制造传感器装置的制作方法

本文所述的技术总体上涉及光学传感器，且更特别地，涉及制造传感器装置的方法。
背景技术：
：光学传感器用于各种装置中，例如图像传感器、环境光传感器、接近度传感器、色调传感器和uv传感器，以将光信号转换为电信号，允许检测光信号或图像捕捉。光学传感器通常包含一个或多个传感器元件，以及位于一个或多个传感器元件之上的一个或多个光学滤波器。例如，彩色图像传感器包含滤色器的阵列，即，滤色器阵列(cf(a)，其包含具有不同的颜色通带的不同类型的滤色器，例如红色、绿色和蓝色(rg(b)滤色器。多光谱成像是许多产业和研究应用中的主要目标。实质上，可能需要这样的传感器，其可以同时捕捉来自光谱的许多部分(不仅限于可见光，而且包含近、中和长波红外和/或紫外)的波长的图像，而不需要进行扫描或暴露的序列，然后必须用适当的权重将它们彼此重新组合以产生有用的图像。在sensors，14：21626-21659，(2014)，lapray等的“multispectralfilterarrays:recentadvancesandpracticalimplementation”中描述了多光谱成像，其通过引用并入本文。高光谱成像也变得重要：在高光谱成像中，目标是为图像中的每个像素捕捉数据的光谱，在这种情况下光谱具有高分辨率。尽管已经使用基于染料的滤色器，但已经发现它们比由堆叠的介电层形成的基于干涉的滤波器产生更不鲜艳的颜色。介电滤色器具有更高的透射水平和更窄的颜色通带，但可能随着入射角度的改变而引起不期望的颜色(波长)偏移。窄带通滤波器是其中带宽为中心波长的20％或更小的滤波器。已经发现，将窄带通滤波器与标准光电二极管组合导致差的透射和光适应(photopic)值的大的变化。光电二极管的典型量子效率(qe)曲线看起来像图1所示的曲线。从该图示中实际上并非立即显而易见的是，它是基于在广角度范围上收集的光以及具有有限的光谱分辨率，因此它没有揭示由基底结构的干涉效应引起的其他缺点。在图2中示出了典型的光电二极管的结构。在这样的二极管中，在p/n结顶部上的薄介电层(如示出的sio2和si3n4)产生干涉效应。当用具有窄光谱分辨率的准直光照射二极管时，量子效率曲线看起来像图3中的曲线。相反，当加宽光谱分辨率并增加接受角时，图3中的曲线转换为图1中的曲线。这是由于两个效应：(a)当降低光谱分辨率时发生的平均化；以及(b)光谱响应随角度的波长偏移。如果典型的二极管与宽带光源或宽带滤波器(例如，基于染料的滤色器)一起使用，或在大接受角度下使用，则主要的缺点是较低的总透射水平。这可以通过使用较大的二极管来补偿。然而，增加二极管的尺寸通常不是最理想的解决方案。最近，业界一直在寻求将光电二极管与诸如窄带通滤波器(其促进更高的光谱分辨率)的光学滤波器功能相结合。在许多情况下，由于光学滤波器的角度偏移，使用这些滤波器需要减小接受角；即，传感器被接近准直光照射。图4示出了窄带通滤波器的透射曲线(在大约540nm下)与诸如图3所示的标准光电二极管的响应的叠加。根据光谱中的位置，通带中的总吞吐量可以变化多于两倍(例如，如果带通滤波器在900nm下透射，则吞吐量仅为30％，滤波器在770nm下透射的情况则可以看到几乎100％的透射)。另一个缺点在于，波纹在光电二极管的透射曲线中的位置不能很好地控制。因此，由于较小的制造不一致性或材料的组分，波纹的光谱放置可能变化，因此从一个装置到另一个装置的明视值可能存在大的变化。当涉及多个滤波器时，这些缺点变得更严重，如在基于例如二项式滤波器结构的多光谱传感器阵列中的情况。图5示出了对于叠加在如图3和图4所示的相同的光电二极管透射曲线上的以一系列波长进行透射的多个带通滤波器的示例。在给定的带通滤波器波长下，总透射率从一个波长到下一个波长显著地变化，这取决于峰如何与光电二极管透射光谱中的波纹对准。相应地，需要一种装置，其以一种方式组合一个或多个带通滤波器，使得随着波长的角度变化和透射变化尽可能平滑，并提供大的光谱范围。包含对本文的
