体的面积与芯片面积相当。
优选地，所述铟合金本体的截面呈矩形。
优选地，所述铟合金本体为片状铟本体及填充于所述铟本体内的丝状合金。
优选地，所述丝状合金为表面镀金的铜丝。
本实用新型的有益效果体现在：通过在合金片表面进行涂层的覆盖，使得热传导能隔绝氧气，在工作过程中由于处于真空状态，防止热传导结构本身进行氧化，延长使用寿命，保证了热传导结构的散热性能。
附图说明
图1：本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图具体阐述下本实用新型的具体方案，本实用新型揭示了一种电子封装用热传导结构，结合图1所示，包括片状的铟合金本体1，所述铟合金本体上包覆有抗氧化层。所述铟合金本体（1）的上、下表面涂覆有硅油抗氧化层11。所述硅油抗氧化层种类是指为稳定存在的温度至少保证在165度以上的硅油抗氧化层。
所述铟合金本体1一般的厚度为230um。当然，也可以根据需要进行选择设定。所述铟合金本体1的面积与芯片面积相当。所述铟合金本体1的截面呈矩形。
铟合金本体是指具有铟金属和银，铜，镓，锡，铋等金属成分中的一种或一种以上组合物形成的合金。具体的，铟合金本体为片状铟本体及填充于所述铟本体内的丝状合金。其中，所述丝状合金为表面镀金的铜丝。采用这样的结构形态是利用了金属丝和合金之间的表面浸润能力，维持住液态金属的形状，防止其融化后内部出现空洞。该方法保证了导热技术的结构稳定性。
硅油抗氧化层11填充了铟合金本体和导热界面的空隙，同时，也作为了一种导热材料增加导热界面的面积。硅油抗氧化层11作为一种空气隔绝层，隔绝了氧气，防治抗氧化层下铟合金本体导热材料的氧化。硅油抗氧化层11可以在长时间内保持稳定，保持对导热材料的覆盖作用。
在实际应用中，将热传导结构的两面通过助焊剂热力耦合于集成电路器件与第一热部件之间即可。所述铟合金本体1的面积与集成电路器件、第一热部件面积相当。由于该实际应用的方法与现有技术相同，故在此不再赘述。
本实用新型尚有多种具体的实施方式。凡采用等同替换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本实用新型要求保护的范围之内。