量子点LED封装结构的制作方法

文档序号:11679753阅读:207来源:国知局
量子点LED封装结构的制造方法与工艺

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种量子点led封装结构。



背景技术:

薄膜晶体管液晶显示器(thinfilmtransistor-lcd,tft-lcd)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置,其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。通常液晶显示面板由彩膜(colorfilter,cf)基板、薄膜晶体管(thinfilmtransistor,tft)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(liquidcrystal,lc)及密封框胶(sealant)组成;其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转,将背光模组的光线折射出来产生画面。

目前液晶显示器件中,普遍采用白光发光二极管(lightemittingdiode,led)作背光源。而最普遍的白光led为蓝光发光芯片(bchip)加黄色荧光粉(yphosphor)的led,而采用黄光荧光粉的led作为背光源搭配液晶显示面板后,显示器的色彩饱和度通常都比较低(ntsc色域值一般为72%),显示的颜色不够鲜艳,为了提高色彩饱和度,实现更鲜艳的色彩表现,目前主要通过将黄色荧光粉更改为红色绿色(rg)荧光粉,而使白光led采用蓝色发光芯片加红色绿色荧光粉的方式,但这种方式相对于加黄色荧光粉的方式只能够提高25%左右的色域值(ntsc色域值一般为90%),仍无法满足新的bt.2020色域标准(相当于ntsc色域值为134%),目前可实现80%bt.2020色域标准以上的技术,只有采用具有窄发光光谱的量子点(quantumdot,qd)材料的技术最容易实现,且最节能。

量子点,又可称为纳米晶,粒径一般介于1-10nm之间的纳米颗粒,由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构,受激后可以发射荧光。量子点的发射光谱可通过改变量子点的尺寸大小来控制。通过改变量子点的尺寸和其化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区,具有宽的激发谱和窄的发射谱,因而光谱覆盖率较高。而且相比较于有机荧光粉的荧光寿命,量子点的荧光寿命是其3-5倍,具有很好的光稳定性。总而言之,量子点是一种理想的荧光材料。

将量子点混合材料作为荧光发光材料与硅胶封装在led支架内部,被称为量子点发光二极管(qled)。但量子点对水氧比较敏感,暴露在水氧环境下,荧光效率会存在不可逆的迅速下降,所以对量子点的封装需要具有很好的水氧隔绝能力。另外,量子点材料随温度的升高,发光效率会逐渐下降,发光波长也会红移,故对量子点的封装需要能够隔绝高温或有较好的散热环境。目前在量子点led的背光应用中,主要采用的封装方式为将量子点封装在玻璃管中或封装在隔水隔氧的聚对苯二甲酸乙二酯(pet)薄膜中,但前者应用玻璃,存在易碎、光利用率较低、不易实现窄边框的缺点,而后者则存在容易产生背光边缘蓝色色偏和高成本的缺点。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种量子点led封装结构,具有良好的散热效果和水氧阻隔效果,旨在解决目前的量子点led难以量产、成本高、光效低、不易实现窄边框应用等问题。

为实现上述目的,本发明提供一种量子点led封装结构,包括底部支架、外部支架、含量子点层发光芯片、无机屏障层、及顶部硅胶层;

所述含量子点层发光芯片设于所述底部支架上;

所述外部支架设于所述底部支架上且环绕所述含量子点层发光芯片;

所述无机屏障层在所述底部支架上覆盖所述外部支架和含量子点层发光芯片,而对所述外部支架和含量子点层发光芯片进行封装;

所述顶部硅胶层设于所述无机屏障层上。

所述无机屏障层的材料为sio2、aln、sialn、或al2o3。

所述无机屏障层采用低温溅射法、等离子体增强化学气相沉积法、或热蒸发法沉积形成。

所述含量子点层发光芯片包括由下至上依次设于所述底部支架上的蓝光发光芯片、第一隔离层、量子点层、及第二隔离层。

所述量子点层包含两种量子点材料,分别为红色量子点材料和绿色量子点材料。

所述量子点层包含一种量子点材料,为绿色量子点材料;

所述顶部硅胶层为包含ksf磷光发光材料的硅胶层。

所述第一隔离层和第二隔离层的材料为硅胶或玻璃。

所述底部支架包括相互间隔的第一金属支架和第二金属支架、以及位于所述第一金属支架和第二金属支架之间的绝缘支架;

