显示基底、制造其的方法及包括其的显示装置与流程

描述的技术总体上涉及显示基底、制造该显示基底的方法和包括该显示基底的显示装置。

背景技术：

在诸如有机发光二极管(oled)装置和液晶显示器(lcd)的显示装置中，显示基底通常包括薄膜晶体管(tft)、电容器和布线。包括电极和发射层的显示结构随后形成在显示基底上。

随着显示分辨率增加，像素或像素电路的尺寸变得越来越小。因此，为了实现高分辨率显示装置，正在开发形成精细图案的方法。

技术实现要素：

一个发明方面涉及一种具有改善的显示质量的显示基底。

另一方面是一种形成具有改善的显示质量的显示基底的方法。

另一方面是一种具有改善的显示质量的显示装置。

另一方面是一种显示基底，其包括：基础基底；下部堆叠结构，在基础基底上，下部堆叠结构包括有源图案、栅电极和多个绝缘层；布线，在下部堆叠结构上；以及彩色覆盖图案，在布线中的各条布线上。

在示例实施例中，下部堆叠结构包括多个台阶部分，布线包括具有不同高度的上表面。

在示例实施例中，彩色覆盖图案的上表面位于同一高度处。

在示例实施例中，彩色覆盖图案包括包含彩色材料的非光敏聚合物。

在示例实施例中，彩色材料包括黑色材料或染料。

在示例实施例中，染料对具有在从大约300nm到大约500nm范围内的波长的光具有吸收。

在示例实施例中，绝缘层包括：阻挡层，在基础基底的顶表面上；栅极绝缘层，在阻挡层上，栅极绝缘层覆盖有源图案；以及绝缘层间层，在栅极绝缘层上，绝缘层间层覆盖栅电极。

在示例实施例中，栅电极包括彼此叠置的第一栅电极和第二栅电极。栅极绝缘层可包括：第一栅极绝缘层，位于有源图案与第一栅电极之间；第二栅极绝缘层，位于第一栅电极与第二栅电极之间。

在示例实施例中，布线的与有源图案、第一栅电极和第二栅电极在下部堆叠结构的高度方向上叠置的部分具有在布线的上表面之中的最上部的表面。

在示例实施例中，布线的与下部堆叠结构的省略有源图案、第一栅电极和第二栅电极的区域叠置的部分具有在布线的上表面之中的最下部的表面。

在示例实施例中，显示基底还包括穿过绝缘层间层和栅极绝缘层延伸以接触有源图案的第一电极和第二电极。

在示例实施例中，显示基底还包括分别设置在第一电极和第二电极上的第一电极覆盖图案和第二电极覆盖图案。

在示例实施例中，第一电极覆盖图案和第二电极覆盖图案包括与覆盖图案的材料相同的材料。第一电极覆盖图案和第二电极覆盖图案的上表面可位于与覆盖图案的高度相同的高度处。

在示例实施例中，显示基底还包括：通孔绝缘层，在绝缘层间层上，通孔绝缘层覆盖第一电极和第二电极；第三电极，在通孔绝缘层上，第三电极电连接到第二电极；以及像素限定层，在通孔绝缘层上，像素限定层部分地覆盖第三电极。

另一方面是一种显示装置，其包括：基础基底；下部堆叠结构，在基础基底上，下部堆叠结构包括有源图案、栅电极和多个绝缘层；布线，在下部堆叠结构上，布线包括具有不同高度的上表面；覆盖图案，在布线中的各条布线上，覆盖图案包括在相同高度处的上表面；源电极和漏电极，穿过绝缘层中的至少一部分延伸以电连接到有源图案；像素电极，电连接到漏电极；显示层，在像素电极上；以及对电极，相对于显示层与像素电极面对。

在示例实施例中，覆盖图案包括彩色非光敏聚合物。

在示例实施例中，覆盖图案包括染料或黑色材料。

在示例实施例中，显示装置还包括与布线交叉的栅极线。栅电极可包括彼此叠置的第一栅电极和第二栅电极。

在示例实施例中，布线根据下部堆叠结构的轮廓包括台阶部分，通过覆盖图案来使台阶部分平坦化。

另一方面是一种制造显示基底的方法。在该方法中，可在基础基底上形成有源图案。可在基础基底上形成栅极绝缘层以覆盖有源图案。可在栅极绝缘层上形成栅电极。可在栅极绝缘层上形成绝缘层间层以覆盖栅电极。可在绝缘层间层上形成导电层。导电层可在与有源图案和栅电极中的至少一个叠置的区域处包括台阶部分。可在导电层上形成平坦化层。可在平坦化层上形成光致抗蚀剂层。可通过部分地去除光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。可利用光致抗蚀剂图案通过光刻工艺来部分地去除平坦化层和导电层以形成覆盖图案和布线。

在示例实施例中，平坦化层由彩色非光敏聚合物形成。

在示例实施例中，通过执行曝光工艺来形成光致抗蚀剂图案。平坦化层可包括对在曝光工艺中使用的光具有吸收的染料。

在示例实施例中，穿过绝缘层间层和栅极绝缘层形成电极以与有源图案接触。可在电极上形成电极覆盖图案。可通过光刻工艺分别由导电层和平坦化层来形成电极和电极覆盖图案。

另一方面是一种显示基底，其包括：基础基底；堆叠结构，在基础基底上，堆叠结构包括有源图案、栅电极和多个绝缘层；多条布线，在堆叠结构上；以及多个彩色覆盖图案，在布线中的各条布线上。

在以上显示基底中，堆叠结构包括多个台阶部分，其中，布线包括距基础基底具有不同高度的多个上表面。

在以上显示基底中，彩色覆盖图案分别包括距基础基底具有相同距离的多个上表面。

在以上显示基底中，彩色覆盖图案由包括彩色材料的非光敏聚合物形成。

在以上显示基底中，彩色材料包括黑色材料或染料。

在以上显示基底中，染料被构造为吸收具有在从大约300nm到大约500nm范围内的波长的光。

在以上显示基底中，绝缘层包括：阻挡层，在基础基底的顶表面上；栅极绝缘层，在阻挡层上，栅极绝缘层覆盖有源图案；以及绝缘层间层，在栅极绝缘层上，绝缘层间层覆盖栅电极。

