低矮电感器的制作方法

本实用新型涉及表面安装型的超低矮电感器(Ultra Thin Inductor)，更加具体而言，涉及使表面电极对形成磁场的妨碍得以抑制的厚度为0.5mm 以下的低矮电感器。

背景技术：

在层叠有多个基材层而成的主体中内置有线圈导体的电感器被用于各种电子设备。

像这样的电感器被专利文献1(WO2013-128702号公报)公开。

图7示出专利文献1中公开的电感器(层叠型电感器)500。

电感器500具备主体101，该主体101层叠多个由磁性体构成的基材层(磁性体层)101a～101h而成。由图7可知，基材层101b、101g的厚度大于其它基材层101a、101c～101f、101h。

在基材层101a～101h的层间配置有环状导体图案(线状导体) 102a～102e、布线导体103a、103b。

另外，在基材层101a～101g分别贯通两个主面间地形成有导通孔导体 (层间连接导体)104。

在主体101的一个主面(下侧主面)形成有一对表面电极(外部连接导体)105a、105b。

电感器500以表面电极105a为起点，以表面电极105为终点，借助导通孔导体104将环状导体图案102a～102e、布线导体103b、103a依次连接起来，由此形成线圈。

专利文献1：WO2013-128702号公报

随着电子设备的小型化，在包含电感器的电子部件中，小型化也成为极其重要的课题之一。

例如，在IC卡型设备中，需要厚度为0.5mm以下的低矮电感器。

然而，若使用现有电感器的构造，例如专利文献1中公开的电感器500 的构造来制作厚度为0.5mm以下的电感器，则存在难以获得具有较大的电感值、较高Q值的电感器的问题。

即，在专利文献1所公开的电感器500中，在要将厚度设定为0.5mm 以下的情况下，需要缩小图7所示的基材层101b、101g的厚度。即，如果不将基材层101b、101g的厚度至少缩小至与其它基材层101a、101c～101f、 101h相同的程度或者不减少环状导体图案102a～102e的层数，就难以制成厚度为0.5mm以下的电感器。

然而，若减少环状导体图案102a～102e的层数，则难以获得较大的电感值。

另外，若减小面向线圈开口的基材层101b、101g的厚度，则会缩小环状导体图案102a与表面电极105a、105b之间的距离。而且，若环状导体图案102a与表面电极105a、105b之间的距离变小，则表面电极105a、105b 会妨碍由环状导体图案102a～102e形成磁场，而使得电感器500无法获得较高的Q值。

特别是，电感器500的表面电极105a、105b分别具备较大的面积，因此若环状导体图案102a与表面电极105a、105b之间的距离变小，则表面电极105a、105b妨碍磁场形成的影响较大。

另外，在沿主体1的层叠方向透视的情况下，电感器500的表面电极 105a、105b与线圈的开口部(形成有环状导体图案102a～102e的区域中的靠内侧的区域)大面积重叠，因此若环状导体图案102a与表面电极105a、 105b之间的距离变小，则表面电极105a、105b妨碍磁场形成的影响极大。即，线圈的开口部是由环状导体图案102a～102e形成的磁通最集中的区域，由此存在由表面电极105a、105b封闭该区域，极大妨碍磁场形成，致使Q 值大幅降低的问题。

综上所述，在现有构造的电感器中，存在若缩小厚度(0.5mm以下) 则无法获得足够大的电感值、Q值这一问题。

技术实现要素：

本实用新型用于解决上述现有问题而产生，作为其手段，本实用新型的低矮电感器为表面安装型的低矮电感器，具备：矩形薄板状的主体，其由多个基材层层叠而成，厚度为0.5mm以下；线圈导体，其内置于主体，在基材层的层叠方向上具有卷绕轴线；4个表面电极，它们形成于主体的一个主面的面内，线圈导体的一端与表面电极中的至少一个连接，线圈导体的另一端与表面电极中的至少另一个连接，在沿基材层的层叠方向透视的情况下，4个表面电极的各中心分别配置于形成有线圈导体的区域内。

