本发明涉及一种显示装置。
背景技术：
显示装置中的显示面板(displaypanel)由于具有体积小、辐射低等优点，已经普遍地被应用在各式各样的电子产品中。随着显示科技的发展，消费者对显示面板规格的要求日渐提升。消费者除了希望显示面板具有广视角、高对比及高色彩饱和外，消费者对显示面板的解析度的要求也日益提高。然而，显示面板内的构件种类众多，而使显示面板的解析度不易提升。
技术实现要素：
本发明是针对一种显示装置，具有高解析度。
根据本发明的实施例，显示装置包括基板、设置于基板上的第一薄膜晶体管、设置于第一薄膜晶体管上的绝缘层、导线以及像素定义层。导线设置于绝缘层上且通过绝缘层的第一接触孔与第一薄膜晶体管电性耦接，导线沿第一方向延伸。像素定义层设置于绝缘层上。像素定义层具有第一开口区、第二开口区及第三开口区。第一开口区与第二开口区沿第一方向排列。所述第三开口区与第一开口区及第二开口区相邻。导线位于第一开口区与第三开口区之间，且第一接触孔位于第一开口区与第二开口区之间。第一开口区的面积小于第三开口区的面积。第二开口区的面积小于第三开口区的面积。第一接触孔与第一开口区之间具有第一距离。第一距离是第一接触孔与第一开口区之间的最短距离。第一接触孔与第二开口区之间具有第二距离。第二距离是第一接触孔与第二开口区之间的最短距离，而第一距离不等于第二距离。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1为本发明一实施例的显示装置的上视示意图；
图2为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图；
图3为图1的显示装置的局部的放大示意图；
图4为本发明另一实施例的显示装置的局部的放大示意图；
图5为本发明又一实施例的显示装置的局部的放大示意图；
图6为本发明再一实施例的显示装置的上视示意图；
图7为本发明一实施例的显示装置的上视示意图；
图8示出图1的导线的第一侧与第二侧。
附图标号说明
100、100a、100b、100c、100d：显示装置；
110：基板；
110a：承载面
112：导电图案；
120、130、140：绝缘层；
132：连接部；
142：第一接触孔；
142a：第一点；
142b：第二点；
144：第二接触孔；
144a：第三点；
144b：第四点；
152：导线；
152a：第一直线部；
152b：第二直线部；
153a、153b、153c、153d：弯折处；
154：电极；
161、162、163、164：有机电致发光图案；
170：像素定义层；
170a：第一开口区；
170a-1：端点；
170b：第二开口区；
170c：第三开口区；
170d：第四开口区；
172：间隔物；
173、174：底部；
180：共用电极；
a-a’、b-b’、c-c’、d-d’、e-e’、f-f’：剖线；
ch：通道；
s：第一端；
s1：第一侧；
s2：第二侧；
g：栅极；
d：第二端；
d1：第一距离；
d2：第二距离；
l1、l2：长度；
pl：电源线；
dl：数据线；
tr：第一薄膜晶体管；
td1、td2、td3、td4：第二薄膜晶体管；
r1：虚拟线；
k1：第一延伸线；
k2：第二延伸线；
x：第一方向；
y：第二方向。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
图1为本发明一实施例的显示装置的上视示意图。图2为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。特别是，图2是对应于图1的剖线a-a’、b-b’、c-c’、d-d’、e-e’及f-f’。请参照图1及图2，显示装置100包括基板110、第一薄膜晶体管tr、绝缘层140、导线152及像素定义层170。在本实施例中，基板110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。基板110可为硬式基板、软式基板或软硬复合材，并不以此为限。本发明的显示装置1也可为软性显示装置(flexibledisplay)、触控显示装置(touchdisplay)或曲面显示装置(curveddisplay)，并不以此为限。