在以上显示基底中，栅电极包括在显示基底的深度维度上彼此叠置的第一栅电极和第二栅电极，其中，栅极绝缘层包括：第一栅极绝缘层，置于有源图案与第一栅电极之间；第二栅极绝缘层，置于第一栅电极与第二栅电极之间。

在以上显示基底中，布线的与有源图案、第一栅电极和第二栅电极在堆叠结构的深度方向上叠置的多个部分具有在布线的多个上表面之中的最上部的表面。

在以上显示基底中，布线的与省略有源图案、第一栅电极和第二栅电极的堆叠结构叠置的多个部分具有在所述布线的多个上表面之中的最下部的表面。

以上显示基底还包括穿过绝缘层间层和栅极绝缘层延伸以接触有源图案的第一电极和第二电极。

以上显示基底还包括分别设置在第一电极和第二电极上的第一电极覆盖图案和第二电极覆盖图案。

在以上显示基底中，第一电极覆盖图案和第二电极覆盖图案由与彩色覆盖图案的材料相同的材料形成，其中，第一电极覆盖图案和第二电极覆盖图案的多个上表面具有与彩色覆盖图案的高度相同的高度。

以上显示基底还包括：通孔绝缘层，在绝缘层间层上，通孔绝缘层覆盖第一电极和第二电极；第三电极，在通孔绝缘层上，第三电极电连接到第二电极；以及像素限定层，在通孔绝缘层上，像素限定层部分地覆盖第三电极。

另一方面是一种显示装置，其包括：基础基底；堆叠结构，在基础基底上，堆叠结构包括有源图案、栅电极和多个绝缘层；多条布线，在堆叠结构上，布线包括具有不同高度的多个上表面；多个覆盖图案，在布线中的各个上，覆盖图案分别包括距基础基底具有相同距离的多个上表面；源电极和漏电极，穿过绝缘层中的至少一部分延伸以电连接到有源图案；像素电极，电连接到漏电极；显示层，在像素电极上；以及对电极，相对于显示层与像素电极面对。

在以上显示装置中，覆盖图案由彩色非光敏聚合物形成。

在以上显示装置中，覆盖图案包括染料或黑色材料。

以上显示装置还包括分别与布线交叉的多条栅极线，其中，栅电极包括在显示装置的深度维度上彼此叠置的第一栅电极和第二栅电极。

在以上显示装置中，布线中的每条包括基于堆叠结构的轮廓的台阶部分，其中，通过覆盖图案来使每个台阶部分平坦化。

在以上显示装置中，覆盖图案分别具有距基础基底等距的多个上表面。

在以上显示装置中，覆盖图案分别具有距基础基底不等距的多个下表面。

在以上显示装置中，覆盖图案中的至少两个具有不同的厚度。

另一方面是一种制造显示基底的方法，其包括以下步骤：在基础基底上形成有源图案；在基础基底上形成栅极绝缘层以覆盖所述有源图案；在栅极绝缘层上形成栅电极；在栅极绝缘层上形成绝缘层间层以覆盖所述栅电极；在绝缘层间层上形成导电层，导电层在与有源图案和栅电极中的至少一个在显示基底的深度维度上叠置的区域处包括台阶部分；在导电层上形成平坦化层；在平坦化层上形成光致抗蚀剂层；部分地去除光致抗蚀剂层从而形成光致抗蚀剂图案；基于光致抗蚀剂图案用光刻工艺部分地去除平坦化层和导电层，从而形成多个覆盖图案和多条布线。

在以上方法中，平坦化层由彩色非光敏聚合物形成。

在以上方法中，形成光致抗蚀剂图案的步骤包括执行曝光工艺，其中，平坦化层包括对在曝光工艺中使用的光具有吸收的染料。

以上方法还包括：穿过绝缘层间层和栅极绝缘层形成多个电极以与有源图案接触；在电极上形成多个电极覆盖图案，其中，使用光刻工艺分别由导电层和平坦化层来形成电极和电极覆盖图案。

附图说明

图1是示出根据示例实施例的显示基底的俯视平面图。

图2和图3是示出根据示例实施例的显示基底的剖视图。

图4是示出根据示例实施例的显示基底的俯视平面图。

图5和图6是示出根据示例实施例的显示基底的剖视图。

图7和图8分别是示出根据示例实施例的与包括在显示基底中的布线相邻的区域的俯视平面图和剖视图。

图9是示出根据示例实施例的显示基底的剖视图。

图10至图24是示出根据示例实施例的制造显示基底的方法的俯视平面图和剖视图。

图25至图27是示出根据对比示例的形成布线的方法的剖视图。

图28是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。

具体实施方式

在下文中，将参照示出一些示例实施例的附图来更充分地描述各种示例实施例。然而，所描述的技术能以许多不同的形式实施，并且不应被解释为受限于在此所阐述的示例实施例。相反，提供这些示例实施例使得本描述将是彻底的和完全的，并且将把所描述的技术的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，能夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。

同样的符号始终表示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何组合和所有组合。

将理解的是，尽管可以在这里使用术语第一、第二、第三、第四等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部件，但是这些元件、组件、区域、层和/或部件不应该受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部件与另一元件、组件、区域、层或部件区分开。因此，在不脱离所描述的技术的教导的情况下，可将以下讨论的第一元件、组件、区域、层或部件命名为第二元件、组件、区域、层或部件。

为了易于描述，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等空间相对术语，来描述如附图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可包含上方和下方两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或在其它方位)并且应该相应地解释在这里使用的空间相对描述语。

在这里使用的术语仅用于描述具体的示例实施例的目的而非意图限制所描述的技术。如在这里使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个”、“一种”和“该/所述”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”及其变型时，表明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

在这里参照是理想化的示例实施例的示意性图示(和中间结构)的截面图示来对示例实施例进行描述。这样地，将预料到由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，示例实施例不应被解释为受限于在此示出的区域的具体形状，而是将包括例如由制造造成的形状上的偏差。例如，被示出为矩形的注入区域将典型地具有圆形的或弯曲的特征和/或在其边缘处的注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变换。同样地，通过注入形成的掩埋区域可在掩埋区域与发生注入所穿过的表面之间的区域中引起一些注入。因此，在附图中示出的区域实质上是示意性的，它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状并且不意图限制所描述技术的范围。

