本实用新型涉及具备覆盖安装于布线基板的部件的密封树脂层和层叠于密封树脂层的屏蔽层的模块及其制造方法。
背景技术：
在搭载于便携式终端装置等的模块中，存在设置用于屏蔽电磁波的屏蔽层的情况。在这种模块中，有用模具树脂覆盖安装在布线基板上的部件，并设置屏蔽层以覆盖该模具树脂的表面的模块。屏蔽层一般而言具有以屏蔽电磁波为目的的Cu、Al、Ag等导电膜，但这些金属膜均存在与模具树脂的密贴强度较弱、耐腐蚀性也不充分的技术问题。
因此，以往，提出了一种与树脂的密贴性较高，且耐腐蚀性优异的屏蔽层。例如，如图5所示，专利文献1所记载的模块100具备树脂基板101和层叠于该树脂基板101的上表面的屏蔽层102，屏蔽层102由在树脂基板101上形成的密贴膜102a、在该密贴膜102a上形成的导电膜102b以及在该导电膜102b上形成的保护膜102c这3层结构形成。在这里，导电膜102b由Cu、Ag、Al中的任一种来形成。另外，密贴膜102a由与树脂基板101的密贴强度比导电膜102b高的SUS形成。另外，在导电膜102b上形成的保护膜102c由耐腐蚀性也比导电膜102b 高的SUS形成。像这样，通过利用3层结构形成屏蔽层102，能够实现密贴强度和耐腐蚀性等的提高。
专利文献1：日本特开2007－243122号公报(参照第0019～0026 段、图1等)
然而，以往的形成屏蔽层102的保护膜102c的SUS由于在其表面 Cr与氧结合形成钝化膜，所以耐腐蚀性优异，但存在硬度较低(维氏硬度…SUS304、SUS310均为200HV以下)，在屏蔽形成后的工序(凹凸印刷、测定等)中产品与夹具等接触时，屏蔽膜表面容易被刮伤的问题。因此，为了实现屏蔽层的耐伤性的提高，需要提高保护膜的硬度。
技术实现要素：
本实用新型是鉴于上述的课题而完成的，其目的在于提供一种具备密贴强度和耐伤性优异的屏蔽层的模块。
为了实现上述目的，本实用新型的模块的特征在于，具备：布线基板；部件，被安装于上述布线基板的主面；密封树脂层，被设置于上述布线基板的主面，覆盖上述部件；以及屏蔽层，被以覆盖上述密封树脂层的表面来设置，上述屏蔽层具有：密贴层，被层叠于上述密封树脂层的表面，具有由Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、NiAl、CrAl、CrNiAl中的任意一种金属构成的第一密贴膜；导电层，被层叠于上述密贴层；以及保护层，被层叠于上述导电层，具有由Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、NiAl、 CrAl、CrNiAl中的任意一种的氮化物、氧化物或者氮氧化物构成的保护膜。
根据该结构，第一密贴膜由Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、NiAl、CrAl、 CrNiAl中的任意一种金属形成。这些金属膜与密封树脂层的密贴强度均比作为形成导电层的一般的金属的Cu、Al、Ag高。另外，由这些金属中的任意一种的氮化物、氧化物或者氮氧化物形成的保护膜的硬度比由SUS或TiCr、TiAl、NiAl、CrAl、CrNiAl等合金或1种金属构成的保护膜的硬度高。因此，能够提供一种具备密贴强度以及耐伤性优异的屏蔽层的模块。
另外，也可以上述保护膜由与上述第一密贴膜相同的上述金属的氮化物、氧化物或者氮氧化物来形成。在该情况下，例如，在使用溅射装置等来形成屏蔽层时，第一密贴膜和保护膜能够使用相同的靶(target)，所以能够实现屏蔽层的形成成本的减少。
