技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括上拉晶体管区和下拉晶体管区；第一外延层，覆盖所述半导体衬底的表面，所述第一外延层具有第一导电类型；第一凸起结构和第二凸起结构，间隔设置在所述第一外延层的表面上，所述第一凸起结构位于所述上拉晶体管区，所述第二凸起结构位于所述下拉晶体管区；第一栅极结构，形成在所述第一外延层的表面上并包围所述第一凸起结构和所述第二凸起结构位于底部的侧面；第二外延层，分别设置在所述第一凸起结构和所述第二凸起结构的顶面上，并且相邻第二外延层之间彼此隔离，所述第二外延层具有第二导电类型。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
技术研发日：2017.04.13
技术公布日：2018.11.02