除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与所描述的技术所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非这里明确这样定义，否则诸如在通用字典中定义的术语应当被解释为具有与在相关领域的上下文中的它们的含义一致的含义，而不将以理想化或过于形式化的意思来解释。

尽管可以不示出一些剖视图的相应的平面图和/或透视图，但在这里示出的装置结构的剖视图为如将在平面图中示出的沿两个不同的方向延伸的多个装置结构和/或如将在透视图中示出的在三个不同方向上延伸的多个装置结构提供支持。两个不同的方向可以彼此正交或者可以彼此不正交。三个不同的方向可包括可与所述两个不同方向正交的第三方向。多个装置结构可集成到同一电子装置中。例如，当在剖视图中示出装置结构(例如，存储单元结构或晶体管结构)时，如将通过电子装置的平面图示出，电子装置可包括多个装置结构(例如，存储单元结构或晶体管结构)。多个装置结构可以布置为阵列和/或二维图案。在本公开中，术语“基本上(基本)”包括完全地、几乎完全地或者在一些应用下以及根据本领域技术人员达到的任何显著程度的含义。而且，“形成在、设置在或者位于……上方”也可意味着“形成在、设置在或者位于……上”。术语“连接”包括电连接。

图1是示出根据示例实施例的显示基底的俯视平面图。图2和图3是示出根据示例实施例的显示基底的剖视图。

例如，图1包括包含在显示基底中的像素的电路布局。例如，图1示出彼此邻近的两个像素。为了便于描述，在图1中省略了绝缘结构的示出。将与基础基底100的顶表面平行并且彼此垂直的两个方向限定为第一方向和第二方向。贯穿在此提供的附图，对方向的限定可是相同的。

图2包括沿图1中标示的线i-i’和ii-ii’截取的剖视图。图3包括沿图1中标示的线iii-iii’和iv-iv’截取的剖视图。

参照图1至图3，显示基底包括可设置在基础基底100上的有源图案110、栅极线132、134和136、栅电极130以及布线160、162和164。覆盖图案170和172可形成在布线160、162和164上。

显示基底还可包括具有多个绝缘层的绝缘结构和电极。绝缘结构可包括阻挡层105、栅极绝缘层120、绝缘层间层140、通孔绝缘层180和像素限定层195。电极可包括第一电极150、第二电极155和第三电极190。

玻璃基底或塑料基底可用作基础基底100。在一些实施例中，基础基底100包括具有透明和柔性性质的聚合物材料。在这种情况下，显示基底可实施为透明柔性显示装置。例如，基础基底100由聚酰亚胺、环氧类树脂、丙烯酰类树脂或聚酯等形成。在实施例中，基础基底100由聚酰亚胺形成。

阻挡层105可形成在基础基底100的顶表面上。阻挡层105可防止杂质和湿气在基础基底100与在其上的结构之间扩散。

例如，阻挡层105由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成。这些可单独使用或者使用其组合。阻挡层105可具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。

有源图案110可设置在阻挡层105上。有源图案110可按每个像素布置为重复的形状。有源图案110可包括诸如多晶硅的硅化合物。可在有源图案110的一些部分处掺杂p型杂质或n型杂质以增加其导电性。

在一些实施例中，有源图案110由氧化物半导体(例如，铟镓锌氧化物(igzo)、锌锡氧化物(zto)或铟锡锌氧化物(itzo))形成。

栅极绝缘层120可形成在阻挡层105上，并且可覆盖有源图案110。栅极绝缘层120可包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。这些可单独使用或者使用其组合。栅极绝缘层120可具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。

如图2和图3中所示，栅极绝缘层120可沿着阻挡层105和有源图案110的表面具有共形表面轮廓。在一些实施例中，栅极绝缘层120在与有源图案110叠置的区域处包括台阶部分。

栅电极130以及第一至第三栅极线132、134和136可设置在栅极绝缘层120上。

在示例实施例中，栅极线132、134和136沿第一方向延伸，并且与有源图案110的多个区域叠置。此外，栅极线132、134和136可与包括在多个像素中的有源图案110叠置。

栅电极130可具有与有源图案110的区域叠置的平板形状。

在一些实施例中，将第一栅极线132用作发射控制线。第二栅极线134和第三栅极线136可用作扫描线。栅电极130在平面图中可置于第一栅极线132与第二栅极线134之间。

p型杂质或n型杂质可在有源图案110的不与栅电极130以及栅极线132、134和136叠置的区域中进行掺杂以提供导电性。有源图案110的与栅电极130以及栅极线132、134和136基本叠置的区域可用作沟道区。

因此，可通过栅电极130、栅极线132、134和136以及有源图案110来限定多个晶体管。在一些实施例中，如在图1中所示，将第一晶体管tr1限定在栅电极130与有源图案110的叠置区域处。可将第二晶体管至第七晶体管tr2、tr3、tr4、tr5、tr6和tr7限定在栅极线132、134和136与有源图案110的叠置区域处。

在一些实施例中，第一晶体管tr1用作将驱动电流供应到显示基底或包括显示基底的显示装置的驱动晶体管。例如，第七晶体管tr7用作开关晶体管。

栅电极130以及栅极线132、134和136包括诸如铝(al)、银(ag)、钨(w)、铜(cu)、镍(ni)、铬(cr)、钼(mo)、钛(ti)、铂(pt)、钽(ta)、钕(nd)和钪(sc)的金属、它们的合金或它们的氮化物。这些可单独使用或者使用其组合。栅电极130以及栅极线132、134和136可包括具有不同物理和化学性质的至少两个金属层。例如，栅电极130以及栅极线132、134和136具有诸如al/mo结构或ti/cu结构的多层结构。

绝缘层间层140可形成在栅极绝缘层120上，并且可覆盖栅电极130以及栅极线132、134和136。绝缘层间层140可由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成。这些可单独使用或者使用其组合。绝缘层间层140可具有包括氧化硅层和氮化硅层的多层结构。

如图2和图3中所示，绝缘层间层140可沿着栅极绝缘层120、栅电极130以及栅极线132、134和136的表面具有共形表面轮廓。在一些实施例中，绝缘层间层140可在与有源图案110、栅电极130和/或栅极线132、134和136叠置的区域处具有台阶部分。