背景技术：
的讨论，以解释本技术的背景。这不应被视为承认所提及的任何材料在所附的任何权利要求的优先权日期是公开的、已知的、或公知常识的一部分。在本申请的整个说明书和权利要求书中，词语“包括”及其变型，例如“包括了”和“包括有”不意图排除其他添加物、部件、整体或步骤。附图说明通过示例来说明本发明的特征，且不限于以下(多个)附图，在附图中相同的数字表示相同的元件，其中：图1示出了基于硅的光电二极管的常规透射或量子效率(qe)曲线。图2示出了标准光电二极管的常规结构。图3示出了用准直光照射并具有高光谱分辨率的常规光电二极管的qe。图4示出了结合了单个窄带通滤波器的、用准直光照射并具有高光谱分辨率的常规光电二极管的qe。图5示出了结合了具有不同的特征波长的一组窄带通滤波器的、用准直光照射并具有高光谱分辨率的常规光电二极管的qe。图6示出了背照式传感器(bis)的常规结构。图7a和图7b分别示出了根据本公开的示例的传感器装置的截面俯视图和截面侧视图。图8a-8e共同地示出了制造图7a和图7b中所绘示的传感器装置的示例方法。图8f示出了制造根据本公开的另一示例的传感器装置的示例方法。图9a绘示了图8c所示的配置的俯视图。图9b示出了图8c所示的配置的一部分的放大截面侧视图。图10绘示了图8d所示的配置的俯视图。图11绘示了根据本公开的示例的二元滤波器的示例结构，其可以表示图7a和图7b所绘示的传感器装置的一部分。图12a-12c分别示出了根据本公开的示例的基于二元滤波器结构的示例滤波器阵列。图13a和图13b分别示出了根据本公开的另一示例的基于二元滤波器结构的示例滤波器阵列。图14以截面图示出了根据本公开的示例的使用介电反射器/反射镜的二元滤波器的示例结构，其可以表示图7a和图7b所绘示的传感器装置的一部分。图15以截面图示出了根据本公开的示例的使用金属反射器/反射镜的二元滤波器的示例结构，其可以表示图7a和图7b所绘示的传感器装置的一部分。图16示出了根据本公开的示例的图15所绘示的结构的光谱响应。图17示出了可以通过实施本文所公开的方法来制造的8×8滤波器阵列的放大图。具体实施方式为了简单和说明的目的，本公开主要通过参考其示例来描述。在以下描述中，阐述了许多具体细节以便提供对本公开的透彻理解。然而，将容易明白的是，本公开可以被实践而不限于这些具体细节。在其他实例中，一些方法和结构没有被详细描述，以免不必要地模糊本公开。如本文所使用的，术语“一”和“一个”意在表示至少一个特定的元件，术语“包含”意味着包含但不限于，术语“包含有”意味着包含但不限于，且术语“基于”意味着至少部分地基于。本文所使用的术语“第一”和“第二”不意在表示元件的的任何特定顺序或布置。相反，这些术语在本文中用于表示一个元件与另一个元件不同。如本文所使用的，术语“近似地”和“大约”表示在所述值的+/﹣5％内的值的范围。此外，应当理解，附图中所绘示的元件可以包含附加的部件，且在不脱离本文所公开的元件的范围的情况下，可以移除/修改那些图中所描述的一些部件。还应当理解，附图中所绘示的元件可以不按比例绘制，因此，元件可以具有不同于图中所示的不同的尺寸和/或配置。本文公开了一种制造具有可以与背照式传感器结合使用的光学滤波器的传感器装置的方法。具有结合背照式传感器的光学滤波器的装置将应用于多种类型的传感器，特别是用于多光谱和高光谱成像和感测的那些传感器。如本文所使用的，反射器与反射镜或反射层可以互换地使用。