另外，也可以上述保护层还在上述导电层与上述保护膜之间具有由 Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、NiAl、CrAl、CrNiAl中的任意一种金属构成的第二密贴膜。在该情况下，能够通过第二密贴膜实现导电层与保护膜的密贴强度的提高。
另外，也可以对于形成上述保护膜的上述氮化物的氮的组成比或者上述氧化物的氧的组成比而言，接近上述导电层的内层侧比远离上述导电层的表层侧低。在该情况下，保护膜的内层侧的Ti、Cr、Ni、TiCr、 TiAl、NiAl、CrAl、CrNiAl中的任意一种金属成分比表层侧多，所以导电层与保护膜的密贴强度提高。另一方面，由于保护膜的表层侧的上述任意一种的氧或者氮的成分比内层侧多，所以耐伤性提高。即，能够实现保护膜的耐伤性以及与导电层的密贴强度的提高。
优选在上述密贴层、上述导电层以及上述保护层中，上述导电层的厚度最厚，上述密贴层的厚度最薄。通常，导电层通过与形成于布线基板的接地电极连接从而屏蔽特性提高。对于该屏蔽特性而言，导电层的厚度越厚其越提高，导电层与接地电极的连接电阻越低其越提高。因此，通过将电阻率比导电层高的密贴膜形成为最薄，将导电层的厚度形成为最厚，能够实现屏蔽层的屏蔽特性的提高。
另外，本实用新型的模块的制造方法的特征在于，具备：准备工序，准备具有布线基板、安装于该布线基板的主面的部件以及设置于该布线基板的上述主面以覆盖上述布线基板的主面以及上述部件的密封树脂层的模具结构体；以及屏蔽形成工序，使用溅射装置或者真空蒸镀装置，在上述密封树脂层的表面形成屏蔽层，上述屏蔽形成工序具备：密贴层形成工序，在上述密封树脂层的表面形成由Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、 NiAl、CrAl、CrNiAl中的任意一种金属构成的第一密贴膜来形成密贴层；导电层形成工序，在上述第一密贴膜的表面形成导电层；以及保护层形成工序，在上述导电层的表面形成由Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、 NiAl、CrAl、CrNiAl中的任意一种的氮化物、氧化物或者氮氧化物构成的保护膜来形成保护层，在上述保护层形成工序中，向上述溅射装置或者上述真空蒸镀装置的真空腔室内投入氮气和/或氧气来形成上述氮化物、上述氧化物或者氮氧化物。
根据该制造方法，能够容易地制造具备密贴强度以及耐伤性优异的屏蔽层的模块。
另外，也可以上述保护层形成工序形成由与在上述密贴层形成工序中形成的上述第一密贴膜相同的上述金属的氮化物、氧化物或者氮氧化物构成的上述保护膜。在该情况下，由于能够在保护层形成工序以及密贴层形成工序中，使用相同的靶或者蒸镀源，所以能够廉价地形成密贴强度以及耐伤性优异的屏蔽层。
另外，也可以在上述保护层形成工序中，通过使形成上述保护膜的接近上述导电层的内层侧时投入至上述真空腔室内的气体的氮或者氧浓度比形成上述保护膜的远离上述导电层的表层侧时投入至上述真空腔室内的气体的氮或者氧浓度低，来使上述保护膜的上述内层侧的氮或者氧的组成比比上述表层侧的氮或者氧的组成比低。在该情况下，能够容易地制造耐伤性优异并且与导电层的密贴强度较高的模块。
根据本实用新型，第一密贴膜由Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、NiAl、 CrAl、CrNiAl中的任意一种金属形成。这些金属膜与密封树脂层的密贴强度均比作为形成导电层的一般的金属的Cu、Al、Ag高。另外，由这些金属中的任意一种的氮化物、氧化物或者氮氧化物形成的保护膜的硬度比由SUS等合金或1种金属构成的保护膜的硬度高。因此，能够提供具备密贴强度以及耐冲击特性优异的屏蔽层的模块。
