1.一种半导体装置用接合线，其特征在于，具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，
所述接合线包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素，
在对与所述接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，
与所述接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm。
2.根据权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，
用下述(1)式定义的耐力比为1.1～1.6，
耐力比＝最大耐力/0.2％耐力 (1)。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置用接合线，其特征在于，
所述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，
在所述Pd被覆层上还具有包含Au和Pd的合金表皮层。
5.根据权利要求4所述的半导体装置用接合线，其特征在于，
所述包含Au和Pd的合金表皮层的厚度为0.050μm以下。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，
所述接合线包含选自Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之中的至少1种元素，相对于线整体，所述元素的浓度总计为0.011～2质量％。
7.根据权利要求1～6的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，
所述接合线包含选自Ga、Ge之中的1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度合计为0.011～1.5质量％。
8.根据权利要求1～7的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，
所述接合线包含选自As、Te、Sn、Sb、Bi、Se之中的1种以上的元素，相对于线整体，所述元素的浓度合计为0.1～100质量ppm，Sn≤10质量ppm，Sb≤10质量ppm，Bi≤1质量ppm。
9.根据权利要求1～8的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，
所述接合线还包含选自B、P、Mg、Ca、La之中的至少1种元素，相对于线整体，所述元素的浓度分别为1～200质量ppm。
10.根据权利要求1～9的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，
在所述接合线的最表面存在Cu。
11.根据权利要求1～10的任一项所述的半导体装置用接合线，其特征在于，
Cu合金芯材含有总计为0.1～3.0质量％的元素周期表第10族的金属元素，线最表面的Cu浓度为1原子％以上。