技术特征：
技术总结
本发明提供一种产线内晶粒大小监控设备及晶粒大小监控方法。该设备包括：工作腔、设于所述工作腔顶部的扫描电子显微镜、设于所述工作腔顶部的处理液滴定装置、与所述扫描电子显微镜和处理液滴定装置相连的第一传动装置、设于所述工作腔底部的第二传动装置、设于所述工作腔底部的带加热功能的基板支撑柱、与工作腔连通的供气装置、与所述工作腔连通的分子泵、以及与所述分子泵串联的真空泵，可通过处理液滴定装置向工作腔内的阵列基板滴加处理液对阵列基板表面的膜层进行蚀刻处理，通过扫描电子显微镜拍摄到边界清晰的晶界画面，实现在产线内监控阵列基板上多晶硅的晶粒大小，简化生产流程，降低生产成本，提升生产效率。
技术研发人员：孟林
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
技术研发日：2017.04.12
技术公布日：2017.08.11