如图2中所示，第一电极150和第二电极155穿过绝缘层间层140和栅极绝缘层120延伸以接触有源图案110。例如，第一电极150和第二电极155与有源图案110的杂质区域接触。例如，有源图案110的在杂质区域之间与第三栅极线136叠置的一部分可用作电荷可通过其传输或移动的沟道区。

在一些实施例中，第一电极150和第二电极155分别用作源电极和漏电极。

如图1和图3中所示，第一布线至第三布线160、162和164设置在绝缘层间层140上。

第一布线160和第二布线162可在第二方向上延伸，并且可与栅极线132、134和136交叉。第一布线160和第二布线162可共用地设置在像素中，并且可沿第一方向重复地布置。

第一布线160可基本设置在在第一方向上相邻的像素的边界处。如图1和图3中所示，第一布线160与包括在相邻的两个像素中的有源图案110共同地且部分地叠置。在一些实施例中，第一布线160用作显示基底或显示装置的电力线(例如，elvdd线)。

第二布线162可沿第一方向相邻于第一布线160，并且可在第二方向上延伸以与栅极线132、134和136以及栅电极130叠置。在一些实施例中，第二布线162用作显示基底或显示装置的数据线。

第二布线162可相对于绝缘层间层140而与栅电极130或栅极线132、134和136叠置，因此，可在每个像素中形成至少一个电容器。

第三布线164可与第二栅极线134交叉，并且可电连接到栅电极130和有源图案110。例如，第三布线164用作显示基底或显示装置的源极线。

在示例实施例中，第一布线至第三布线160、162和164根据下部结构的轮廓而包括台阶部分。例如，第一布线至第三布线160、162和164包括具有不同高度的上表面。此外，第一布线至第三布线160、162和164中的每个可包括具有不同高度的多个上表面。

如图3中所示，第二布线162的一部分(表示为第一部分162a)设置在包括栅电极130和有源图案110的堆叠结构上。因此，第一部分162a可具有相对高的上表面。第一布线160的一部分可设置在省略栅电极130的堆叠结构上，并且可具有比第二布线162的第一部分162a的上表面低的上表面。第二布线162的第二部分162b可设置在省略栅电极130和有源图案110的堆叠结构上。因此，第二部分162b可包括在布线中最低的上表面。

在彼此相邻的有源图案110之间的堆叠结构可包括凹进，因此，在所述堆叠结构上的第一布线160也可包括凹进或台阶部分。

第一布线至第三布线160、162和164可由诸如ag、mg、al、w、cu、ni、cr、mo、ti、pt、ta、nd、sc等的金属、金属的合金和/或金属的氮化物形成。第一布线至第三布线160、162和164可具有包括至少两个不同的金属层的多层结构。

在一些实施例中，绝缘层间层140包括多个层。例如，第一电极150和第二电极155设置在第一绝缘层间层上，覆盖第一电极150和第二电极155的第二绝缘层间层可形成在第一绝缘层间层上。第一布线至第三布线160、162和164可设置在第二绝缘层间层上。

第一布线至第三布线160、162和164可通过接触来电连接到有源图案110。

如图1中所示，第一布线160通过第一接触152a来电连接到有源图案110。在一些实施例中，第一接触152a共用地连接到包括在两个相邻的像素中的有源图案110。可通过第一接触152a将驱动电流从第一布线160供应到有源图案110。

第二布线162可通过第二接触152b电连接到有源图案110。第三布线164可分别通过第三接触152c和第四接触152d电连接到栅电极130和有源图案110。

在示例实施例中，如图3中所示，覆盖图案170和172设置在布线160、162和164的上表面上。因此，布线160、162和164的上表面可由覆盖图案170和172覆盖，并且可以不暴露在外部。

第一覆盖图案170可设置在第一布线160上，第二覆盖图案172可设置在第二布线162上。第三覆盖图案(未示出)可设置在第三布线164上。

在示例实施例中，覆盖图案包括具有同一高度的上表面。覆盖图案可在具有相对高的上表面的布线上具有相对小的厚度。布线图案可在具有相对低的上表面的布线上具有相对大的厚度。

因此，第一覆盖图案170、第二覆盖图案172和第三覆盖图案的上表面可基本上彼此共面。例如，如图3中所示，第一覆盖图案170、第二覆盖图案172和第三覆盖图案的上表面位于距基础基底100的顶表面相同的高度(表示为“h”)处。

在示例实施例中，覆盖图案由彩色聚合物材料形成。在一些实施例中，覆盖图案由其中可分散或结合彩色材料的非光敏聚合物材料形成。例如，非光敏聚合物材料包括线型酚醛清漆、聚苯乙烯、聚羟基苯乙烯(phs)、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯酯、聚乙烯醚、聚烯烃、聚降冰片烯、聚酯、聚酰胺、聚碳酸酯等的主链结构。在曝光工艺中具有反应活性的官能团(例如，保护基团或离去基团)可以不包括在主链结构中。

包括在覆盖图案中的彩色材料可包括诸如碳黑的黑色材料或光吸收染料材料。在一些实施例中，染料材料对具有在从大约300nm到大约500nm范围中的波长的光具有吸收。

覆盖图案可覆盖布线160、162和164，从而可吸收或阻挡从布线160、162和164反射的光。因此，可防止由外部光引起的显示质量的劣化。

如图2中所示，通孔绝缘层180形成在绝缘层间层140上，并且覆盖第一电极150、第二电极155和覆盖图案。为了便于描述，在图3中省略对通孔绝缘层180的示出。

用于将第二电极155和第三电极190连接的通孔结构可形成在通孔绝缘层180中。在一些实施例中，通孔绝缘层180用作显示基底的平坦化层。通孔绝缘层180可包括诸如聚酰亚胺、环氧类树脂、丙烯酰类树脂或聚酯等的有机材料。

第三电极190可设置在通孔绝缘层180上，并且可包括穿过通孔绝缘层180延伸的通孔结构，以电连接到第二电极155。在示例实施例中，使第三电极190单独地形成在每个像素上。第三电极190可用作显示基底或显示装置的阳极或像素电极。

