技术总结
本发明提供了薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及电子设备，该薄膜晶体管包括：栅极；栅绝缘层；有源层；源漏电极，其中，在所述源漏电极靠近所述栅极的表面设置有保护结构。发明人发现，通过在源漏电极靠近所述栅极的表面设置保护结构，可以避免在刻蚀过程对有源层的损伤，不会对有源层的沟道区发生侵蚀，从而可以大大提升薄膜晶体管的使用性能。
技术研发人员：何晓龙;李东升;班圣光;黄睿;米东灿
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
文档号码：201710084366
技术研发日：2017.02.16
技术公布日：2017.06.20