此外，形成有线圈导体的区域是指在俯视观察的情况下(沿基材层的层叠方向透视的情况下)，由线圈导体的内周端与外周端之间的宽度形成的区域。

此外，线圈导体也有时由一个环状导体图案构成，还有时由导通孔导体等层间连接导体连接多个环状导体图案而构成。

另外，低矮电感器只要至少具备4个表面电极即可。即，低矮电感器的表面电极的个数并不局限于4个，也可以是5个、6个，还可以是更多个。

优选为，4个表面电极分开分别配置于主体的一个主面的四角。此时，在安装有低矮电感器的情况下，主体的一个主面稳定。

优选为，在沿基材层的层叠方向透视的情况下，4个表面电极分别不与线圈导体的开口重叠，或者即使与线圈导体的开口重叠，重叠面积也在表面电极的面积的10％以下。此时，能够进一步抑制表面电极妨碍磁场形成的影响，能够更加减小Q值的降低。

另外，优选为，线圈导体的一端与表面电极中的2个连接，线圈导体的另一端与表面电极中的剩余2个连接。此时，由于线圈导体的两端分别借助2个表面电极与外部(基板等)的焊盘电极连接，因此电连接变得可靠，也能减小电阻成分。

另外，优选为，在主体的一个主面附近的基材层的层间，设置有第一分配电极和第二分配电极，线圈导体的一端与第一分配电极连接，第一分配电极与表面电极中的2个连接，线圈导体的另一端与第二分配电极连接，第二分配电极与表面电极中的剩余2个连接。此时，能够容易地将线圈导体的一端与2个表面电极连接，将线圈导体的另一端与剩余2个表面电极连接。

在这种情况下，优选为，在沿基材层的层叠方向透视的情况下，第一分配电极和第二分配电极分别主要配置于形成有线圈导体的区域内。此时，能够抑制第一分配电极和第二分配电极妨碍磁场形成的影响。

可以将线圈导体的一端与表面电极中的一个连接，将线圈导体的另一端与表面电极中的另一个连接，将未与线圈导体连接的剩余2个表面电极分别作为不实施电连接的第一伪表面电极。此时，能够借助第一伪表面电极提高安装强度。

另外，本实用新型的其它低矮电感器为解决上述课题，而具备：矩形薄板状的主体，其由多个基材层层叠而成，厚度为0.5mm以下；线圈导体，其内置于主体，在基材层的层叠方向上具有卷绕轴线；以及4个表面电极，它们形成于主体的一个主面的面内，线圈导体的一端与4个表面电极中的 2个连接，线圈导体的另一端与4个表面电极中的另2个连接，4个表面电极分开分别配置于主体的一个主面的四角。

并且，优选为，在主体的一个主面的中央附近形成第二伪表面电极，该第二伪表面电极不实施电连接，用于提高安装强度。此时，能够借助第二伪表面电极，提高向印刷布线板安装的安装强度。此外，第二伪表面电极不实施电连接，在安装于基板之后，也不与信号线、地线连接，因此即使设置于主体的一个主面的中央附近，也不会较大地妨碍磁场形成。

另外，优选为，第二伪表面电极分割为多个。在不分割第二伪表面电极而以较大面积形成第二伪表面电极的情况下，在将第二伪表面电极钎焊于基板的焊盘电极等时，有焊料膜厚变得过大而导致低矮电感器安装不良之虞。然而，在像这样将第二伪表面电极分割为多个的情况下，分割出的各第二伪表面电极的面积变小，因此实施了钎焊时的焊料膜厚变小，能够抑制安装不良的产生。另外，通过将第二伪表面电极分割为多个，由此也不易妨碍磁场形成。