附图说明
图1是本实用新型的第一实施方式的模块的剖视图。
图2是表示形成图1的保护层的金属成分及其氮化物的硬度的图。
图3是用于对本实用新型的第二实施方式的模块的屏蔽层进行说明的图。
图4是用于对本实用新型的第三实施方式的模块的屏蔽层进行说明的图。
图5是以往的模块的剖视图。
具体实施方式
＜第一实施方式＞
参照图1对本实用新型的第一实施方式的模块1进行说明。应予说明的是，图1是模块1的剖视图。
如图1所示，本实施方式的模块1具备：布线基板2、安装于该布线基板2的一个主面的多个部件3、设置于布线基板2的上表面并覆盖各部件3的密封树脂层4以及被以覆盖密封树脂层4的表面来设置的屏蔽层5，例如，搭载于使用高频信号的电子设备的主基板等。
布线基板2例如由低温共烧陶瓷、玻璃环氧树脂等形成，在上表面 (相当于本实用新型的“布线基板的主面”)形成有各部件3的安装用的多个焊盘电极6。另外，在内部，形成有接地用的接地电极7、各种布线电极(省略图示)以及多个通孔导体(省略图示)。在这里，接地电极7被设置成从布线基板2的端面(侧面)露出。
各焊盘电极6、接地电极7以及布线电极分别由Cu、Al等一般会被用作布线电极的金属形成。另外，各通孔导体由Ag、Cu等金属形成。此外，也可以对各焊盘电极6分别实施Ni/Au电镀。
作为各部件3，可举出由Si、GaAs等半导体形成的半导体元件、片式电感、片式电容、片式电阻等芯片部件等。
密封树脂层4被设置成覆盖布线基板2的上表面和各部件3。该密封树脂层4能够由环氧树脂等一般会被用作密封树脂的树脂形成。
屏蔽层5由具有层叠于密封树脂层4的表面的密贴层8、层叠于密贴层8的导电层9以及层叠于导电层9的保护层10的多层结构形成，实现了与密封树脂层4的密贴性以及耐伤性的提高。另外，屏蔽层5与在布线基板2的侧面露出的接地电极7电连接。
密贴层8是为了提高导电层9与密封树脂层4的密贴强度而设置的，在本实施方式中，通过由Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、NiAl、CrAl、CrNiAl 中的任意一种金属构成的第一密贴膜形成。另外，密贴层8在布线基板 2的侧面，与在该侧面露出的接地电极7电连接。此外，密贴层8的膜厚在侧面等最薄部优选为0.01μm以上0.5μm以下。
导电层9是起到屏蔽层5的实际的屏蔽功能的层，通过由Cu、Ag、 Al中的任意一种金属构成的导电膜形成。此外，导电层9的膜厚在侧面等最薄部优选为0.5μm以上5μm以下。
保护层10是为了防止导电层9被腐蚀或被划伤而设置的，在本实施方式中，通过由Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、NiAl、CrAl、CrNiAl中的任意一种金属的氮化物、氧化物或者氮氧化物构成的保护膜形成。此外，保护层10的膜厚在侧面等最薄部优选为0.03μm以上1.5μm以下。由于保护层10的厚度为0.03μm以上，所以能够有效地抑制导电层9 的腐蚀。另外，由于保护层10的厚度为1.5μm以下，所以能够避免屏蔽层不必要地增厚。
(模块的制造法)
接下来，对模块1的制造方法进行说明。此外，在本实施方式中，以使用溅射装置形成屏蔽层5的模块1的制造方法为例进行说明。
首先，在由低温共烧陶瓷(LTCC)、玻璃环氧树脂等形成的布线基板2的上表面安装各部件3。此外，利用公知的方法在布线基板2上形成焊盘电极6、接地电极7以及通孔导体等电极。另外，各部件3能够使用焊接安装等一般的表面安装技术来安装。此外，也可以在安装各部件3之后，进行助焊剂清洁。