在实施例中，第三电极190包括具有高逸出功的透明导电材料。例如，第三电极190由铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、氧化锌或氧化铟形成。

在实施例中，第三电极190用作反射电极。在这种情况下，第三电极190可包括诸如al、ag、w、cu、ni、cr、mo、ti、pt、ta、nd或sc的金属或它们的合金。

在实施例中，第三电极190具有包括透明导电材料和金属的多层结构。

显示装置的背板(bp)结构可通过设置在基础基底100上的绝缘结构、有源图案110、栅电极130、栅极线132、134和136、布线160、162和164以及电极150、155和190来限定。

bp结构还可包括像素限定层195。像素限定层195可形成在通孔绝缘层180上，并且可覆盖第三电极190的外围部分。像素限定层195可包括例如聚酰亚胺或丙烯酰类树脂的有机材料。

图4是示出根据示例实施例的显示基底的俯视平面图。图5和图6是示出根据示例实施例的显示基底的剖视图。图5包括沿图4中标示的线i-i’和ii-ii’截取的剖视图。图6包括沿图4中标示的线iii-iii’和iv-iv’截取的剖视图。

除了栅电极和栅极绝缘层的构造之外，图4至图6的显示基底具有与在图1至图3中示出的元件和/或构造基本相同或相似的元件和/或构造。因此，在此省略对重复的元件和/或结构的详细描述，且同样的附图标记用来表示同样的元件。

参照图4至图6，包括在显示基底中的栅电极和栅极绝缘层均具有多层结构。在示例实施例中，与图1至图3的栅电极130基本相同的第一栅电极130a设置在第一栅极绝缘层120a上。第一栅极绝缘层120a可包括与在图1至图3中示出的栅极绝缘层120的材料和轮廓基本相同或相似的材料和轮廓。

第二栅极绝缘层120b可形成在第一栅极绝缘层120a上，并且可覆盖第一栅电极130a、栅极线132、134和136。第二栅极绝缘层120b可包括在与有源图案110、第一栅电极130a以及栅极线132、134和136叠置的区域处的台阶部分。

第二栅电极138可设置在第二栅极绝缘层120b上。如图4中所示，第二栅电极138可在第一栅极线132与第二栅极线134之间与第一栅电极130a叠置。在一些实施例中，第二栅电极138沿第一方向延伸以对多个像素共用地设置。

第二栅电极138可相对于第二栅极绝缘层120b与第一栅电极130a叠置。在示例实施例中，显示基底或显示装置的存储电容器(cst)由第二栅电极138、第二栅极绝缘层120b和第一栅电极130a限定。

绝缘层间层140可形成在第二栅极绝缘层120b上，并且可覆盖第二栅电极138。绝缘层间层140可在与有源图案110、第一栅电极130a和/或第二栅电极138叠置的区域处包括具有不同高度的台阶部分。

还如参照图1至图3示出的，包括位于不同高度处的上表面的第一布线至第三布线160、162和164可形成在绝缘层间层140上。

如图6中所示，第二布线162的第一部分162a设置在包括第二栅电极138、第一栅电极130a和有源图案110的堆叠结构上。因此，第一部分162a可具有相对高的上表面。第一布线160的一部分可设置在省略了第一栅电极130a的堆叠结构上，并且可具有比第二布线162的第一部分162a的上表面低的上表面。第二布线162的第二部分162b可设置在省略了栅电极130a和138以及有源图案110的堆叠结构上。因此，第二部分162b可包括在布线之中最低的上表面。此外，彼此相邻的有源图案110之间的堆叠结构可包括凹进，因此，在所述堆叠结构上的第一布线160还可包括凹进或台阶部分。

还如参照图1至图3所示的，覆盖图案设置在布线160、162和164上。第一覆盖图案170可设置在第一布线160上，第二覆盖图案172可设置在第二布线162上。第三覆盖图案(未示出)可设置在第三布线164上。

如上所述，覆盖图案可具有不同的厚度，并且可包括位于同一高度处的上表面。

第一电极150和第二电极155可穿过绝缘层间层140、第二栅极绝缘层120b和第一栅极绝缘层120a延伸以接触有源图案110。通孔绝缘层180可形成在绝缘层间层140上，并且可覆盖第一电极150和第二电极155。

第三电极190可设置在通孔绝缘层180上，并且可电连接到第二电极155。像素限定层195可形成在通孔绝缘层180上以部分地覆盖第三电极190。

图7和图8分别是示出根据示例实施例的与包括在显示基底中的布线相邻的区域的俯视平面图和剖视图。例如，图7和图8示出了包括在图4至图6的显示基底中的第一布线160的一部分和在第一布线160的该部分周围的堆叠结构。

参照图7和图8，第一布线160沿第二方向延伸，并且包括具有不同高度的多个上表面。如图8中所示，第一布线160在与第二栅电极138和有源图案110叠置的区域(例如，表示为“a”的区域)处具有相对高的上表面。第一布线160可在省略了第二栅电极138和有源图案110并且增加了第二栅极线134的区域(例如，表示为“c”的区域)处具有相对低的上表面。第一布线160可在省略了第二栅电极138、有源图案110和第二栅极线134的区域(例如，表示为“b”的区域)处具有最低的上表面。

第一覆盖图案170可覆盖第一布线160，并且可与第一布线160一起沿第二方向延伸。如在图8中所示，第一覆盖图案170的厚度可根据第一布线160的台阶结构而改变。

例如，第一覆盖图案170在区域“a”处具有相对小的厚度，并且在区域“c”处具有相对大的厚度。第一覆盖图案170可在区域“b”处具有最大的厚度。

在示例实施例中，第一覆盖图案170具有可变的厚度并且包括基本上平坦的顶表面。因此，由第一布线160下方的堆叠结构引起的第一布线160的台阶部分可通过第一覆盖图案170平坦化。

图9是示出根据示例实施例的显示基底的剖视图。除了电极覆盖图案之外，图9的显示基底可具有与参照图1至图3或图4至图6示出的元件和/或构造基本相同或相似的元件和/或构造。因此，在此省略对重复的元件和/或结构的详细描述，且同样的附图标记用来表示同样的元件。