另外，优选为，主体由陶瓷构成，在主体的另一个主面形成不实施电连接的第三伪表面电极。在主体由陶瓷构成的情况下，在制造工序中需要烧制工序，但在仅在主体的一个主面形成电极(表面电极等)而在主体的另一个主面未形成电极的情况下，在两个主面间，热收缩率、烧制行为不同，特别是在极薄的陶瓷的情况下，容易在烧制后的主体(烧结体)产生翘曲。然而，只要像这样在主体的另一个主面形成第三伪表面电极，就能在烧制工序中抑制在主体产生翘曲的情况发生。

在这种情况下，优选为，第三伪表面电极由多个构成，在沿基材层的层叠方向透视的情况下，第三伪表面电极分别形成于与表面电极重叠的位置，或者形成于与表面电极和第一伪表面电极重叠的位置，或者形成于与表面电极和第二伪表面电极重叠的位置，或者形成于与表面电极、第一伪表面电极以及第二伪表面电极重叠的位置。此时，能够将这些电极对磁场形成的妨碍阻止在最小限度。即，若第三伪表面电极形成于不与表面电极等重叠的位置，则由线圈导体形成的磁通的一部分在主体的一个主面受表面电极等妨碍，由线圈导体形成的磁通的另一部分在主体的另一个主面受第三伪表面电极妨碍，由此这些电极对磁场形成的妨碍变大。然而，若第三伪表面电极形成于与表面电极等重叠的位置，则在主体的一个主面上受表面电极等妨碍的磁通在主体的另一个主面上也受第三伪表面电极妨碍，但在主体的一个主面上未受表面电极等妨碍的磁通在主体的另一个主面上也不受第三伪表面电极妨碍。即，通过将在主体的一个主面上受表面电极等妨碍的磁通与在主体的另一个主面上受第三伪表面电极妨碍的磁通共性化，由此能够充分确保在主体的一个主面上不受表面电极等妨碍并且在主体的另一个主面上不受第三伪表面电极妨碍的磁通的量，能够将这些电极对磁场形成的妨碍阻止在最小限度。

另外，优选为，基材层由多个磁性体基材层和至少1层非磁性体基材层构成，在主体中，非磁性基材层受2层磁性体基材层夹持而并与之层叠。若主体全部由磁性体基材层形成，则在较大的直流电流流动的情况下，容易产生磁饱和，有电感值急剧降低之虞。然而，像这样在线圈导体间预层叠有至少1层非磁性体基材层，由此直流重叠特性得以改善，即使流动较大的直流电流，也难以产生磁饱和，能够抑制电感值急剧降低。

另外，优选为，主体由陶瓷构成，在主体的内部，形成至少1层沿与基材层的层叠方向垂直的方向扩展的空隙，在沿基材层的层叠方向透视的情况下，空隙与形成有线圈导体的区域重叠。在主体由陶瓷构成的情况下，存在如下问题，在制造工序中需要烧制工序，而在烧制后的冷却时，在基材层与线圈导体之间因热收缩率的差异而产生应力，在烧制后的主体产生应力形变，致使磁特性降低(磁导率的降低等)。然而，像这样事先在基材层的内部预形成至少1层空隙，由此能够借助空隙缓和在基材层与线圈导体之间产生的应力，能够抑制磁特性的降低。

在沿基材层的层叠方向透视的情况下，本实用新型的低矮电感器的4 个表面电极的各中心分别配置于形成有线圈导体的区域内，因此即使厚度为0.5mm以下，也能够将表面电极对磁场形成的妨碍抑制在最小限度。

另外，本实用新型的另一个低矮电感器设定为，线圈导体的一端与4 个表面电极中的2个连接，线圈导体的另一端与4个表面电极中的另2个连接，4个表面电极分开配置于主体的一个主面的四角，因此即使厚度为 0.5mm以下，也能将表面电极对磁场形成的妨碍抑制在最小限度。