接下来，用环氧树脂密封各部件3而形成密封树脂层4，准备具有布线基板2、安装于布线基板2的上表面的部件3以及层叠于该布线基板的上表面以覆盖布线基板2的上表面及各部件3的密封树脂层4的模具结构体(准备工序)。密封树脂层4能够通过涂覆方式、印刷方式、传递模具方式、压缩模具方式等形成。
此外，为了使模块的高度均匀，也可以在形成密封树脂层4之后，对密封树脂层4的顶面进行研磨加工。另外，为了提高密封树脂层4与布线基板2的密贴性，也可以在形成密封树脂层4之前进行等离子蚀刻等干洗。另外，在传递模具方式、压缩模具方式等在各部件3的树脂密封时使用脱模膜的情况下，也可以使用使该脱模膜的树脂接触面粗糙化后的膜。在该情况下，由于在密封树脂层4的表面形成凹凸并在屏蔽层5的表面也形成凹凸，所以手上的油脂等难以附着于屏蔽层5的表面，细小的划痕、污垢等外观的问题也变得不明显。此外，优选该情况下的密封树脂层4的表面粗糙度Ra为1μm以上10μm以下。
接下来，在利用一体地形成有多个布线基板2的多片式集合基板来制造模块1的情况下，在形成密封树脂层4之后，利用切块机、激光、槽刨机等单片化成一个一个的模具结构体。在该情况下，也可以对集合基板进行半切割。在半切割的情况下，能够在集合基板的状态下，进行屏蔽层5的形成，所以作业性良好。
接下来，将单片化后的模具结构体排列支承于溅射用的托盘。在该情况下，为了防止溅射的膜包围布线基板2的下表面，也可以在布线基板2的下表面粘贴糊剂、胶带。
接下来，将设置有模具结构体的托盘配置于溅射装置的腔室的规定位置，并进行腔室内的抽真空。鉴于膜的质量，优选极限真空度较低，但由于伴随于此，抽真空的所需时间变长，所以从生产性的方面考虑，优选设定的极限真空度为1×10－3Pa以上1×10－1Pa以下。另外，为了减少抽真空所需的时间，也可以在腔室内由溅射室和负载锁定室(所谓的前室)构成。另外，作为溅射装置，能够使用在线型、批量型、单张处理型等。
接下来，根据需要在溅射之前进行模具结构体的表面的干式蚀刻。在该情况下，对Ar离子枪施加所需时间的电压，利用Ar离子对密封树脂层 4的表面以及布线基板2的侧面进行干洗。这样，除了能够除去成为屏蔽层5与密封树脂层4的密贴力降低的原因的不必要的物质之外，因模具结构体的表面被粗糙化而产生锚固效应，从而密封树脂层4与屏蔽层5(密贴层8)的密贴性提高。
接下来，在密封树脂层4的表面和布线基板2的侧面通过溅射形成密贴层8(第一密贴膜)(密贴层形成工序)。在该情况下，作为靶的材料，能够使用Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、NiAl、CrAl、CrNiAl中的任意一种金属。例如，在利用Ti的第一密贴膜形成密贴层8的情况下，对Ti靶施加所需时间的电压来进行溅射。此时的膜厚为0.01μm以上 0.5μm以下。向腔室内投入的气体使用作为等离子源的Ar气。另外，此时的投入量例如为30～300sccm。
此外，为了除去靶的表面的氧化物，也可以进行预溅射(所谓的关闭了关闭器的状态下的溅射)。另外，对于靶而言，除了金属靶以外，也能够使用烧结靶等。金属靶难以通过合金的组成来形成，但在烧结靶的情况下，能够以任意的组成来调整金属组成比，所以能够容易地进行密贴性、耐腐蚀性的最佳化。
另外，溅射装置的电力方式能够使用DC方式、脉冲方式、RF方式等。在脉冲方式、RF方式的情况下，即使在靶表面形成反应物(氧化物、氮化物、氮氧化物)而电阻值升高的情况下，也能够稳定地放电。