避免已知装置的光电二极管和带通滤波器的组合的缺点的一种方式是使用背照式传感器(bis)，和/或将光电二极管和带通滤波器的组合与诸如fp滤波器的光学结构相组合。如图6所示，bis10可以包含硅p/n结层12。p/n结12可以由靠近硅p/n结层12的界面的硅中的掺杂剂形成。介电层14的堆叠体(其可以由sio2形成)可以形成在硅p/n结层12的一侧上。此外，另一介电层16(其可以是si3n4)可以形成在介电层14的堆叠体的相反的一侧上。金属接触层18可以位于介电层14的堆叠体的层内。光可以进入bis10到硅p/n结层12中，而不首先通过介电层14、16中的任何一个。可以根据期望通过bis10的光，来调整介电层14的堆叠体的厚度。这意味着，当与带通函数组合时，可能仅需要使光学滤波器频率与“基底”介质12(其可以是硅)的折射率分别相匹配。因此，通常由通过介电层(例如氧化物和氮化物)的光产生的干涉伪影不存在于该方法中。现在参考图7a和图7b，它们分别示出了根据本公开的示例的传感器装置100的截面俯视图和截面侧视图。传感器装置100被绘示为包含基底102和多个感测元件104。基底102可以由无源材料形成，例如硅、玻璃、等等。感测元件104中的一个或多个可以是光电二极管、互补金属氧化物半导体(cmos)、电荷耦合装置(ccd)、等等。为了简单和方便的目的，传感器装置100被绘示为包含感测元件104的4×4阵列。然而，应当清楚地理解，传感器装置100可以包含任何数量的感测元件104。如图7b所示，传感器装置100可以包含形成在基底102的一侧上的第一反射镜层106，使得第一反射镜层106在每个感测元件104之上延伸。传感器装置100还可以包含基部间隔层110、第一间隔层112、第二间隔层114和第二反射镜层116。尽管没有示出，传感器装置100可以包含定位在各个感测元件104上方且在第一反射镜层106和第二反射镜层116之间的附加的间隔层。参照以下附图来描述可以制造传感器装置100的各种方式。现在转到图8a-8e，它们共同地示出了制造图7a和图7b所绘示的传感器装置100的示例方法200。如图8a所示，第一反射镜层106形成在基底102上，其中基底102包含感测元件104的阵列。第一反射镜层106可以由金属材料形成，例如银、铝、铜、金、等等。在该示例中，第一反射镜层106可以经由金属沉积工艺形成，例如磁控管溅射、电子束外延、分子束外延、热蒸发、原子层沉积、等等。由于沉积工艺和剥离工艺，第一反射镜层106可以与渐缩(tapered)边缘108一起形成。即是说，第一反射镜层106的每个边缘可以由于沉积工艺和剥离工艺的组合而渐缩，例如，在沉积和剥离工艺期间可以使用具有突出部(overhang)的光致抗蚀剂，其可以产生渐缩边缘108。作为特定的示例，第一反射镜层106可以形成为具有zno/ag/zno结构，其中zno厚度在大约0.5nm到大约4nm之间。在另一示例中，zno厚度可以在大约1nm到大约2nm之间。在其他示例中，第一反射镜层106可以由介电材料形成，例如sio2、nbo2、等等。在另外的示例中，第一反射镜层106可以由四分之一波长堆叠体形成，例如sio2和si:h层。在另外的示例中，第一反射镜层106可以由氧化物、氮化物、ge、si、si:h、sic等形成。合适的氧化物的示例包含高折射率：nb2o5、ta2o5、tio2、hfo2及其混合物，以及低折射率：sio2、al2o3及其混合物。合适的氮化物的示例包含高折射率：si3n4、ge、si、si:h和sic。根据近红外(nir)滤波器的示例，第一反射镜层106由si:h或sio2形成。在这些示例中，第一反射镜层106可以不形成有渐缩边缘。