技术总结
本发明提供一种锗基MOS晶体管的制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该制备方法制备的晶体管由于采用了锗材料的双层肖特基势垒源漏结构，提高了开态电流、抑制了泄漏电流。本发明节省了热预算、提高了器件驱动能力、解决了绝缘体上锗的工艺限制，利用先刻蚀凹槽淀积下层金属再利用多晶锗填充凹槽淀积上层金属的方法代替离子注入，极大地简化了工艺、节约了成本，避免了注入损伤。
技术研发人员：孙雷;王关清;是成;刘粮魁
受保护的技术使用者：北京大学
文档号码：201710127758
技术研发日：2017.03.06
技术公布日：2017.06.27