参照图9，第一电极150a和第二电极155a穿过绝缘层间层140、第二栅极绝缘层120b和第一栅极绝缘层120a延伸以与有源图案110接触。在一些实施例中，第一电极150a和第二电极155a根据下部堆叠结构(或堆叠结构)的轮廓而均包括台阶部分或具有不同高度的上表面。

在示例实施例中，第一电极覆盖图案178a和第二电极覆盖图案178b分别设置在第一电极150a和第二电极155a上。第一电极覆盖图案178a和第二电极覆盖图案178b均可具有基本上平坦的上表面。第一电极覆盖图案178a和第二电极覆盖图案178b的上表面可位于基本上同一高度处，或者可彼此共面。

可通过第一电极覆盖图案178a和第二电极覆盖图案178b将包括在第一电极150a和第二电极155a中的台阶部分平坦化或去除。

在一些实施例中，第一电极覆盖图案178a和第二电极覆盖图案178b由与如上所述包括在覆盖图案170和172中的材料基本相同或相似的材料形成。例如，第一电极覆盖图案178a和第二电极覆盖图案178b包括彩色非光敏聚合物材料。

在一些实施例中，第一电极覆盖图案178a和第二电极覆盖图案178b的上表面位于与覆盖图案170和172的上表面的高度基本相同的高度处。

第三电极190可穿过通孔绝缘层180和第二电极覆盖图案178b延伸以电连接到第二电极155a。

图10至图24是示出根据示例实施例的制造显示基底的方法的俯视平面图和剖视图。例如，图10至图24示出制造在图4至图6中示出的显示基底的方法。

具体地，图10、图13和图16是示出方法的步骤的俯视平面图。为了便于描述，在图10、图13和图16中省略了对绝缘结构的示出。图11、图14、图17、图19和图24包括沿在俯视平面图中标示的线i-i’和ii-ii’截取的剖视图。图12、图15、图18以及图20至图23包括沿在俯视平面图中标示的线iii-iii’和iv-iv’截取的剖视图。

参照图10至图12，在基础基底100上形成阻挡层105，在阻挡层105上形成有源图案110。

玻璃基底或塑料基底可用作基础基底100。在一些实施例中，基础基底100由具有透明和柔性性质的聚合材料形成。

阻挡层105可覆盖基础基底100的整个上表面。阻挡层105可由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。

可由例如非晶硅或多晶硅在阻挡层105上形成半导体层，然后可使半导体层图案化以形成有源图案110。

在一些实施例中，在形成半导体层后，可进一步对半导体层执行诸如低温多晶硅(ltps)工艺或激光结晶工艺的结晶工艺。

在一些实施例中，半导体层由诸如igzo、zto或itzo的氧化物半导体形成。

如图10中所示，使有源图案110图案化以按每个像素重复地布置。

参照图13至图15，在阻挡层105上形成第一栅极绝缘层120a以覆盖有源图案110。可在第一栅极绝缘层120a上形成第一栅电极130a以及栅极线132、134和136。

可沿阻挡层105和有源图案110的表面共形地形成第一栅极绝缘层120a。第一栅极绝缘层120a可包括在有源图案110上的突出。第一栅极绝缘层120a可由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。

可在第一栅极绝缘层120a上形成第一导电层，然后可使第一导电层图案化以形成第一栅电极130a以及栅极线132、134和136。第一导电层可由金属、合金或金属氮化物形成。第一导电层可形成为包括多个金属层。

可使第一栅电极130a图案化以具有与有源图案110的区域叠置的平板形状。可使栅极线132、134和136图案化以在第一方向上延伸。

例如，第一栅极线132用作发射控制线，第二栅极线134和第三栅极线136用作扫描线。

在一些实施例中，在形成第一栅电极130a以及栅极线132、134和136之后，通过离子注入工艺将p型杂质或n型杂质掺杂在有源图案110中。例如，在离子注入工艺期间将第一栅电极130a以及栅极线132、134和136用作离子注入掩模。因此，可在有源图案110的不与第一栅电极130a以及栅极线132、134和136叠置的部分处形成杂质区域以提供期望的导电性。

如参照图1或图4所述，通过有源图案110与第一栅电极130a的叠置区域以及有源图案110与栅极线132、134和136的叠置区域来限定晶体管。

参照图16至图18，在第一栅极绝缘层120a上形成第二栅极绝缘层120b以覆盖第一栅电极130a以及栅极线132、134和136。可在第二栅极绝缘层120b上形成第二栅电极138。

可沿第一栅极绝缘层120a、第一栅电极130a以及栅极线132、134和136的表面共形地形成第二栅极绝缘层120b。第二栅极绝缘层120b可在有源图案110、第一栅电极130a以及栅极线132、134和136上包括突出或台阶部分。第二栅极绝缘层120b可由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。

例如，在第二栅极绝缘层120b上形成第二导电层，使第二导电层图案化以形成第二栅电极138。第二导电层可由金属、合金或金属氮化物形成。第二导电层可形成为包括多个金属层。

第二栅电极138可相对于第二栅极绝缘层120b而与第一栅电极130a叠置。第二栅电极138可沿第一方向延伸，并且可在多个像素上方连续地延伸。

参照图19和图20，在第二栅极绝缘层120b上形成绝缘层间层140以覆盖第二栅电极138。绝缘层间层140可在与有源图案110、第一栅电极130a和第二栅电极138以及栅极线132、134和136叠置的区域处包括具有不同高度的台阶部分。绝缘层间层140可由氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅形成。

随后，可穿过绝缘层间层140、第二栅极绝缘层120b和第一栅极绝缘层120a形成第一电极150和第二电极155以接触在第三栅极线136的两侧区域处的有源图案110。

例如，可部分地蚀刻绝缘层间层140、第二栅极绝缘层120b和第一栅极绝缘层120a以形成通过其在第三栅极线136的两侧区域处暴露有源图案110的接触孔。可在绝缘层间层140上形成填充接触孔的第三导电层，并且可通过光刻工艺使第三导电层图案化以形成第一电极150和第二电极155。第三导电层可由金属、金属氮化物和/或合金形成。