如图8b所示，基部间隔层110可以沉积在第一反射镜层106上，以覆盖第一反射镜层106(包含渐缩边缘108，如果存在的话)。基部间隔层110可以由诸如氧化物、氮化物、ge、si、si:h、sic、sige、sige：h等材料形成。例如，基部间隔层110可以由与上面关于第一反射镜层106所讨论的那些相同或相似的材料形成。根据近红外(nir)滤波器的示例，基部间隔层110由si:h形成。附加地或替代地，可以在形成第一反射镜层106的期间沉积基部间隔层110，例如，在与第一反射镜层106共用的真空中。可以通过进行合适的沉积工艺来沉积基部间隔层110，包含化学气相沉积、物理气相沉积、等离子体增强化学气相沉积等中的任何一种。在特定的示例中，可以使用剥离工艺来沉积基部间隔层110。此外，沉积基部间隔层110可以导致基部间隔层110的部分覆盖第一反射镜层106的渐缩边缘108。基部间隔层110可以沉积为覆盖第一反射镜层106的渐缩边缘108，以保护渐缩边缘108免于氧化，例如，在第一反射镜层106由银形成的实例中。然而，在第一反射镜层106由金属之外的材料形成的实例中，基部间隔层110可以沉积为不覆盖渐缩边缘108。此外，尽管未在图8b中示出，基部间隔层110可以包含执行附加的滤波器功能的材料，例如抗反射、阻塞、高阶抑制滤波、等等。举例来说，可以在第一反射镜层106的上方和下方设置诸如氧化锌(zno)层的防氧化材料层，以进一步防止第一反射镜层106氧化。如图8c所示，第一间隔层112可以沉积在第一组感测元件104上方。例如，且如图8c所示，第一间隔层112可以沉积在基部间隔层110上，在位于基底102的左侧上的八个感测元件104的上方。该示例也在图9a中示出，其绘示了图8c所示的配置的俯视图。此外，如图8c和图9a所示，第一间隔层112还可以沉积为覆盖第一反射镜层106的渐缩边缘108。就这一点而言，在沉积第一间隔层112之后，基部间隔层110在位于基底102的右侧上的八个感测元件104的上方的部分可以不被第一间隔层112覆盖，而第一反射镜层106周围的渐缩边缘108被覆盖，如元件202所示。在图9b中绘示了图8c所示的配置的一部分的放大截面侧视图。如图9b所示，渐缩边缘108可以由第一间隔层110的一部分覆盖。然而，第一间隔层110覆盖渐缩边缘108的部分可能不能为渐缩边缘108提供充分的保护。就这一点而言，第二间隔层112的一部分也可以设置在渐缩边缘108之上。此外，渐缩边缘108的顶部和底部，以及第一反射镜层106的剩余部分，可以由例如zno的防氧化材料的相应的层115、117覆盖。可以用防氧化材料类似地保护第二反射镜层116。可以通过实施与上面关于沉积基部间隔层110的相似的沉积技术来沉积第一间隔层112。此外，在沉积工艺期间，掩模(未示出)可以施加在基部间隔层110不接收第一间隔层112的部分之上，以防止第一间隔层112沉积在这些部分上。可以在沉积第一间隔层112之后移除掩模。根据示例，掩模可以包含光致抗蚀剂。如图8d所示，第二间隔层114可以沉积在第二组感测元件104上方。例如，且如图8d所示，第二间隔层114可以沉积在基部间隔层110在位于基底102的中右侧上的四个感测元件104上方的部分上，以及在第一间隔层112在位于基底102的中左侧上的四个感测元件104上方的部分上。该示例也在图10中示出，其绘示了图8d所示的配置的俯视图。如图8d和图10所示，对于感测元件104的不同的组，相应的感测元件104上方的间隔层110-114的高度或厚度可以不同。就这一点而言，不同中心波长的光可以在到达感测元件104的不同的组之前被滤波。在一些示例中，与在其上沉积第一间隔层112的感测元件105相比，第二间隔层114可沉积在一半的感测元件104的上方。