第一薄膜晶体管tr设置于基板110上。在本实施例中，显示装置100还包括设置于基板110上第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4。以下举例说明第一薄膜晶体管tr及第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4的处理。在本实施例中，可先在形成基板110上形成半导体图案(未显示)；然后，对所述半导体图案的一部份进行改质，例如：掺杂(doping)，其中被改质的所述半导体图案的所述部份形成导电图案112，其中导电图案112可包括第一薄膜晶体管tr的第一端s与第二端d、第二薄膜晶体管td1的第一端s与第二端d、第二薄膜晶体管td2的第一端s与第二端d、第二薄膜晶体管td3的第一端s与第二端d和第二薄膜晶体管td4的第一端s与第二端d，而未被改质的所述半导体图案的另一部份形成第一薄膜晶体管tr的通道ch以及第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4的通道ch，其中第一薄膜晶体管tr的第一端s与第二端d分别与第一薄膜晶体管tr的通道ch的两侧电性耦接，第二薄膜晶体管td1的第一端s与第二端d分别与第二薄膜晶体管td1的通道ch的两侧电性耦接，第二薄膜晶体管td2的第一端s与第二端d分别与第二薄膜晶体管td2的通道ch的两侧电性耦接，第二薄膜晶体管td3的第一端s与第二端d分别与第二薄膜晶体管td3的通道ch的两侧电性耦接，第二薄膜晶体管td4的第一端s与第二端d分别与第二薄膜晶体管td4的通道ch的两侧电性耦接；接着，形成绝缘层120，以覆盖导电图案112、第一薄膜晶体管tr的通道ch及第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4的通道ch；然后，在绝缘层120上形成第一薄膜晶体管tr的栅极g及第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4的栅极g；接着，形成绝缘层130，以覆盖第一薄膜晶体管tr的栅极g、第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4的栅极g及部份的绝缘层120。在本实施例中，第一端s可为源极，第二端d可为漏极。但本发明不限于此，在其他实施例中，第一端s可为漏极，第二端d可为源极。在本实施例中的层别结构仅为举例，在其他实施例中，可有其他层别结构设置于其中，本发明不以此为限。在本实施例中，所谓的电性耦接，可包括两个元件之间直接电性连接、通过导电层或半导体层直接电性连接、或两个元件之间还通过其他元件(例如：薄膜晶体管或电容)连接。
在本实施例中，基于导电性的考量，栅极g、第一端s和/或第二端d可使用金属材料，但本发明不限于此，在其他实施例中，栅极g、第一端s和/或第二端d也可以使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。绝缘层120和/或绝缘层130的材料可为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料或上述的组合。第一薄膜晶体管tr的通道ch以及第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4的通道ch的材料可为非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟锗锌氧化物、铟锡锌氧化物、或是其它合适的材料、或上述之组合)、其它合适的材料、或上述的组合，但本发明不以此为限。
需说明的是，上述的第一薄膜晶体管tr及第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4的处理是用以说明本发明，而非用以限制本发明，在其他实施例中，第一薄膜晶体管tr及第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4也可利用其他适当方式形成。此外，第一薄膜晶体管tr及第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4的型式也不限于图2所绘的顶部栅极型薄膜晶体管(top-gatetft)，在其他实施例中，第一薄膜晶体管tr及第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4也可为底部栅极型薄膜晶体管(bottom-gatetft)、双栅极薄膜晶体管(dual-gatetft)或其他适当型式的薄膜晶体管。
连接部132设置在绝缘层130上，并通过绝缘层130的通孔与第一薄膜晶体管tr的第一端s与第二端d的一个电性耦接、第二薄膜晶体管td1的第一端s与第二端d的一个电性耦接、第二薄膜晶体管td2的第一端s与第二端d的一个电性耦接、第二薄膜晶体管td3的第一端s与第二端d的一个电性耦接或第二薄膜晶体管td4的第一端s与第二端d的一个电性耦接。绝缘层140设置于第一薄膜晶体管tr上，绝缘层140具有第一接触孔142。换言之，绝缘层140覆盖第一薄膜晶体管tr，而绝缘层140的第一接触孔142暴露部分连接部132。在本实施例中，绝缘层140还设置于第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4上且具有多个第二接触孔144。多个第二接触孔144可分别暴露部分的多个连接部132。在本实施例中，绝缘层140的材料可为无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料或上述的组合。