接下来，以与密贴层8相同的要领，在该密贴层8的表面通过溅射形成用于形成导电层9的导电膜(导电层形成工序)。在该情况下，作为靶的材料，能够使用Cu、Ag、Al中的任意一种金属。例如，在用 Cu形成导电层9的情况下，对Cu靶施加所需时间的电压来进行溅射。此时的膜厚为0.5μm以上5μm以下。另外，与密贴层8相同地，也可以对Cu靶进行预溅射。
接下来，以与密贴层8相同的要领，在导电层9的表面利用溅射形成用于形成保护层10的保护膜(保护层形成工序)，模块1完成。在该情况下，作为靶的材料，能够使用Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、NiAl、 CrAl、CrNiAl中的任意一种金属。另外，此时的保护膜的膜厚为0.03 μm以上1.5μm以下。此外，在形成保护层10时，向腔室投入的气体除了作为等离子源的Ar气以外，同时也投入与靶的金属反应来生成反应物的气体。例如，在作为反应物而期望氧化物的情况下，与Ar气同时投入氧气，在作为反应物而期望氮化物的情况下，与Ar气同时投入氮气。在作为反应物而期望氮氧化物的情况下，与Ar气同时投入氧气以及氮气。这样，能够形成由上述的任意一种金属的氧化物、氮化物或者氮氧化物构成的保护层10(保护膜)。
根据这样的形成方法，通过控制氧气或者氮气的投入量(流量)，能够控制反应物的组成比。例如，在利用Ti的氮化物(TiN)形成保护层10(保护膜)的情况下，使用Ti靶，例如相对于200sccm流量的Ar 气，投入2～20％(腔室内的体积％)的N2气来形成保护层10(保护膜)。在这里，上述的密贴层形成工序、导电层形成工序以及保护层形成工序相当于本实用新型的“屏蔽形成工序”。
此外，对于构成屏蔽层5的密贴层8、导电层9以及保护层10的膜厚而言，也可以使密封树脂层4的顶面侧比密封树脂层4的侧面侧厚。由于顶面侧的表面积较大，被噪声影响的可能性较高，所以需要使膜厚加厚。与此相对，由于侧面侧的表面积较小，被噪声影响的可能性受到限定，所以即使比顶面侧薄也没有关系。因此，不用过分地加厚侧面侧的膜厚，从而能够抑制材料成本，并且能够缩小模块1的尺寸(从布线基板2的厚度方向观察时的俯视的面积)。
另外，作为密贴层8所使用的金属的Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、 NiAl、CrAl、CrNiAl的电阻率均比导电层9所使用的金属(Cu、Ag、 Al)的电阻率高。因此，随着密贴层8的膜厚增厚，导电层9与接地电极7之间的连接电阻升高，伴随于此，屏蔽层5的屏蔽特性降低。另外，导电层9是起到实际的屏蔽功能的层，其膜厚越厚，屏蔽层5的屏蔽特性越提高。鉴于这些情况，对于屏蔽层5的密贴层8、导电层9、保护层10的膜厚而言，优选导电层9最厚，密贴层8最薄。
另外，在实现屏蔽层5的形成成本减少的情况下，优选保护层10 的金属成分与形成密贴层8的金属相同。在该情况下，在形成密贴层8 和保护层10时能够使用相同的靶，在形成屏蔽层5时准备两种靶即可。另外，例如，在溅射装置能够在3个位置配置靶的情况下，由于能够将用于形成要求最厚厚度的导电层9的靶配置于2个位置，所以能够实现屏蔽层5的形成时间的减少。
此外，在本实施方式中，对使用溅射装置来形成屏蔽层5的情况进行了说明，但例如也可以使用真空蒸镀装置来形成屏蔽层5。在该情况下，在形成保护层10时，与溅射相同，在向腔室内投入了反应气体(氮气、氧气等)的状态下使蒸镀源蒸发即可。