类似地，每个后续的间隔层可以沉积在一半的感测元件104的上方，作为先前的间隔层。图8d还示出了，间隔层110-114中的每一个可以具有相对于彼此不同的高度(或厚度)。例如，基部间隔层110可以厚于第一间隔层112，且第一间隔层112可以厚于第二间隔层114。此外，后续沉积的间隔层(未示出，如果沉积了的话)可以具有越来越小的厚度。可以通过实施与上面关于沉积基部间隔层110的相似的沉积技术来沉积第二间隔层114。此外，在沉积工艺期间，掩模(未示出)可以施加在基部间隔层110和第一间隔层112不接收第二间隔层114的部分之上，以防止第二间隔层114沉积在这些部分上。可以在沉积第二间隔层114之后移除掩模。尽管未在图8d和图10中示出，在沉积第二间隔层114期间，第一反射镜层106的渐缩边缘108上方的区域可以进一步由第二间隔层114覆盖。在该示例中，第二间隔层114可以沉积在第一反射镜层106的渐缩边缘108之上，以及在第一间隔层112覆盖渐缩边缘108的部分202的顶部上。如图8e所示，第二反射镜层116可以形成在沉积的间隔层110-114上方。第二反射镜层116可以由金属材料形成，例如银、铝、等等。在其他示例中，第二反射镜层116可以由介电材料形成，例如sio2、nbo2、等等。在其他示例中，第二反射镜层116可以由四分之一堆叠体形成，例如sio2和si:h层。此外，可以以上面关于形成第一反射镜层106所讨论的方式中的任一种形成第二反射镜层116。沉积第二反射镜层116还可以包含添加可以执行额外的滤波器功能的材料，例如抗反射、带外阻塞、高阶抑制滤波、等等。在沉积第二反射镜层116之后，可以进行附加的工艺，例如，添加微透镜(未示出)到第二反射镜层116。尽管制造传感器装置100的方法200已经被描述为包含两个间隔层112和114，但应当理解，方法200可以包含附加的间隔层沉积步骤。作为特定的示例，方法200可以包含六个间隔层沉积步骤，使得可以在感测元件104之上制造多个不同的滤波器结构。现在转到图8f，其示出了根据另一示例的制造传感器装置100的方法的示例。图8f包含许多与上面关于图8a-8e所讨论的那些特征相同的特征，因此，将不再关于图8f详细地描述那些共同的特征。然而，图8f所示的示例与图8e所示的示例不同，在于反射镜层106、116和间隔层110-114形成在可以不包含感测元件的基底252上。即是说，作为形成在包含感测元件104的阵列的基底102上的替代，图8f中的示例示出了反射镜层106、116和间隔层110-114可以形成在分离的基底252上，其可以是玻璃晶片。此外，基底252可以粘附至基底102(其可以是传感器阵列)，如箭头254所示。举例来说，可以通过使用环氧树脂(更具体地，透明环氧树脂)将基底252粘附至基底102。根据示例，传感器装置100可以是单腔体法布里-珀罗(fabry-perot)滤波器。此外，由滤波器滤波的光的中心波长可以根据腔体中的间隔体的厚度而变化。可以在第一反射镜层106和第二反射镜层116之间设置附加的间隔层的示例在图11中示出。特别地，图11绘示了二元滤波器的示例结构300，例如单腔法布里-珀罗滤波器，其可以表示传感器装置100的一部分，例如，根据示例，特定感测元件104上方的部分。如图11所示，腔体302设置在第一反射镜层106和第二反射镜层116之间。此外，结构300示出了腔体302中的间隔层的尺寸与由间隔层滤波的信道(例如，中心波长)之间的关系。已经观察到，间隔体厚度的相对小的差异可以导致在其他方面相同的滤波器之间的中心波长的显著分离。例如，如果腔体302设置有基部间隔层110而没有其他间隔层，则滤波器可以对第0信道进行滤波，例如，滤波器可以对具有第一中心波长的光进行滤波。