技术特征：
技术总结
描述了用于将自旋扭矩转移磁性随机存取存储器（STT‑MRAM）存储器阵列集成到逻辑处理器中的方法以及所得结构。在一示例中，逻辑处理器包括逻辑区，逻辑区包括部署在电介质层中的金属线/通路配对，电介质层部署在衬底上方。逻辑处理器还包括具有多个磁性隧道结（MTJ）的自旋扭矩转移磁阻随机存取存储器（STT‑MRAM）阵列。MTJ部署在电介质层中。
技术研发人员：K.J.李;O.戈隆兹卡;T.加尼;R.A.布赖因;王奕
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2016.03.07
技术公布日：2018.11.09