技术总结
本发明涉及太阳能电池领域。本发明公开了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法，所述硅基异质结太阳能电池包括：晶硅基片、第一金属硫族化合物膜层、第二金属硫族化合物膜层、第一本征非晶层、第二本征非晶层、第一掺杂层、第二掺杂层、第一透明导电层和第二透明导电层，所述第一金属硫族化合物膜层和第二金属硫族化合物膜层分别设置在晶硅基片的受光面与第一本征非晶层之间以及晶硅基片的背面与第二本征非晶层之间。本发明通过在晶硅基片表面形成所述第一金属硫族化合物膜层和第二金属硫族化合物膜层可以提高硅基异质结太阳能电池的开路电压和短路电流，使晶硅基片的制绒工序简单化，进而降低了制造成本。
技术研发人员：李艺明;邓国云;李浩
受保护的技术使用者：江苏神科新能源有限公司
文档号码：201710063887
技术研发日：2017.02.04
技术公布日：2017.05.17