类似地，如果腔体302设置有间隔层110和第一间隔层112两者，则滤波器可以对第8信道进行滤波。作为另一示例，如果腔体302设置有基部间隔层110、第一间隔层112和第二间隔层114，则滤波器可以对第4信道进行滤波。作为另一示例，如果腔体302设置有基部间隔层110、第一间隔层112、第二间隔层114和第三间隔层120，则滤波器可以对第2信道进行滤波。作为又一示例，如果腔体302设置有基部间隔层110、第一间隔层112、第二间隔层114、第三间隔层120和第四间隔层122，则滤波器可以对第1信道进行滤波。根据示例，在实施方法200之前，可以做出如何为每个感测元件104配置滤波器的确定。即是说，可以确定滤波器为每个感测元件104进行滤波的信道(例如，光的中心波长)。此外，基于信道的滤波与腔体302中的间隔层的厚度之间的相关性，可以确定在相应的感测元件104之上的间隔层沉积的相对应的布置。例如，可以确定第一组感测元件104(其可以是单个感测元件)将对第4信道进行滤波。在该示例中，可以确定将要在第一组感测元件104之上沉积基部间隔层110、第一间隔层112和第二间隔层114。此外，可以确定第二组感测元件104(其也可以是单个感测元件)将对第8信道进行滤波。在该示例中，可以确定将要在第二组感测元件104之上沉积基部间隔层110和第一间隔层112。根据示例，可以使用以下等式中的任一个来计算涂层实施(runs)的数量，例如，为基于二元滤波器结构的滤波器阵列沉积的间隔层的数量：等式(1)：等式(2)：ncoat＝log2(c)+2+b在等式(1)和(2)中，“c”表示信道数量，“ncoat”表示涂层实施的数量，“b”表示用于高阶抑制的附加ar涂层或阻塞器(blocker)的数量。在下文更详细地描述附加的阻塞器。下表说明了用于不同的信道数量的涂层实施和阻塞器的数量的示例。信道数量涂层实施阻塞器16603270649112810112890根据示例，可以使用以下等式计算二元间隔层(例如，间隔层110-122)的涂层厚度：等式(3)：t0＝tmin等式(4)：等式(5)：其中n＝log2(c)在等式(3)-(5)中，“c”是信道数量，“t0”是基部间隔层110的厚度，“t1”是第一间隔层112的厚度，“tn”是最后的间隔层122的厚度。此外，“λmin”是最低中心波长，“λmax”是最高中心波长，“nref”是间隔层的折射率。通过实施本文所公开的方法，可以实现任何数量的信道。例如，本文所公开的方法可以用于100个信道，尽管将需要和128个信道的相同数量的涂层实施。作为另一示例，本文所公开的方法可以用于50个信道，尽管将需要和64个信道的相同数量的涂层实施。现在转到图12a-12c，其示出了基于二元滤波器结构的示例滤波器阵列。更具体地，图12a-12c中的每一个绘示了在若干涂层实施中的每一个的期间沉积的间隔层的厚度，作为单位厚度的倍数。在每个示例中，间隔层被示出为最初在第二涂层实施期间沉积，这是因为第一涂层实施可以包含沉积基部间隔层。如图12a-12c所示，相应的间隔层的厚度以二进制数变化。即是说，在每个涂层实施期间，每个间隔层的厚度减小2倍。在一方面，图12a-12c中所绘示的滤波器阵列具有等距的信道间隔。此外，间隔层的厚度可以通过上面讨论的等式(3)-(5)确定。然而，附加地或替代地，每个间隔层的厚度可以以不同的倍数变化。在这些示例中，滤波器阵列可以具有带有非等距信道间隔的二元滤波器结构。在图13a和图13b中示出了这些类型的16信道滤波器阵列的两个示例。当信道可能被跳过时，可以采用这些类型的滤波器阵列，这可能导致非等距的信道间隔。此外，等式(4)-(5)不可以用于确定这些示例中的间隔层的厚度。