1.电子封装用热传导结构，其特征在于：包括片状的铟合金本体（1），所述铟合金本体上包覆有抗氧化层。
2.如权利要求1所述的电子封装用热传导结构，其特征在于：所述铟合金本体（1）的上、下表面涂覆有硅油抗氧化层（11）。
3.如权利要求1所述的电子封装用热传导结构，其特征在于：所述铟合金本体（1）的厚度为230um。
4.如权利要求1所述的电子封装用热传导结构，其特征在于：所述铟合金本体（1）的面积与芯片面积相当。
5.如权利要求1所述的电子封装用热传导结构，其特征在于：所述铟合金本体（1）的截面呈矩形。
6.如权利要求1所述的电子封装用热传导结构，其特征在于：所述铟合金本体（1）为片状铟本体及填充于所述铟本体内的丝状合金。
7.如权利要求6所述的电子封装用热传导结构，其特征在于：所述丝状合金为表面镀金的铜丝。