此外，本实用新型的另一个低矮电感器，为表面安装型，具备：矩形薄板状的主体，其由多个基材层层叠而成，厚度为0.5mm以下；线圈导体，其内置于所述主体，在所述基材层的层叠方向上具有卷绕轴线；4个表面电极，其形成于所述主体的一个主面的面内；以及第一配线电极和第二配线电极，它们在所述主体的上述一个主面附近，形成于所述基材层之间，并且，所述线圈导体的一端经由所述第一配线电极而与所述表面电极中的至少一个连接，所述线圈导体的另一端经由所述第二配线电极而与所述表面电极中的至少另一个连接，其中，在沿所述基材层的层叠方向透视的情况下，4个所述表面电极的各中心分别配置于形成有所述线圈导体的区域内，在沿所述基材层的层叠方向透视的情况下，所述第一配线电极和所述第二配线电极分别主要配置于形成有所述线圈导体的区域内。

优选为，4个所述表面电极分开分别配置于所述主体的所述一个主面的四角。

优选为，在沿所述基材层的层叠方向透视的情况下，4个所述表面电极分别不与所述线圈导体的开口重叠，或者即使与所述线圈导体的开口重叠，重叠面积也在所述表面电极的面积的10％以下。

优选为，所述线圈导体的一端与所述表面电极中的2个连接，所述线圈导体的另一端与所述表面电极中的剩余2个连接。

优选为，所述第一配线电极包含第一分配电极，所述第二配线电极包含第二分配电极，所述线圈导体的一端与所述第一分配电极连接，所述第一分配电极与所述表面电极中的2个连接，所述线圈导体的另一端与所述第二分配电极连接，所述第二分配电极与所述表面电极中的剩余2个连接。

优选为，所述线圈导体的一端与所述表面电极中的一个连接，所述线圈导体的另一端与所述表面电极中的另一个连接，未与所述线圈导体连接的剩余2个所述表面电极分别为不实施电连接、用于提高安装强度的第一伪表面电极。

这些本实用新型的低矮电感器即使各个表面电极的面积变小，也会借助4个表面电极牢固地固定于外部的电极(基板的焊盘电极等)，因此能够将安装强度的降低抑制在最小限度。

附图说明

图1(A)是示出第一实施方式的低矮电感器100的立体图，是从上侧主面侧(另一个主面侧)观察低矮电感器100。

图1(B)是示出第一实施方式的低矮电感器100的立体图，是从下侧主面侧(一个主面侧)观察低矮电感器100。

图2是示出低矮电感器100的分解立体图。

图3(A)是从下侧主面侧(一个主面侧)观察低矮电感器100的透视图。

图3(B)是从下侧主面侧(一个主面侧)观察低矮电感器100的透视图。

图4是示出第二实施方式的低矮电感器200的主要部位分解立体图。

图5是示出第三实施方式的低矮电感器300的分解立体图。

图6是示出第四实施方式的低矮电感器400的立体图。从下侧主面侧 (一个主面侧)观察低矮电感器400。

图7是示出专利文献1中公开的电感器500的分解立体图。

具体实施方式

以下，结合附图，说明本实用新型的具体实施方式。

此外，各实施方式例示性地示出本实用新型的实施方式，本实用新型并不局限于实施方式的内容。另外，也能够组合不同实施方式中记载的内容进行实施，该情况下的实施内容也包含于本实用新型。另外，附图用于帮助理解实施方式，有时绘制得未必严密。例如，所描绘的构成要素或构成要素间的尺寸的比率有时并不与说明书中记载的它们的尺寸的比率一致。另外，说明书中记载的构成要素有时在附图中被省略，也有时省略个数而描绘等。

[第一实施方式]

图1(A)、图1(B)、图2、图3(A)、图3(B)示出第一实施方式的低矮电感器100。但是，图1(A)和图1(B)是示出低矮电感器100 的立体图。图2是低矮电感器100的分解立体图。图3(A)和图3(B) 是从下侧主面侧(一个主面侧)观察低矮电感器100的透视图。