在一些实施例中，第一电极150和第二电极155分别用作源电极和漏电极。

在一些实施例中，绝缘层间层140形成为具有多层结构。例如，在第二栅极绝缘层120b和第二栅电极138上形成第一绝缘层间层。可穿过第一绝缘层间层、第二栅极绝缘层120b和第一栅极绝缘层120a来形成第一电极150和第二电极155。可在第一绝缘层间层上形成覆盖第一电极150和第二电极155的第二绝缘层间层。

参照图21，在绝缘层间层140上形成第四导电层165，在第四导电层165上形成平坦化层175。

第四导电层165可包括具有不同高度的上表面或台阶部分。例如，第四导电层165的形成在包括有源图案110、第一栅电极130a和第二栅电极138的堆叠结构上的一部分具有相对高的上表面，第四导电层165的一部分在可省略有源图案110、第一栅电极130a和/或第二栅电极138的堆叠结构上具有相对低的上表面。第四导电层165可由例如金属、金属氮化物和/或合金形成。

平坦化层175可完全地覆盖第四导电层，可通过平坦化层175使包括在第四导电层165中的台阶部分基本上去除或平坦化。在示例实施例中，平坦化层175通过诸如旋转涂覆工艺的涂覆工艺来由彩色聚合物材料形成。

在一些实施例中，平坦化层175由其中可分散或结合彩色材料的非光敏聚合物材料形成。例如，非光敏聚合物材料在聚合物主链结构中不包含在曝光工艺期间具有反应活性的官能团(例如，保护基团或离去基团)。

彩色材料可包括诸如碳黑的碳基材料或光吸收染料材料。在一些实施例中，染料材料对具有在从大约300nm到大约500nm范围中的波长的光具有吸收。

参照图22，在平坦化层175上形成光致抗蚀剂图案177。

在示例实施例中，通过旋转涂覆工艺在平坦化层175上涂覆包括光致抗蚀剂聚合物的光致抗蚀剂组合物以形成光致抗蚀剂层。可对光致抗蚀剂层执行曝光工艺。例如，可通过显影工艺来去除光致抗蚀剂层的曝光部分以形成光致抗蚀剂图案177。

光致抗蚀剂聚合物可包括光敏聚合物。例如，光致抗蚀剂聚合物包括在其主链结构中的重复单元。可参与由曝光工艺诱导的光化学反应的离去基团或保护基团可与重复单元结合。

主链结构可包括例如线型酚醛清漆、聚苯乙烯、聚羟基苯乙烯(phs)、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯酯、聚乙烯醚、聚烯烃、聚降冰片烯、聚酯、聚酰胺、聚碳酸酯等。

光致抗蚀剂组合物可以是化学放大抗蚀剂(car)型组合物。在这种情况下，光致抗蚀剂组合物可包括光致产酸剂(pag)。

在一些实施例中，包括i线、g线和/或h线光源的紫外(uv)光源被用在曝光工艺中。如上所述，平坦化层175可对具有在从大约300nm到大约500nm范围中的波长的光具有吸收，从而可吸收由不规则的下部堆叠结构引起的漫反射。

另外，可通过平坦化层175来使第四导电层165的台阶部分平坦化或去除，因此，可使光致抗蚀剂层形成为具有基本均匀的厚度。因此，可以防止或减少由光致抗蚀剂层的厚度差引起的曝光量的分布或变化。

因此，可通过吸收不规则的反射光和减少曝光量的变化来获得具有期望的或预定的间距和/或宽度的光致抗蚀剂图案177。

参照图23，利用光致抗蚀剂图案177作为蚀刻掩模使平坦化层175和第四导电层165图案化。因此，可在绝缘层间层140上形成第一布线160和第二布线162以及第一覆盖图案170和第二覆盖图案172。在形成布线和覆盖图案之后可通过例如灰化工艺和/或剥离工艺来去除光致抗蚀剂图案177。

第一覆盖图案170和第二覆盖图案172可分别覆盖第一布线160和第二布线162的上表面，并且可包括在基本同一高度处的上表面。此外，如图4中所示，第三布线164与第一布线160和第二布线162一起形成，第三覆盖图案形成在第三布线164上。

在一些示例实施例中，如图9中所示，分别覆盖第一电极150和第二电极155的上表面的第一电极覆盖图案178a和第二电极覆盖图案178b与覆盖图案一起由平坦化层形成。在一些实施例中，第一电极覆盖图案178a和第二电极覆盖图案178b包括具有与覆盖图案的上表面的高度基本相同的高度的上表面。

参照图24，在绝缘层间层140上形成通孔绝缘层180以覆盖布线和覆盖图案。例如，通孔绝缘层180通过旋转涂覆工艺由有机聚合物材料形成，并且具有基本水平或平坦的顶表面。

可部分蚀刻通孔绝缘层180以形成通过其可暴露第二电极155的通孔。可在通孔绝缘层180上形成至少部分地填充通孔的第五导电层，可使第五导电层图案化以形成第三电极190。第三电极190可用作例如像素电极或阳极。第五导电层可由金属、合金和/或透明导电氧化物形成。

可在通孔绝缘层180上形成像素限定层195。像素限定层195可覆盖第三电极190的外围部分。例如，可在通孔绝缘层180上涂覆包括例如聚酰亚胺类树脂或丙烯酰类树脂的光敏有机材料，然后可执行曝光和显影工艺以形成像素限定层195。在一些实施例中，通过诸如喷墨印刷工艺的印刷工艺来使用聚合物材料或无机材料形成像素限定层195。

可通过化学气相沉积(cvd)工艺、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺、高密度等离子体化学气相沉积(hdp-cvd)工艺、热蒸镀工艺、真空蒸镀工艺、旋转涂覆工艺、溅射工艺、原子层沉积(ald)工艺或印刷工艺中的至少一种来形成阻挡层105、半导体层、第一栅极绝缘层120a和第二栅极绝缘层120b、第一导电层至第五导电层以及绝缘层间层140。

图25至图27是示出根据对比示例的形成布线的方法的剖视图。

参照图25，可执行与参照图10至图20示出的工艺基本相同或相似的工艺。因此，可在基础基底100上顺序地形成阻挡层105、有源图案110、第一栅极绝缘层120a、第一栅电极130a、第二栅极绝缘层120b、第二栅电极138和绝缘层间层140。可在绝缘层间层140上形成用于形成布线的第四导电层165。在对比示例中，为了对第四导电层165的光刻工艺，直接在第四导电层165上形成光致抗蚀剂层300。光致抗蚀剂层300的厚度可根据下部堆叠结构的轮廓而改变。

