1.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上设置缓冲层；
在所述缓冲层上设置N型半导体层；
在所述N型半导体层上设置发光层；
在所述发光层上设置P型半导体层；
在所述P型半导体层上形成透明导电层，在所述透明导电层上形成第一光刻胶，对所述透明导电层进行图案化，保留所述第一光刻胶对所述P型半导体层、发光层、N型半导体层进行部分刻蚀，形成台面；
在所述台面和所述透明导电层上形成保护层；
在所述保护层上形成第二光刻胶，对所述保护层进行刻蚀，裸露出部分N型半导体层和部分透明导电层，并对裸露的部分透明导电层进行刻蚀形成开孔；
在所述开孔上形成P电极，在裸露的N型半导体层上形成N电极，所述P电极的高度高于所述保护层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，在所述P型半导体层上形成透明导电层，在所述透明导电层上形成第一光刻胶，对所述透明导电层进行图案化，保留所述第一光刻胶对所述P型半导体层、发光层、N型半导体层进行部分刻蚀，形成台面之后，还包括：
对所述透明导电层进行清洗，并清除剩余的第一光刻胶。
3.根据权利要求2所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，采用湿法腐蚀对所述透明导电层进行图案化；
采用电感耦合等离子体对所述P型半导体层、发光层、N型半导体层进行部分刻蚀，形成台面。
4.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述对所述保护层进行刻蚀，裸露部分N型半导体层和部分透明导电层，并对裸露的部分透明导电层进行刻蚀形成开孔，包括：
在所述保护层上形成第二光刻胶；
对所述保护层进行光刻，裸露出部分N型半导体层和部分透明导电层；
调整光刻的线宽至预设范围宽度对裸露的部分透明导电层进行刻蚀，形成预设范围宽度的开孔；
除去所述第二光刻胶并对所述开孔进行清洗。
5.根据权利要求4所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述预设范围宽度为0.5μm至4μm。
6.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，通过蒸发台或溅射镀膜法形成所述P电极和N电极。
7.一种发光二极管，其特征在于，包括
衬底；
设置在所述衬底上的缓冲层，；
设置在所述缓冲层上的N型半导体层；
设置在所述N型半导体层上的发光层；
设置在所述发光层上的P型半导体层；
设置在所述P型半导体层上并经过图案化的透明导电层；
对所述P型半导体层、发光层、N型半导体层进行部分刻蚀形成的台面；
设置在所述台面和所述透明导电层上的保护层，对所述保护层进行刻蚀裸露出部分N型半导体层和部分透明导电层，对裸露部分透明导电层进行刻蚀形成开孔；
在所述开孔上形成的P电极，所述P电极的高度高于所述保护层；
在裸露的N型半导体层上形成的N电极。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡薄膜。
9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层为二氧化硅薄膜。
10.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述开孔的宽度为0.5μm至4μm。