技术特征：
技术总结
本发明涉及一种Ar粒子辐照增强Cr掺杂ZnO薄膜铁磁性的方法，以一定剂量的Ar粒子对Cr掺杂ZnO薄膜进行辐照，所述Cr掺杂ZnO薄膜的化学式为Zn1‑xCrxO，其中0＜x≤0.05。本发明方法稳定有效，可以在不破坏材料的前提下对ZnO基稀磁半导体薄膜的铁磁性进行有效显著的增强，有利于基于稀磁半导体材料的自旋电子器件的发展。
技术研发人员：刘学超;陈卫宾;卓世异;施尔畏
受保护的技术使用者：中国科学院上海硅酸盐研究所
技术研发日：2017.03.17
技术公布日：2017.07.04