技术特征：
技术总结
一种闪存器件及其制造方法，制造方法包括：提供衬底、位于衬底上的分立的位线、位于位线顶部上的第一介质层、以及位于第一介质层上的浮栅结构，相邻位线与衬底之间构成沟槽，所述沟槽内填充有牺牲层，且牺牲层顶部高于位线顶部；在浮栅结构顶部和侧壁上以及牺牲层顶部上形成第二介质层；在第二介质层上形成控制栅层；图形化所述控制栅层形成控制栅结构，所述控制栅结构露出部分第二介质层；去除所述控制栅结构露出的第二介质层、浮栅结构以及第一介质层，暴露出部分牺牲层顶部；在暴露出部分牺牲层顶部之后，去除所述牺牲层，相邻位线与所述衬底之间构成空气间隙。本发明改善相邻位线之间的电学干扰问题，优化形成的闪存器件的电学性能。
技术研发人员：仇圣棻;陈亮;周朝锋;李晓波
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2017.01.06
技术公布日：2018.07.13