然而，对于t0＝tmin，tmin，和tmax的计算仍可以应用。现在转到图14，其以截面图示出了根据示例的使用介电反射器/反射镜的二元滤波器的示例结构400，其可以表示传感器装置100的一部分，例如特定的感测元件104上方的部分。如图14所示，结构400可以由基底102上的材料的交替层形成，例如sio2402和si:h404。作为特定的示例，间隔体406可以具有108.5nm的最小厚度，并且可以由多达6个间隔层构成。这些层的组一起用作可见的阻塞器408和反射器410、412。例如，反射器410中的层402和404可以是四分之一波长堆叠体，即，形成该波长下的反射体。类似地，反射器412中的层402和404也可以是四分之一波长堆叠体。在这些示例中，结构的总厚度可以在大约1732nm至大约1782.5nm的范围内。例如，可见的阻塞器408和反射器410、412可以各自具有大约1160nm的厚度。此外，基部间隔层110可以具有大约80nm至大约130nm的厚度，第一间隔层112可以具有大约10nm至大约50nm的厚度，第二间隔层114可以具有大约5nm至大约25nm的厚度，第三间隔层120可以具有大约2.5nm至大约13nm的厚度，第四间隔层122可以具有大约1.5nm至大约7nm的厚度。层可以具有的最薄的厚度可以小于1nm，例如，在128个信道的情况下为大约0.6nm。现在转到图15，其以截面图示出了根据本公开的示例的使用金属反射器/反射镜的二元滤波器的示例结构500，其可以表示传感器装置100的一部分，例如特定的感测元件104上方的一部分。结构500可以包含在uv-vis-nir中作用的基于ag的单腔体法布里—珀罗。上部结构示出了用于uv-绿色信道的滤波器的一部分，下部结构示出了用于绿色-nir信道的滤波器的一部分。用于uv-绿色信道的滤波器被绘示为包含抗反射(ar)涂层502，其可以由nbtiox、sio2等形成。举例来说，ar涂层502可以具有大约140nm的厚度。此外，ar涂层502可以保护反射镜层以及提供抗反射性能。下部结构示出了用于绿色-nir信道的滤波器的一部分。每个结构500可以包含第一阶间隔体504，其可以类似于图14所绘示的间隔体406。间隔体504可以薄至大约150nm，且可以夹在两个反射镜层506之间，其可以为大约45nm厚且可以由ag形成。下部结构还可以包含uv-绿色阻塞器508，其可以为大约3000nm厚且可以由nbtiox和sio2的交替层构成。阻塞器508可以抑制较高阶的峰，如下文相对于图16更详细地讨论。图16示出了根据示例的图15所绘示的结构500的光谱响应。如该图中所示，阻塞器508抑制较低波长下的较高阶的峰。当要覆盖大的光谱带宽时，可以实施阻塞器508。在图16所绘示的示例中，在850nm下透射光，其可能需要添加长波通(longwavepass)，其在350nm和450nm下阻塞较高阶的峰。阻塞器在图16中被绘示为附图标记602。此外，由基底102、第一和第二反射镜层506、以及间隔体504制成的法布里—珀罗滤波器的光谱响应在图16中被绘示为附图标记604。现在参考图17，其示出了可以通过实施本文所公开的方法制造的8×8滤波器阵列的放大图。如该图中所示，每8个像素重复一个图案。尽管在整个本公开中具体地描述，但本公开的代表性示例在广泛的应用中具有实用性，并且上述讨论不旨在为且不应被解释为限制性的，而是作为本公开的方面的说明性讨论被提供。本文已经描述并示出了本公开的示例及其一些变型。本文所使用的术语、描述和附图仅以说明的方式阐述，而不意味着限制。在本公开的精神和范围内的许多变化是可能的，其旨在由所附权利要求及其等同物限定，其中除非另有说明，所有的术语是指其最广泛的合理意义。当前第1页12