所述第一金属支架和第二金属支架分别与所述蓝光发光芯片的正极与负极相连接。

所述外部支架及绝缘支架的材料为环氧塑封料、或陶瓷。

所述蓝光发光芯片为倒装芯片。

本发明的有益效果:本发明提供一种量子点led封装结构,包括底部支架、外部支架、含量子点层发光芯片、无机屏障层、及顶部硅胶层,其中,所述无机屏障层在所述底部支架上覆盖所述外部支架和含量子点层发光芯片,而对所述外部支架和含量子点层发光芯片进行封装;通过采用无机屏障层对外部支架和含量子点层发光芯片进行封装,并在无机屏障层上设置顶部硅胶层,对量子点led能够满足现有封装结构单纯采用硅胶层所无法满足的水氧阻隔条件,并具有良好的散热效果,进而解决了目前量子点led难以量产、成本高、光效低、不易实现窄边框应用等问题。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。

附图说明

下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中,

图1为本发明的量子点led封装结构的示意图;

图2为本发明的量子点led封装结构中含量子点层发光芯片的结构示意图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

请参阅图1,本发明提供一种量子点led封装结构,包括底部支架110、外部支架130、含量子点层发光芯片150、无机屏障层170、及顶部硅胶层190;

所述含量子点层发光芯片150设于所述底部支架110上;

所述外部支架130设于所述底部支架110上且环绕所述含量子点层发光芯片150;

所述无机屏障层170在所述底部支架110上覆盖所述外部支架130和含量子点层发光芯片150,而对所述外部支架130和含量子点层发光芯片150进行封装;

所述顶部硅胶层190设于所述无机屏障层170上,从而所述顶部硅胶层190中的硅胶可填充所述无机屏障层170在沉积过程中表面所形成部分缺陷,进而防止量子点led封装结构在使用过程中由于环境温度湿度的急剧变化而导致的薄膜龟裂。

本发明的量子点led封装结构,通过采用无机屏障层170对外部支架130和含量子点层发光芯片150进行封装,并在无机屏障层170上设置顶部硅胶层190,对量子点led能够满足现有封装结构单纯采用硅胶层所无法满足的水氧阻隔条件(通常低透水透氧硅胶的透氧率为120-350cc/m2.day,而实际量子点led所需要的水氧阻隔条件为透氧率<10-1cc/m2.day),并具有良好的散热效果,进而解决了目前量子点led难以量产、成本高、光效低、不易实现窄边框应用等问题。

具体地,所述无机屏障层170为低透水透氧率的无机阻隔(barrier)材料,既能够改善量子点led封装结构的散热效果,也能够大大改善量子点led封装结构对水氧的阻隔效果,进一步地,所述无机屏障层170的材料可为氧化硅(sio2)、氮化铝(aln)、氮化硅铝(sialn)、或氧化铝(al2o3)等。

具体地,所述无机屏障层170采用低温溅射法、等离子体增强化学气相沉积法、或热蒸发法等方法沉积形成。

具体地,如图2所示,所述含量子点层发光芯片150包括由下至上依次设于所述底部支架110上的蓝光发光芯片151、第一隔离层152、量子点层153、及第二隔离层154。

可选地,所述量子点层153包含两种量子点材料,分别为红色量子点材料和绿色量子点材料;所述顶部硅胶层190为透明的硅胶材料。或者,

所述量子点层153仅包含绿色量子点材料这一种量子点材料;则所述顶部硅胶层190为包含ksf磷光发光材料的硅胶层,该体系的量子点led封装结构由于ksf磷光发光材料不吸收绿光波段,故发光效率更高。

具体地,所述第一隔离层152和第二隔离层154的材料为硅胶或玻璃。

具体地,所述底部支架110包括相互间隔的第一金属支架111和第二金属支架112、以及位于所述第一金属支架111和第二金属支架112之间的绝缘支架113;所述第一金属支架111和第二金属支架112分别与所述蓝光发光芯片151的正极与负极相连接。

具体地,所述外部支架130及绝缘支架113的材料为环氧塑封料(epoxymoldingcompound,emc)、或陶瓷。

具体地,所述蓝光发光芯片151为倒装芯片。

具体地,所述无机屏障层170在含量子点层发光芯片150上方形成凹陷,所述顶部硅胶层190形成于该凹陷内而对应位于所述含量子点层发光芯片150上方。

综上所述,本发明提供的一种量子点led封装结构,包括底部支架、外部支架、含量子点层发光芯片、无机屏障层、及顶部硅胶层,其中,所述无机屏障层在所述底部支架上覆盖所述外部支架和含量子点层发光芯片,而对所述外部支架和含量子点层发光芯片进行封装;通过采用无机屏障层对外部支架和含量子点层发光芯片进行封装,并在无机屏障层上设置顶部硅胶层,对量子点led能够满足现有封装结构单纯采用硅胶层所无法满足的水氧阻隔条件,并具有良好的散热效果,进而解决了目前量子点led难以量产、成本高、光效低、不易实现窄边框应用等问题。

以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

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