参照图26，对光致抗蚀剂层300执行曝光工艺。例如，设置包括透明基底310和光屏蔽图案320的曝光掩模330。可通过透明基底310的在光屏蔽图案320之间的部分来照射曝光光线。

如图26中所示，曝光光线在下部堆叠结构的相对厚的部分(例如，表示为“d”的区域)处被横向散射。

参照图27，通过显影工艺去除光致抗蚀剂层300的暴露部分以形成第一光致抗蚀剂图案至第三光致抗蚀剂图案303、305和307。

如参照图26所述，在区域“d”处光被横向散射，因此，第一光致抗蚀剂图案303具有过度过蚀刻的形状。结果，会使第一光致抗蚀剂图案303的宽度过度减小。因此，会引起短路，并且会使布线的电阻增加。

然而，根据如上所述的示例实施例，在形成光致抗蚀剂层之前形成包括彩色聚合物材料的平坦化层175。因此，可基本上去除或减小由下部堆叠结构引起的台阶部分，从而光致抗蚀剂层可具有完全均匀的厚度。

因此，可减少发生在对比示例中由光致抗蚀剂层300的厚度差引起的曝光量的变化，从而可获得具有期望的精细尺寸的光致抗蚀剂图案和布线。

图28是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。例如，图28示出包括根据如上所述的示例实施例的显示基底的oled。在此省略对显示基底的元件和/或结构的详细描述。

利用沿在图1或图4中标示的线i-i’和iv-iv’截取的剖视图来举例说明图28中的显示基底。例如，显示基底可具有参照图9所述的构造。

如上所述，覆盖图案(例如，第二覆盖图案172)可形成在布线(例如，第二布线162)上。在一些实施例中，第一电极覆盖图案178a和第二电极覆盖图案178b分别形成在第一电极150a和第二电极155a上。

在一些实施例中，覆盖图案、第一电极覆盖图案178a和第二电极覆盖图案178b的上表面是彼此共面的。

显示装置还可包括设置在显示基底上的显示层200、第四电极210、钝化层220、填充层230和包封基底240。

显示层200可设置在像素限定层195和第三电极190上。例如，显示层200形成在像素限定层195的侧壁和第三电极190的通过像素限定层195暴露的顶表面上。

显示层200可包括有机发光层，有机发光层可包括用于产生不同颜色的光(例如，红色的光、绿色的光或蓝色的光)的发光材料。发光材料可包括通过空穴和电子激发的宿主材料和用于促进能量的吸收和释放并且改善发光效率的掺杂材料。可按每个像素单独地图案化显示层200。

在一些实施例中，显示层200还包括设置在第三电极190与有机发光层之间的空穴传输层(htl)。显示层200还可包括设置在有机发光层上的电子传输层(etl)。

htl可包括空穴传输材料，例如，4,4’-双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯基(npb)、4,4’-双[n-(3-甲基苯基)-n-苯基氨基]联苯基(tpd)、n,n’-二-1-萘基-n,n’-二苯基-1,1’-联苯基-4,4’-二胺(npd)、n-苯基咔唑、聚乙烯咔唑或它们的组合物。

etl可包括电子传输材料，例如，三(8-羟基喹啉)铝(alq3)、2-(4-联苯基)-5-4-叔丁基苯基-1,3,4-噁二唑(pbd)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚–铝(balq)、浴铜灵(bcp)、三唑(taz)、苯基喹唑啉或它们的组合物。

在一些实施例中，有机发光层、htl或etl中的至少一个不是按每个像素来单独地图案化，而是对多个像素共用地设置。在实施例中，对像素设置有机发光层，通过滤色器来实现每个像素的颜色。在这种情况下，显示装置可为白色-oled(w-oled)装置。

在一些实施例中，显示层200包括替代有机发光层的液晶层。在这种情况下，显示装置可为lcd装置。

第四电极210可设置在像素限定层195和显示层200上。第四电极210可用作可相对于显示层200与第三电极190面对的对电极。

在示例实施例中，第四电极210用作在像素上连续延伸的共电极。此外，第四电极210可用作显示装置的阴极。

例如，第四电极210由诸如al、ag、w、cu、ni、cr、mo、ti、pt、ta、nd或sc的金属或它们的合金形成。

钝化层220可形成在第四电极210上。钝化层220可用作用于保护第四电极210和显示层200的覆盖层。

包封基底240可设置在钝化层220上，填充层230可置于钝化层220与包封基底240之间。

包封基底240可包括例如玻璃基底或聚合物基底。填充层230可包括例如具有透光或透明性质的有机材料。

在一些实施例中，可利用有机/无机混合膜作为替代包封基底240和填充层230的密封膜。在一些实施例中，利用薄膜包封(tfe)膜作为密封膜。

根据所公开实施例中的至少一个，形成用于形成显示基底或显示装置的布线的导电层，平坦化层和光致抗蚀剂层形成在导电层上。可通过平坦化层使导电层的台阶部分平坦化。因此，当对光致抗蚀剂层执行光刻工艺时，可减少或避免由台阶部分引起的曝光量的不规则分布。因此，可由导电层形成具有期望的精细尺寸的布线。此外，可由平坦化层在布线上形成覆盖图案。可通过覆盖图案来吸收从布线反射的光，因此可改善显示装置的显示质量。上文是对示例实施例的举例说明，而将不被解释为对其的限制。虽然已经描述了一些示例实施例，但本领域技术人员容易领会的是，在本质上不脱离本发明构思的新颖的教导和优点的情况下，能够在示例实施例中进行许多修改。因此，所有这些修改意图包括在本发明构思的如权利要求中限定的范围内。在权利要求中，方法加功能项意图覆盖在此描述的如执行所叙述功能的结构以及结构的等同物和等同的结构。因此，将理解的是，上文对各种示例实施例是说明性的，将不被解释为限制于公开的具体示例实施例，并且对公开的示例实施例的修改以及其它示例实施例意图包括在所附权利要求的范围内。