低矮电感器100具备主体1。在本实施方式中，将图1(A)和图1(B) 所示的主体1的外形尺寸设定为宽度W3.5mm、进深D3.2mm、厚度 T0.35mm，构成得极其薄型(低矮)。本实用新型的低矮电感器是以厚度T 为0.5mm以下而宽度W和进深D分别为2.0mm～10.0mm左右的极薄型的电感器为对象。

主体1由从下侧起依次层叠有磁性体基材层1a～1d、非磁性体基材层 1e、磁性体基材层1f～1j的构造构成。非磁性体基材层1e由低磁导率或者非磁性的陶瓷形成。磁性体基材层1a～1d、1f～1j由磁导率比非磁性体基材层1e大的铁氧体等磁性陶瓷形成。

在磁性体基材层1a与磁性体基材层1b的层间形成有第一分配电极2a、第二分配电极2b。

在磁性体基材层1b与磁性体基材层1c的层间，形成有3匝环状导体图案3a。

在磁性体基材层1c与磁性体基材层1d的层间形成有3匝环状导体图案3b。

在磁性体基材层1d与非磁性体基材层1e的层间形成有3匝环状导体图案3c。

在非磁性体基材层1e与磁性体基材层1f的层间形成有3匝环状导体图案3d。

在磁性体基材层1f与磁性体基材层1g的层间，未形成环状导体图案。代之以，在磁性体基材层1f与磁性体基材层1g的层间形成有环状的空隙4。

在磁性体基材层1g与磁性体基材层1h的层间形成有3匝环状导体图案3e。

在磁性体基材层1h与磁性体基材层1i的层间形成有3匝环状导体图案3f。

在磁性体基材层1i与磁性体基材层1j的层间形成有近3匝环状导体图案3e。

在主体1的一个主面(下侧主面)分散于四角地形成有4个表面电极5a～5d。此外，有时将仅在主体的下侧主面形成有安装用电极的电子部件称为LGA(Land grid array：栅格阵列)型。

另外，在主体1的一个主面的中央附近形成有不实施电连接、用于提高安装强度的4个第二伪表面电极6a～6d。第二伪表面电极与印刷布线板机械接合，但不实施电连接，在安装于基板等后，也不与信号线、地线连接，因此即使设置于主体1的一个主面，也不会较大地妨碍磁场形成。此外，第二伪表面电极6a～6d在本实用新型中并非必须的结构，也能够省略。

在磁性体基材层1a～1d、非磁性体基材层1e、磁性体基材层1f～1i分别贯通两个主面间地形成有导通孔导体7。

表面电极5a、5b借助导通孔导体7与第一分配电极2a连接。同样地，表面电极5c、5d借助导通孔导体7与第二分配电极2b连接。

而且，第一分配电极2a、环状导体图案3a～3g、第二分配电极2b借助导通孔导体7依次连接。此外，在本实施方式中，环状导体图案3a～3g借助导通孔导体7连接，构成线圈导体。

其结果是，低矮电感器100在表面电极5a、5b与表面电极5c、5d之间，形成有线圈。

第一分配电极2a、第二分配电极2b，环状导体图案3a～3g、导通孔导体7例如以银作为主要成分。但是，它们的材质任意，也可以将铜、其它金属作为主要成分。另外，还可以含有多种金属，这些金属也可以是合金。

由以上构造构成的第一实施方式的低矮电感器100具备如下特征。

如图3(A)所示，低矮电感器100的4个表面电极5a～5d分散配置于主体1的一个主面(下侧主面)的四角。而且，在沿主体1的层叠方向(基材层的层叠方向)透视的情况下，表面电极5a～5d的各中心P配置于形成有线圈导体(环状导体图案3a～3g)的区域E内。

低矮电感器100通过将一个表面电极分割为2个表面电极5a、5b，将另一个表面电极分割为2个表面电极5c、5d，由此缩小各个表面电极5a～5d 的面积。表面电极的面积越大，表面电极妨碍线圈的磁场形成的影响越大，但在低矮电感器100中，通过缩小表面电极5a～5d的面积，由此表面电极 5a～5d对磁场形成的妨碍减小。