因此，根据上述的实施方式，利用Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、NiAl、 CrAl、CrNiAl中的任意一种金属形成密贴层8(第一密贴膜)。这些金属膜与密封树脂层4的密贴强度均比作为形成导电层9的一般的金属的 Cu、Al、Ag高。
另外，利用上述金属中的任意一种的氮化物、氧化物或者氮氧化物形成的保护层10(保护膜)的硬度比由合金或1种金属构成的保护膜的硬度高。例如，如图2所示，关于表示保护层10(保护膜)的耐伤性的维氏硬度，对于Ti、Cr、TiAl合金中的任意一种而言，均是氮化物比纯金属高。对于氧化物也同样地比纯金属高。因此，通过将屏蔽层5构成上述的结构，能够提供一种具备密贴强度以及耐伤性优异的屏蔽层5 的模块1。
此外，在Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、NiAl、CrAl、CrNiAl中，Cr、 Ti、Ni与密封树脂层4的密贴性优异。另外，Ti、TiAl、Cr、Ni的氮化物(TiN、TiAlN、CrN、NiN)以及Ti、Cr、Ni的氧化物的硬度较高，耐伤性优异。另外，Ti、Cr、Ni、TiCr的氮化物(TiN、CrN、NiN、 TiCrN)以及Ti、Cr、Ni的氧化物的耐腐蚀性优异。因此，根据需求特性，适当地变更形成密贴层8以及保护层10的金属成分即可。
另外，对于保护层10(保护膜)而言，在利用TiN来形成该保护膜的情况下颜色为金色，在利用CrN来形成的情况下颜色为银白色，能够形成热反射性优异的屏蔽层5。特别是，在模块1的附近存在热源的情况下，由于反射热，所以能够将模块1的温度保持在较低。另外，在该情况下，也具有手上的油脂等指纹污垢不明显的效果。另外，在保护层10(保护膜)的表面印字时，能够使用黑色系的墨。另外，在利用 TiAlN来形成保护层10(保护膜)的情况下，颜色为黑色，在模块产品自身发热的情况下，散热性优异，所以能够将模块产品的温度保持在较低。在该情况下，在表面印字的情况下能够使用白色系的墨。
＜第二实施方式＞
参照图3对本实用新型的第二实施方式的模块1a进行说明。此外，图3是用于对模块1a的屏蔽层5a进行说明的图，是模块1a的局部剖视图。
本实施方式的模块1a与参照图1说明的第一实施方式的模块1的不同之处在于，如图3所示，保护层10a的结构不同。由于其他结构与第一实施方式的模块1相同，所以通过标注相同附图标记而省略说明。
在该情况下，保护层10a具有保护膜10a1和第二密贴膜10a2。保护膜10a1与第一实施方式的保护层10(保护膜)相同地，由Ti、Cr、 Ni、TiCr、TiAl、NiAl、CrAl、CrNiAl中的任意一种金属的氮化物、氧化物或者氮氧化物形成。第二密贴膜10a2是为了提高保护膜10a1与导电层9(导电膜)的密贴性而设置的，在本实施方式中，与第一实施方式的密贴层8(第一密贴膜)相同地，由Ti、Cr、Ni、TiCr、TiAl、 NiAl、CrAl、CrNiAl中的任意一种金属形成。优选第二密贴膜10a2的膜厚为0.01μm以上0.5μm以下。
模块1a的制造方法在形成保护层10a之前，以与第一实施方式的模块1的制造方法相同的要领来制造。对于保护层10a的形成方法而言，首先，在导电层9的表面，以与第一实施方式的密贴层8(第一密贴膜) 相同的要领，通过溅射形成第二密贴膜10a2。保护膜10a1也与第一实施方式的保护层10(保护膜)相同地，例如，在利用Ti的氮化物、氧化物或者氮氧化物来形成保护膜10a1的情况下，对Ti靶施加所需时间的电压来进行溅射。向溅射装置的腔室内投入的气体除了作为等离子源的Ar气以外，也同时投入生成与金属(Ti)的反应物的气体。例如，在作为反应物而期望氧化物的情况下，与Ar气同时投入氧气，在作为反应物而期望氮化物的情况下，与Ar气同时投入氮气。在作为反应物而期望氮氧化物的情况下，与Ar气同时投入氧气和氮气。