导线152设置于绝缘层140上，导线152通过第一接触孔142及连接部132而与第一薄膜晶体管tr电性耦接。在本实施例中，重置电压(resetvoltage，vref)可通过导线152输入至第一薄膜晶体管tr的第一端s与第二端d的一个(例如：第一薄膜晶体管tr的第二端d)。换言之，第一薄膜晶体管tr可为重置(reset)薄膜晶体管，但本发明不以此为限。在本实施例中，基于导电性的考量，导线152可使用金属材料，但本发明不限于此，在其他实施例中，导线152也可以使用其他导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。
在本实施例中，显示装置100还包括设置在绝缘层140上的多个电极154。多个电极154分别通过多个第二接触孔144与多个第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4电性耦接。也就是说，多个电极154分别通过多个第二接触孔144及多个连接部132而与多个第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4电性耦接。在本实施例中，电极154可选择性地与导线152形成于同一膜层，但本发明不限于此，在其他实施例中，电极154与导线152也可分别形成于不同的膜层。在本实施例中，电极154的材料可为反光导电材料，例如：金属、合金等，但本发明不限于此，在其他实施例中，电极154的材料也为透光导电材料，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。显示装置100还包括对应电极154设置的显示介质。在本实施例中，所述显示介质例如为多个有机电致发光图案161、有机电致发光图案162、有机电致发光图案163、有机电致发光图案164，但本发明不以此为限，在其他实施例中，所述显示介质也可为其他适当材料。多个有机电致发光图案161、有机电致发光图案162、有机电致发光图案163、有机电致发光图案164分别设置在与多个第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4对应的多个电极154上，电极154可为阳极。
在本实施例中，显示装置100还包括电源线pl(绘于图1)，设置于基板110上。电源线pl具有电源电压(vdd)且与第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4的第一端s与第二端d的一个电性耦接。有机电致发光图案161、有机电致发光图案162、有机电致发光图案163、有机电致发光图案164的电极154可与第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4的第二端d电性耦接。换言之，在本实施例中，第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4可为发光(emitting)薄膜晶体管，但本发明不以此为限。
像素定义层170设置于绝缘层140上。像素定义层170具有第一开口区170a、第二开口区170b及第三开口区170c。在本实施例中，像素定义层170还具有第四开口区170d。第一开口区170a、第二开口区170b、第三开口区170c及第四开口区170d分别暴露部分与第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3、第二薄膜晶体管td4电性耦接的多个电极154。换言之，多个电极154分别与第一开口区170a、第二开口区170b、第三开口区170c及第四开口区170d部份重叠。本发明所述的重叠是指在垂直于基板110的方向上(即从上视图来看)重叠。多个有机电致发光图案161、有机电致发光图案162、有机电致发光图案163、有机电致发光图案164分别设置在绝缘层140的第一开口区170a、第二开口区170b、第三开口区170c及第四开口区170d。显示装置100还包括共用电极180。共用电极180与电极154之间的电位差能驱动所述显示介质(例如：有机电致发光图案161、有机电致发光图案162、有机电致发光图案163、有机电致发光图案164)发光。共用电极180可具有接地电位，但本发明不以此为限。在本实施例中，共用电极180可设置在像素定义层170上，且填入第一开口区170a、第二开口区170b、第三开口区170c及第四开口区170d，以和多个有机电致发光图案161、有机电致发光图案162、有机电致发光图案163、有机电致发光图案164电性耦接，但本发明不以此为限。在本实施例中，共用电极180可为透光导电层，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、其它合适的氧化物、或者是上述至少二个的堆叠层。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，共用电极180也可为反光导电层，并采用其他适当材料。