另外，在沿主体1的层叠方向(基材层的层叠方向)透视的情况下，与表面电极5a～5d位于线圈导体(环状导体图案3a～3g)的形成区域E内的情况相比，在表面电极5a～5d位于线圈的开口F内的情况下，妨碍磁场形成的影响更大。低矮电感器100将表面电极5a～5d的各中心P配置于区域E内，由此减小表面电极5a～5d对磁场形成的妨碍。

并且，低矮电感器100的表面电极5a～5d分别仅略微与线圈的开口F 重叠。在本实施方式中，表面电极5a～5d与线圈的开口F的重叠面积在表面电极5a～5d的面积的3％以下。最好表面电极5a～5d不与线圈的开口F 重叠。即使在表面电极5a～5d与线圈的开口F重叠的情况下，最好其面积也尽可能地小，若考虑对磁场形成的妨碍，则优选为表面电极5a～5d的面积的10％以下。低矮电感器100通过缩小表面电极5a～5d与线圈的开口F 的重叠，从而减小表面电极5a～5d对磁场形成的妨碍。

综上所述，低矮电感器100尽管厚度为0.35mm，较小，环状导体图案 3a与表面电极5a～5d之间的距离较小，也能将表面电极5a～5d对由线圈导体(环状导体图案3a～3g)形成磁场的妨碍抑制在最小限度。

此外，低矮电感器100中，虽然表面电极5a～5d的面积较小，但具备 4个表面电极5a～5d，因此能够牢固地固定于外部的电极(基板的焊盘电极等)，能够确保足够的安装强度。

另外，如图3(B)所示，在沿主体1的层叠方向(基材层的层叠方向) 透视的情况下，低矮电感器100的第一分配电极2a、第二分配电极2b分别主要配置于形成有线圈导体(环状导体图案3a～3g)的区域E内。与第一分配电极2a、第二分配电极2b位于线圈导体(环状导体图案3a～3g)的形成区域E内的情况相比，第一分配电极2a、第二分配电极2b位于线圈的开口F内的情况下，妨碍磁场形成的影响更大。在低矮电感器100中，通过将第一分配电极2a、第二分配电极2b主要配置于区域E内，由此减小第一分配电极2a、第二分配电极2b对磁场形成的妨碍。

另外，低矮电感器100的主体1由磁性体基材层1a～1d、1f～1j、非磁性体基材层1e构成。若主体1全部由磁性体基材层形成，则在流有较大的直流电流的情况下，容易产生磁饱和，有电感值急剧降低之虞。然而，低矮电感器100由于主体1具备非磁性体基材层1e，因此直流重叠特性得以改善，即使流动较大的直流电流，也不易产生磁饱和，电感值不会急剧降低。

另外，低矮电感器100在磁性体基材层1f与磁性体基材层1g的层间形成有环状的空隙4。在沿主体1的层叠方向(基材层的层叠方向)透视的情况下，空隙4与形成有线圈导体(环状导体图案3a～3g)的区域E几乎重叠地形成。如本实施方式所示，在主体1由陶瓷形成的情况下，在制造工序中需要烧制工序，但在烧制后的冷却时，有可能在基材层(磁性体基材层1a～1d、1f～1j、非磁性体基材层1e)与环状导体图案3a～3g之间，因热收缩率的差异而产生应力，在烧制后的主体1产生应力形变，而致使磁导率降低等磁特性降低。然而，只要在主体1的内部形成空隙，就能借助该空隙缓和在基材层与环状导体图案之间产生的应力。低矮电感器100 通过形成有空隙4，而使在基材层与环状导体图案之间产生的应力缓和，抑制磁特性的降低。

