技术特征：
技术总结
本申请公开了一种半导体器件、制造方法以及存储器，涉及半导体技术领域。该器件包括：一条或多条位线BL；设置在BL上的两个选择栅SG、一条或多条字线WL、源极和漏极；其中，WL设置在两个SG之间，源极和漏极分别设置在两个SG外侧。该器件、方法以及存储器能够提高存储密度以及写入和擦除速度。
技术研发人员：陈卓凡;刘盼盼
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.03.23
技术公布日：2018.10.09