在本实施例中，显示装置100还包括数据线dl(绘于图1)、扫描线(未显示)。显示装置100还可包括信息写入(switching)薄膜晶体管(未显示)。信息写入薄膜晶体管的栅极与扫描线电性耦接。信息写入薄膜晶体管的第一端与第二端的一个与数据线dl电性耦接。重置电压(vref)输入至第一薄膜晶体管tr的第一端s与第二端d的一个(例如：第一薄膜晶体管tr的第二端d)。重置信号输入至第一薄膜晶体管tr的栅极g。第一薄膜晶体管tr的第一端s与第二端d的一个(例如：第一薄膜晶体管tr的第一端s)以及第二薄膜晶体管td1、第二薄膜晶体管td2、第二薄膜晶体管td3或第二薄膜晶体管td4的第一端s与第二端d的一个电性耦接至节点(未显示)。第一薄膜晶体管tr可根据所述重置信号重置所述节点的电压，进而重置第一开口区170a、第二开口区170b、第三开口区170c或第四开口区170d的发光状态。
请参照图1，导线152沿第一方向x延伸。第一开口区170a与第二开口区170b沿第一方向x排列。第三开口区170c与第一开口区170a相邻(相邻的定义例如为：两开口区的最短连线上没有其他开口区)，且第三开口区170c与第二开口区170b相邻。第一开口区170a的面积小于第三开口区170c的面积。第二开口区170b的面积小于第三开口区170c的面积。如图2所示，第一开口区170a的面积、第二开口区170b的面积及第三开口区170c的面积分别指第一开口区170a的底部173的面积、第二开口区170b的底部173的面积及第三开口区170c的底部173的面积。导线152位于第一开口区170a与第三开口区170c之间。导线152通过第一接触孔142与第一薄膜晶体管tr电性耦接，第一接触孔142位于第一开口区170a与第二开口区170b之间。在本实施例中，第一开口区170a与第二开口区170b在第一方向x上排成第一列，第四开口区170d与第三开口区170c可在第一方向x上排成第二列，第一列可相邻于第二列，第二开口区170b相邻于第三开口区170c，且第二开口区170b相邻于第四开口区170d。第四开口区170d的面积可大于第一开口区170a的面积及第二开口区170b的面积且小于第三开口区170c的面积。在本实施例中，导线152还可位于第二开口区170b与第三开口区170c之间、第二开口区170b与第四开口区170d之间以及第一开口区170a与第四开口区170d之间。简言之，导线152可为绕过第一开口区170a、第二开口区170b、第三开口区170c及第四开口区170d的一条折线，但本发明不以此为限。在本实施例中，来自第一开口区170a的光束(例如：有机电致发光图案161发出的光束)的颜色与来自第二开口区170的光束(例如：有机电致发光图案162发出的光束)的颜色可相同，而来自第一开口区170a的光束的颜色与来自第三开口区170c的光束(例如：有机电致发光图案163发出的光束)的颜色可不同。来自第四开口区170d的光束(例如：有机电致发光图案164发出的光束)的颜色与来自第三开口区170c的光束的颜色可不同。举例而言，来自第一开口区170a的光束的颜色、来自第二开口区170b的光束的颜色、来自第三开口区170c的光束的颜色及来自第四开口区170d的光束的颜色可分别为绿色、绿色、蓝色及红色，但本发明不以此为限。
值得注意的是，第一接触孔142与第一开口区170a之间具有第一距离d1。第一距离d1是第一接触孔142与第一开口区170a之间的最短距离。详言之，第一距离d1是指第一接触孔142的底部174在基板110上的垂直投影与第一开口区170a的底部173在基板110上的垂直投影之间的最短距离。第一接触孔142与第二开口区170b之间具有第二距离d2。详言之，第二距离d2是指第一接触孔142的底部174在基板110上的垂直投影与第二开口区170b的底部173在基板110上的垂直投影之间的最短距离。第二距离d2是第一接触孔142与第二开口区170b之间的最短距离。特别是，第一距离d1不等于第二距离d2。在本实施例中，第二距离d2可大于第一距离d1，但本发明不以此为限。值得一提的是，通过第一距离d1不等于第二距离d2的布局(layout)设计，第一开口区170a、第二开口区170b与第三开口区170c能紧密地排列，进而提升显示装置100的解析度(resolution)。