并且，低矮电感器100的第二伪表面电极6a～6d被分割为4个。在不分割第二伪表面电极而将其设定为一个面积较大的电极的情况下，在将第二伪表面电极钎焊于基板的焊盘电极等时，有焊料膜厚过大而致使安装不良之虞。低矮电感器100通过将第二伪表面电极分割为4个第二伪表面电极6a～6d并缩小各自的面积，由此在钎焊时，避免焊料膜厚过大，抑制安装不良的产生。

具备如上所述的构造和特征的本实施方式的低矮电感器100能够利用现有的、一般的、在层叠有多个基材层的主体中内置有线圈导体的电感器的制造方法进行制造。低矮电感器100例如能够使用以下方法制造。

首先，准备用于形成磁性体基材层1a～1d、1f～1j的由磁性铁氧体等构成的陶瓷印刷电路基板。另外，准备用于形成非磁性体基材层1e的由非磁性铁氧体等构成的陶瓷印刷电路基板。

接下来，根据需要，在这些陶瓷印刷电路基板形成用于形成导通孔导体7的孔。接着，向所形成的孔中填充导电性膏。另外，根据需要，在陶瓷印刷电路基板的主面上将用于形成环状导体图案3a～3g、表面电极 5a～5d、第二伪表面电极6a～6d的导电性膏涂敷为规定形状。

另外，为了形成空隙4，在用于形成磁性体基材层1f的陶瓷印刷电路基板的主面(上侧主面)上，将会因烧制而消失的材料涂敷为规定形状。例如能够使用碳膏作为因烧制而消失的材料。

按照规定顺序层叠陶瓷印刷电路基板，并加压使之一体化，获得未烧制的主体。接着，将未烧制的主体以规定外形进行烧制，完成第一实施方式的低矮电感器100。此外，还可以进一步对表面电极5a～5d、第二伪表面电极6a～6d的表面实施镀敷。

[第二实施方式]

图4示出第二实施方式的低矮电感器200。但是，图4是低矮电感器 200的主要部位分解立体图。

低矮电感器200对第一实施方式的低矮电感器100的局部施加了变更。

在低矮电感器100中，将2个表面电极5a、5b与第一分配电极2a连接，将2个表面电极5c、5d与第二分配电极2b连接。

在低矮电感器200中，将第一实施方式的第一分配电极2a置换为形状不同的第一布线电极12a，将第一实施方式的第二分配电极2b置换为形状不同的第二布线电极12b。进而，借助导通孔导体7仅将表面电极5a与第一布线电极12a连接，借助导通孔导体7仅将表面电极5c与第二布线电极 12b连接。

第一实施方式的表面电极5b不与第一布线电极12a连接，设定为不实施电连接的第一伪表面电极16a。第一实施方式的表面电极5d不与第二布线电极12b连接，设定为不实施电连接的第一伪表面电极16b。

低矮电感器200的其它结构都与第一实施方式的低矮电感器100相同。

[第三实施方式]

图5示出第三实施方式的低矮电感器300。但是，图5是低矮电感器 300的分解立体图。

低矮电感器300在第一实施方式的低矮电感器100中追加了结构。

低矮电感器300在主体1(磁性体基材层1j)的另一个主面(上侧主面)上追加不实施电连接的8个第三伪表面电极26a～26h。

第三伪表面电极26a～26h是为避免在烧制工序中在主体1产生翘曲而设置的部件。即，在主体1由陶瓷构成的情况下，在制造工序中需要烧制工序，但在仅在主体1的一个主面形成电极(表面电极5a～5d、第二伪表面电极6a～6d)、在主体1的另一个主面不形成电极的情况下，有在主体1 的两个主面间，热收缩率不同，而在烧制后的主体1产生翘曲之虞。低矮电感器300通过在主体1的另一个主面形成第三伪表面电极26a～26h，由此使主体1的两个主面间的热收缩率均等，抑制在烧制工序中在主体1产生翘曲。

