技术特征：
技术总结
雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法。一种制造一半导体装置的方法，该方法包括：将一半导体晶粒设置在一基板上；将雷射辐射透射穿过至少一射束过滤器，其中从至少该射束过滤器输出的雷射辐射同时：利用在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第一区域；以及利用在一不同于该第一强度位准的第二强度位准的一第二平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第二区域作为非限制性的例子，此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统及方法，以改善该半导体晶粒至一基板的接合。
技术研发人员：尹泰浩;钟梁奎;金敏浩;宋延锡;柳东洙;金钟荷
受保护的技术使用者：艾马克科技公司
技术研发日：2017.03.28
技术公布日：2017.10.27