图3为图1的显示装置的局部的放大示意图。请参照图3，第二方向y与基板110的承载面110a(绘于图2)平行，换句话说，第二方向y与基板110的承载面110a的法线方向垂直，且第二方向y与第一方向x垂直。第一开口区170a在第二方向y上具有最远离导线152的端点170a-1。沿第二方向y定义通过端点170a-1的虚拟线r1。在本实施例中，第一接触孔142与对应第一开口区的170a的第二接触孔144分别位于虚拟线r1的不同侧。藉此，第一开口区170a、第二开口区170b与第三开口区170c能更加紧密地排列，而更进一步地提升显示装置100的解析度。
请参照图3，在本实施例中，第一开口区170a可呈多边形，而端点170a-1可为多边形的顶点。但本发明不限于此，在其他实施例中，第一开口区170a也可椭圆形、圆形或其他非多边形，端点170a-1也可是椭圆形、圆形或其他非多边形上的最远离导线152的一个点，而端点170a-1不一定要是多边形的顶点。以下配合图4举例说明的。图4为本发明另一实施例的显示装置的局部的放大示意图。请参照图4，第一开口区170a在第二方向y上具有最远离导线152的端点170a-1。沿第二方向y定义通过端点170a-1的虚拟线r1，而第一接触孔142与对应第一开口区170a的第二接触孔144分别位于虚拟线r1的不同侧。与显示装置100不同的是，在显示装置100a中，第一开口区170a及第二开口区170b也可呈椭圆形。第一开口区170a上具有最远离导线152的端点170a-1，端点170a-1可不位于所述椭圆形的长轴或短轴上，但本发明不以此为限。再者，于图4的实施例中，导线152的线宽可不一致。举例而言，与间隔物172重叠的部份导线152的线宽可较宽，但本发明不以此为限。
请参照图3，在本实施例中，第一接触孔142具有第一轮廓。第一接触孔142的第一轮廓具有彼此相隔最远的第一点142a与第二点142b。第一点142a与第二点142b定义出虚拟的第一延伸线k1。第一点142a可较第二点142b接近对应的数据线dl，但本发明不以此为限。第二接触孔144具有第二轮廓。第二接触孔144的第二轮廓具有彼此相隔最远的第三点144a与第四点144b。第三点144a与第四点144b定义出虚拟的第二延伸线k2。第三点144a可较第四点144b接近导线152，但本发明不以此为限。值得注意的是，第一延伸线k1的延伸方向与第二延伸线k2的延伸方向不同。举例而言，第一延伸线k1的延伸方向与第二延伸线k2的延伸方向可互相垂直，在其他实施例中，第一延伸线k1的延伸方向与第二延伸线k2的延伸方向之间可具有一夹角，但本发明不以此为限。在本实施例中，第一接触孔142的第一轮廓可呈第一椭圆形，而第一轮廓上彼此相隔最远的第一点142a与第二点142b可位于所述第一椭圆形的长轴的两端。第二接触孔144的第二轮廓可呈第二椭圆形，而第二轮廓上彼此相隔最远的第三点144a与第四点144b可位于所述第二椭圆形的长轴的两端。所述第一椭圆形的长轴与所述第二椭圆形的长轴可不平行。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，所述第一椭圆形的长轴与所述第二椭圆形的长轴也可平行。以下配合图5举例说明的。
图5为本发明又一实施例的显示装置的局部的放大示意图。请参照图5，第一接触孔142具有第一轮廓。第一接触孔142的第一轮廓具有彼此相隔最远的第一点142a与第二点142b。第一点142a可较第二点142b接近第三开口区170c，但本发明不以此为限。第一点142a与第二点142b定义出第一延伸线k1。第二接触孔144具有第二轮廓。第二接触孔144的第二轮廓具有彼此相隔最远的第三点144a与第四点144b。第三点144a可较第四点144b接近导线152，但本发明不以此为限。第三点144a与第四点144b定义出第二延伸线k2。第一延伸线k1的延伸方向与第二延伸线k2的延伸方向可相平行。详言之，第一接触孔142的第一轮廓可呈第一椭圆形，而第一轮廓上彼此相隔最远的第一点142a与第二点142b可位于所述第一椭圆形的长轴的两端。第二接触孔144的第二轮廓可呈第二椭圆形，而第二轮廓上彼此相隔最远的第三点144a与第四点144b可位于所述第二椭圆形的长轴的两端。与显示装置100不同的是，在显示装置100b的实施例中，所述第一椭圆形的长轴与所述第二椭圆形的长轴可互相平行，在其他实施例中，所述第一椭圆形的长轴与所述第二椭圆形的长轴之间可具有一夹角，但本发明不以此为限。
需说明的是，虽然上述第一接触孔142的第一轮廓以及第二接触孔144的第二轮廓是以椭圆形为例说明，但本发明不限于此，在其他实施例中，第一接触孔142的第一轮廓以及第二接触孔144的第二轮廓也可呈其他适当形状。此外，在其他实施例中，第一接触孔142的第一轮廓的形状以及第二接触孔144的第二轮廓的形状也不一定要相同或相似。