此外，在沿层叠方向(基体的层叠方向)对主体1进行透视的情况下，第三伪表面电极26a～26h形成于与表面电极5a～5d、第二伪表面电极6a～6d 重叠的位置。这是为了将对磁场形成的妨碍阻止在最小限度。即，在第三伪表面电极26a～26h形成于不与表面电极5a～5d、第二伪表面电极6a～6d 重叠的位置的情况下，磁通的一部分在主体1的一个主面上受表面电极 5a～5d、第二伪表面电极6a～6d妨碍，磁通的另一部分在主体1的另一个主面上受第三伪表面电极26a～26h妨碍。其结果是，因这些电极，较大地妨碍磁场形成。然而，如果将第三伪表面电极26a～26h形成于与表面电极 5a～5d、第二伪表面电极6a～6d重叠的位置，则在主体1的一个主面上受表面电极5a～5d、第二伪表面电极6a～6d妨碍的磁通在主体1的另一个主面上也受第三伪表面电极26a～26h妨碍，但在主体1的一个主面上不受表面电极5a～5d、第二伪表面电极6a～6d妨碍的磁通在主体的另一个主面上也不受第三伪表面电极26a～26h妨碍。即，低矮电感器300通过将在主体1 的一个主面上受表面电极5a～5d、第二伪表面电极6a～6d妨碍的磁通与在主体的另一个主面上受第三伪表面电极26a～26h妨碍的磁通共性化，由此充分地确保在主体的一个主面上不受表面电极5a～5d、第二伪表面电极 6a～6d妨碍并且在主体的另一个主面上不受第三伪表面电极26a～26h妨碍的磁通的量，从而将表面电极5a～5d、第二伪表面电极6a～6d、第三伪表面电极26a～26h对磁场形成的妨碍抑制在最小限度。

低矮电感器300的其它结构都与第一实施方式的低矮电感器100相同。

[第四实施方式]

图6示出第四实施方式的低矮电感器400。但是，图6是从下侧主面侧(一个主面侧)观察低矮电感器400的立体图。

低矮电感器400对第一实施方式的低矮电感器100的局部施加了变更。

即，在低矮电感器100中，将4个表面电极5a～5d分别分开配置于主体1的下侧主面(一个主面)的四角。

与此相对地，在低矮电感器400中，将4个表面电极5a’～5d’分别沿主体1的下侧主面(一个主面)的4个边的中间部分配置。

低矮电感器400的其它结构都与第一实施方式的低矮电感器100相同。

这样，能够适当地调整表面电极的形成位置。

以上，对第一实施方式～第四实施方式的低矮电感器100～400进行了说明。然而，本实用新型并不局限于上述内容，能够按照实用新型的主旨，实施各种变更。

例如，低矮电感器100～400的厚度设定为0.35mm，但厚度并不局限于该大小，也能够从0.5mm以下的大小中任意设定。

另外，在低矮电感器100～400中，由陶瓷形成主体1，但主体1的材质任意，例如也可以由树脂等形成。

另外，在低矮电感器100～400中，将环状导体图案3a～3g分别形成为 3匝或者略少于3匝，但环状导体图案3a～3g的匝数、形状任意。例如，可以将匝数设定为1匝，也可以设定为2匝或者4匝以上。另外，还可以变更环状导体图案3a～3g的形状。

并且，形成主体1的基材层(磁性体基材层1a～1d、1f～1j、非磁性体基材层1e)的层数、环状导体图案3a～3g的层数任意，能够不局限于上述内容，各自进行增减。

附图标记说明

1…主体；1a～1d、1f～1j…磁性体基材层；1e…非磁性体基材层；2a…第一分配电极；2b…第二分配电极；3a～3g…环状导体图案；4…空隙；5a～5d、 5a’～5d’…表面电极；6a～6d…第二伪表面电极；7…导通孔导体；16a、16b…第一伪表面电极；26a～26h…第三伪表面电极；E…形成有线圈导体(环状导体图案3a～3g)的区域；F…线圈的开口。