另外，与第一实施方式的保护层10相同地，通过控制氧气或者氮气的投入量(流量)，能够控制反应物的组成比。在利用Ti的氮化物 (TiN)来形成保护层10(保护膜)的情况下，例如，相对于200sccm 流量的Ar气，投入2～20％(腔室内的体积％)的N2气来形成保护层 10(保护膜)。此外，在本实施方式中，对于屏蔽层5a的形成，除了溅射装置以外，也能够使用真空蒸镀装置。
根据该结构，能够提高密封树脂层4与屏蔽层5a的密贴性，并且能够提高导电层9与保护层10a的密贴性。
此外，也可以利用相同种类的金属来形成密贴层8(第一密贴膜)、保护层10a的保护膜10a1以及第二密贴膜10a2的各自的金属成分。在该情况下，在形成这些密贴层8、保护层10a时准备1种靶或者蒸镀源即可，所以能够实现屏蔽层5a的形成成本的减少。另外，例如，在溅射装置能够在3个位置配置靶的情况下，由于能够将用于形成要求最厚厚度的导电层9的靶配置在2个位置，所以能够实现屏蔽层5a的形成时间的减少。
＜第三实施方式＞
参照图4对本实用新型的第三实施方式的模块1b进行说明。此外，图4是用于对模块1b的屏蔽层5b进行说明的图，是模块1b的局部剖视图。
本实施方式的模块1b与参照图1说明的第一实施方式的模块1的不同之处在于，如图4所示，保护层10b的结构不同。其他结构与第一实施方式的模块1相同，所以通过标注相同附图标记而省略说明。
在该情况下，将保护层10b形成为：对于形成保护层10b(保护膜) 的氮化物的组成比或者氧化物的组成比而言，该保护层10b(保护膜) 的接近导电层9的内层侧比远离导电层9的表层侧低。具体而言，保护层10b被形成为随着从内层侧朝向表层侧，氮化物或者氧化物的氮或者氧的组成比率逐渐升高。即，被形成为该组成比率线性变化。
模块1b的制造方法在形成保护层10b之前，以与第一实施方式的模块1的制造方法相同的要领来制造。保护层10b(保护膜)的形成方法也与第一实施方式的保护层10大体相同，但通过使向腔室内的投入气体中的反应气体(氮气或者氧气)的浓度在保护层10b的形成过程中逐渐上升，从而形成随着朝向表层侧氮或者氧的组成比率线性增加的保护层10b(保护膜)。此外，也可以为随着朝向表层侧使投入气体中的反应气体的浓度阶段性地增加的结构。
像这样，使保护层10b内的氧或者氮的组成比率逐渐变化，从而保护层10b内的热膨胀率随着从内层侧朝向表层侧而逐渐变化，所以能够使保护层10b作为回流等加热时所施加的应力的缓冲膜来发挥功能。另外，由于在保护层10b(保护膜)的内层侧，与导电层9的密贴性较高的金属成分的组成比率升高，所以能够实现导电层9与保护层10b的密贴性的提高。另外，由于保护层10b的表面侧的氧或者氮的组成比率升高，所以能够维持保护层10b表面的硬度。因此，能够实现保护层10b 的耐伤性以及与导电层9的密贴性的提高。
此外，本实用新型并不限于上述的各实施方式，只要不脱离其主旨，除了上述的实施方式以外还能够进行各种变更。
产业上的可利用性
本实用新型能够应用于具备覆盖安装于布线基板的部件的密封树脂层和层叠于密封树脂层的屏蔽层的各种模块。
附图标记说明：1、1a、1b…模块；2…布线基板；3…部件；4…密封树脂层；5、5a、5b…屏蔽层；8…密贴层(第一密贴膜)；9…导电层； 10、10a、10b…保护层；10a1…保护膜；10a2…第二密贴膜。