技术总结
一种半导体装置用接合线，具有Cu合金芯材和形成于其表面的Pd被覆层，可谋求高温下的球接合部的接合可靠性的提高和耐力比(＝最大耐力/0.2％耐力)为1.1～1.6。通过在线中包含赋予高温环境下的连接可靠性的元素来提高在高温下的球接合部的接合可靠性，而且，在对与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面测定晶体取向所得到的结果中，通过使线长度方向的晶体取向之中相对于线长度方向角度差为15度以下的晶体取向＜100＞的取向比率为30％以上，使与接合线的线轴垂直的方向的芯材截面的平均结晶粒径为0.9～1.5μm，从而使耐力比为1.6以下。
技术研发人员：山田隆;小田大造;榛原照男;大石良;斋藤和之;宇野智裕
受保护的技术使用者：日铁住金新材料股份有限公司;新日铁住金高新材料株式会社
文档号码：201680002657
技术研发日：2016.05.19
技术公布日：2017.05.17