技术特征：
技术总结
本发明公开了一种单晶硅表面蜂巢状结构及其制备方法；其中单晶硅表面蜂巢状结构，单晶硅硅片表面有若干个均匀分布的蜂巢状结构，每个蜂巢状结构均为多边形开口，沿多边形开口的每个面均向多晶硅硅片内部倾斜延伸，且沿多边形开口的每个面均为多边形，每个蜂巢状结构的位于多晶硅硅片表面的开口大于其内部的延伸的底面；蜂巢状结构的多边形开口直径为100~1000纳米、垂直深度为50~800纳米。本发明的单晶硅蜂巢状陷光结构对光的利用率更高，陷光效果更好，使得太阳能电池的效率更高，且工艺简单，可实现大面积批量生产，拥有很广泛的应用市场。
技术研发人员：蒲天;吴兢;杜欢;王兰芳;赵兴国
受保护的技术使用者：江苏辉伦太阳能科技有限公司
技术研发日：2017.04.01
技术公布日：2017.08.01