1.一种阵列基板，包括依次形成于基底上的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，以及贯穿所述第一缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的过孔，其特征在于，所述过孔的侧壁上至少与所述第一绝缘层对应的位置覆盖有保护膜层。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述保护膜层还覆盖在所述过孔的侧壁上与所述第二绝缘层和第三绝缘层对应的位置。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述保护膜层的材料为高分子聚合物。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述保护膜层的材料为碳氟聚合物。
5.如权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括形成于所述基底上的第一膜层，所述第一膜层位于所述基底和所述第一绝缘层之间。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层为源漏电极层，所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层形成钝化层，所述第一绝缘层为钝化过渡层，所述第二绝缘层为钝化主体层，所述第三绝缘层为钝化顶层。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板制备方法，用于在阵列基板上刻蚀过孔，所述阵列基板包括依次形成于基底上第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，其特征在于，所述方法包括第一阶段和第二阶段；
第一阶段：向刻蚀设备内通入刻蚀气体，利用刻蚀气体依次刻蚀所述第三绝缘层和第二绝缘层，以形成贯穿所述第三绝缘层和第二绝缘层的过孔；
第二阶段：向所述刻蚀设备内通入刻蚀气体和保护气体，并保持刻蚀设备内的压力不变，利用所述刻蚀气体刻蚀所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层，以使所述过孔贯穿所述第一绝缘层，并在刻蚀所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的过程中，利用所述保护气体在所述过孔的内侧形成保护膜层；当所述第二阶段结束时，所述保护膜层至少覆盖于所述过孔的侧壁上与所述第一绝缘层对应的位置。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第二阶段，在刻蚀所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的过程中，利用所述保护气体在所述过孔的底部和侧壁形成保护膜层，并利用所述刻蚀气体去除所述保护膜层，使所述过孔沿垂直和平行于所述阵列基板的方向延伸；
当所述第二阶段结束时，所述过孔贯穿所述第一绝缘层，且所述过孔底部的保护膜层被完全去除，所述保护膜层覆盖于所述过孔的整个侧壁上。
10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述保护气体包括C4F8或CF4。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述向刻蚀设备内通入刻蚀气体，具体包括：
向所述刻蚀设备的上电极加载第一功率，向所述刻蚀设备的下电极加载第二功率，并向所述刻蚀设备内通入第一流量的刻蚀气体。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述向所述刻蚀设备内通入刻蚀气体和保护气体，具体包括：
向所述上电极加载第三功率，保持所述下电极上加载的第二功率不变，向所述刻蚀设备内通入第二流量的所述刻蚀气体和第三流量的保护气体，并保持所述刻蚀设备内压力不变；其中，所述第三功率小于所述第一功率，所述第二流量小于所述第一流量。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第二流量为所述第一流量的二分之一，所述第三流量为所述第二流量的2倍。
14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体为SF6，所述第一功率为8000W，所述第二功率为2000W，所述第一流量为1200sccm。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述保护气体为C4F8；
所述第三功率为7000W，所述第二流量为600sccm，所述第三流量为1200sccm。