技术特征：
技术总结
本发明公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法；所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型，其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成，能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。
技术研发人员：陈文锁;张培健;钟怡;刘建;陆泽灼
受保护的技术使用者：重庆中科渝芯电子有限公司
技术研发日：2017.02.24
技术公布日：2018.04.20