请参照图1及图2，在本实施例中，显示装置100还包括间隔物172。间隔物172设置于基板110上。详言之，间隔物172设置于第二开口区170b、第三开口区170c与第四开口区170d之间。间隔物172可与导线152部份重叠。换言之，间隔物172与部份导线152可利用在垂直于基板110的方向上(即从上视图来看)的同一块面积，而简省下来的基板110的面积可供第一开口区170a、第二开口区170b、第三开口区170c和/或第四开口区170d或其他元件使用，进而提升显示装置100的解析度和/或亮度。在本实施例中，间隔物172与像素定义层170可形成于同一膜层，而间隔物172的材料与像素定义层170的材料可相同。简言之，间隔物172可为像素定义层170的凸起部。然而，本发明不限于此，在其他实施例中，间隔物172与像素定义层170也可分别形成于不同膜层，而间隔物172的材料与像素定义层170的材料不一定要相同。在其他实施例中，间隔物172可设置于第一开口区170a、第三开口区170c与其他未显示的第四开口区170d之间，本发明不以此为限。
图8示出图1的导线152的第一侧s1与第二侧s2。请参照图1、图2及图8，在本实施例中，第一开口区170a在绝缘层140上的正投影以及第二开口区170b在绝缘层140上的正投影位于导线152在绝缘层140上的正投影的第一侧s1(例如图8的导线152的上方区域)。第三开口区170c在绝缘层140上的正投影以及第四开口区170d在绝缘层140上的正投影位于导线152在绝缘层140上的正投影的第二侧s2(例如图8的导线152的下方区域)。间隔物172在绝缘层140上的正投影可与导线在绝缘层140上的正投影部分重叠，部分间隔物172在绝缘层140上的正投影可位于导线152在绝缘层140上的正投影的第二侧s2，而间隔物172在绝缘层140上的正投影不与导线152在绝缘层140上的正投影的第一侧s1重叠。简言之，第一开口区170a在绝缘层140上的正投影以及第二开口区170b在绝缘层140上的正投影位于导线152在绝缘层140上的正投影的同一侧(例如第一侧s1)，而间隔物172在绝缘层140上的正投影不跨越导线152。然而，本发明不限于此，图6为本发明再一实施例的显示装置的上视示意图。请参照图6，与显示装置100不同的是，在显示装置100c的实施例中，间隔物172在绝缘层140上的正投影可跨越导线152，而与导线152在绝缘层140上的正投影的第一侧s1与第二侧s2部分重叠。
请参照图1及图2，在本实施例中，导线152可包括位于第二开口区170b与第三开口区170c之间的第一直线部152a以及位于第二开口区170b与第四开口区170d之间的第二直线部152b。详言之，导线152可为弯折线，如图8所示，第一直线部152a是指位于相邻两个弯折处153a、153b之间的第一直线部，所述第一直线部位于第二开口区170b与第三开口区170c之间；第二直线部152b是指位于相邻两个弯折处153d、弯折处153c之间的第二直线部，所述第二直线部位于第二开口区170b与第四开口区170d之间。特别是，第一直线部152a的长度l1与第二直线部152b的长度l2可不相等，但本发明不限于此。图7为本发明一实施例的显示装置的上视示意图。请参照图7，在显示装置100d的实施例中，第一直线部152a的长度l1与第二直线部152b的长度l2也不相同。与显示装置100不同的是，在显示装置100d的实施例中，第一开口区170a与第二开口区170b可呈椭圆形。
综上所述，本发明实施例的显示装置包括设置于基板上的第一薄膜晶体管、设置于第一薄膜晶体管上的绝缘层、导线以及像素定义层。导线设置于绝缘层上且通过绝缘层的第一接触孔与第一薄膜晶体管电性耦接。像素定义层设置于绝缘层上。像素定义层具有第一开口区、第二开口区及第三开口区。所述导线沿第一方向延伸。第一开口区与第二开口区沿第一方向排列。所述第三开口区与第一开口区及第二开口区相邻。第一开口区的面积小于第三开口区的面积。第二开口区的面积小于第三开口区的面积。导线位于第一开口区与第三开口区之间，且第一接触孔位于第一开口区与第二开口区之间。第一接触孔与第一开口区之间具有第一距离。第一距离是第一接触孔与第一开口区之间的最短距离。第一接触孔与第二开口区之间具有第二距离。第二距离是第一接触孔与第二开口区之间的最短距离，而第一距离不等于第二距离。通过第一距离不等于第二距离的布局(layout)设计，第一开口区、第二开口区与第三开口区能紧密地排列，进而提升显示装置的解析度。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明权利要求的范围。