1.一种硅基异质结太阳能电池，包括晶硅基片，所述晶硅基片的受光面和背面分别设置有第一本征非晶层和第二本征非晶层，所述第一本征非晶层上设置有第一掺杂层，所述第二本征非晶层上设置有第二掺杂层，所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层，所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层，其特征在于：所述晶硅基片的受光面与第一本征非晶层之间插入有第一金属硫族化合物膜层和/或所述晶硅基片的背面与第二本征非晶层之间插入有第二金属硫族化合物膜层。
2.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第二透明导电层上设置有一叠层结构，所述叠层结构包括依次叠层的第一金属氮化物膜层、金属膜层和第二金属氮化物膜层，所述第一金属氮化物膜层与第二透明导电层直接接触；所述第一金属氮化物膜层和/或第二金属氮化物膜层为锆氮化物膜层、钛氮化物膜层、铪氮化物膜层、镍氮化物膜层、铬氮化物膜层、钒氮化物膜层、铌氮化物膜层、钽氮化物膜层、钼氮化物膜层、钪氮化物膜层或它们的任一组合的氮化物膜层；所述金属膜层为银膜层、铝膜层、铜膜层、金膜层、铬膜层、钛膜层、铂膜层、镍膜层或它们的任一组合中的一种。
3.一种硅基异质结太阳能电池，包括晶硅基片，所述晶硅基片的受光面设置有第一本征非晶层，所述第一本征非晶层上设置有一减反射层，所述晶硅基片的背面设置有第二本征非晶层，所述第二本征非晶层的表面区域内交错设置有第一掺杂层和第二掺杂层，所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层，所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层，其特征在于：所述晶硅基片的受光面与第一本征非晶层之间插入有第一金属硫族化合物膜层和/或所述晶硅基片的背面与第二本征非晶层之间插入有第二金属硫族化合物膜层。
4.根据权利要求3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一透明导电层和第二透明导电层上分别设置有一叠层结构，所述叠层结构包括依次叠层的第一金属氮化物膜层、金属膜层和第二金属氮化物膜层，所述第一金属氮化物膜层分别与第一透明导电层和第二透明导电层直接接触；所述第一金属氮化物膜层和/或第二金属氮化物膜层为锆氮化物膜层、钛氮化物膜层、铪氮化物膜层、镍氮化物膜层、铬氮化物膜层、钒氮化物膜层、铌氮化物膜层、钽氮化物膜层、钼氮化物膜层、钪氮化物膜层或它们的任一组合的氮化物膜层；所述金属膜层为银膜层、铝膜层、铜膜层、金膜层、铬膜层、钛膜层、铂膜层、镍膜层或它们的任一组合中的一种。
5.根据权利要求3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一本征非晶层与减反射层之间设置有一层掺杂层，所述掺杂层的导电类型与晶硅基片的一致。
6.根据权利要求1或3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一金属硫族化合物膜层和/或第二金属硫族化合物膜层为硫化锌、硒化锌、硫硒化锌、硫化铟、硒化铟、硫硒化铟、硫化镉和硫化镉锌中的一种或两种以上。
7.根据权利要求1或3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一金属硫族化合物膜层和/或第二金属硫族化合物膜层的厚度为1-100nm。
8.根据权利要求1或3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一本征非晶层和第二本征非晶层为本征非晶硅膜层。
9.根据权利要求1或3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一掺杂层和第二掺杂层分别为p型非晶硅膜层和n型非晶硅膜层，或所述第一掺杂层和第二掺杂层分别为n型非晶硅膜层和p型非晶硅膜层。
10.根据权利要求1或3所述的硅基异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一掺杂层与第一透明导电层之间设置有第一掺杂氧化钛膜层和/或所述第二掺杂层与第二透明导电层之间设置有第二掺杂氧化钛膜层，所述第一掺杂氧化钛膜层和/或第二掺杂氧化钛膜层为TiO2掺杂有Ta、W、Nb、Mo、Sb、Sc、Sn、Y、Zr、Hf、Ce和Al中的一种或两种以上。
11.一种硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括
准备晶硅基片；
在所述晶硅基片的受光面沉积第一金属硫族化合物膜层；
在所述晶硅基片的背面沉积第二金属硫族化合物膜层；
在所述第一金属硫族化合物膜层上沉积第一本征非晶层；
在所述第二金属硫族化合物膜层上沉积第二本征非晶层；
在所述第一本征非晶层上沉积第一掺杂层；
在所述第二本征非晶层上沉积第二掺杂层；
在所述第一掺杂层上沉积第一透明导电层；
在所述第二掺杂层上沉积第二透明导电层；
在所述第一透明导电层和第二透明导电层上形成栅电极。
12.一种硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括
准备晶硅基片；
在所述晶硅基片的受光面沉积第一金属硫族化合物膜层；
在所述第一金属硫族化合物膜层上沉积第一本征非晶层；
在所述第一本征非晶层上沉积一减反射层；
在所述晶硅基片的背面沉积第二金属硫族化合物膜层；
在所述第二金属硫族化合物膜层上沉积第二本征非晶层；
在所述第二本征非晶层的表面区域内交错沉积形成第一掺杂层和第二掺杂层；
在所述第一掺杂层上沉积第一透明导电层；
在所述第二掺杂层上沉积第二透明导电层；
在所述第一透明导电层和第二透明导电层上形成栅电极。
13.根据权利要求11或12所述的硅基异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述第一金属硫族化合物膜层和第二金属硫族化合物膜层为硫化锌、硒化锌、硫硒化锌、硫化铟、硒化铟、硫硒化铟、硫化镉、硫化镉锌中的一种或两种以上。