1.一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
a.沉淀粘附层：在晶圆背面沉淀粘附层（7）；
b.贴膜：将晶圆正面朝上，背面粘附上白膜；
c.隐形切割：对贴膜后的晶圆进行隐形切割；
d.翻转：将隐形切割后晶翻转在另一张白膜上，在将晶圆所在区域，连同白膜一起剪下；
e.背镀金属反射层：在晶圆背面沉淀粘附层（7）上镀一层金属反射层（8）；
f.裂片：将晶圆裂片成单一的LED芯片。
2.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤a中，通过PECVD技术在晶圆的背面蓝宝石衬底（6）上沉淀粘附层（7）。
3.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤a中，粘附层(7)为SiO2粘附层或者Si3N4粘附层。
4.根据权利要求5所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤a中，粘附层(7)厚度为10～230nm。
5.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤c中,隐形切割中，激光脉冲频率为20～120Hz，划片速度为40～200mm/s。
6.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤e中，金属反射层（8）为Al反射层或者Ag反射层，金属反射层（8）厚度为100～500nm。
7.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：所述步骤a之前，还有步骤a1，抛光，通过化学抛光的方法对厚度为40～200μm的晶圆进行抛光，降低晶圆背面粗糙度。
8.根据权利要求1所述的一种隐形切割和背镀LED芯片的制作方法，其特征在于：制得的LED芯片包括蓝宝石衬底（6），位于蓝宝石衬底（6）下方的沉淀粘附层（7），位于沉淀粘附层（7）下方的金属反射层（8），位于蓝宝石衬底（6）上方的 P-GaN层（1）、P-Pad层（2）、N-GaN层（3）和N-Pad层（4），其中P-GaN层（1）和N-GaN层（3）之间设有量子阱（9），蓝宝石衬底（6）中经过隐形切割后存在激光灼烧点（5）。